河南
快科技2月19日消息，據媒體報道，面對持續發酵的全球存儲器供應短缺，韓國兩大半導體巨頭正加速產能布局。
SK海力士計劃將原定于2027年5月竣工的龍仁一期晶圓廠，提前至明年初（2—3月）啟動試營運；三星電子也擬將平澤P4工廠的投產時間從原計劃的第一季度，提前至今年第四季度。
據KB證券數據顯示，截至今年2月，三星與SK海力士主要客戶的存儲器芯片需求滿足率僅約60%，短缺程度較去年第四季度進一步加劇。
市場普遍預期，這一供應緊張態勢將延續至2027年。花旗集團預測，今年DRAM與NAND閃存供給增速分別為17.5%和16.5%，而需求增速則高達20.1%和21.4%，供需缺口持續擴大。
在高帶寬存儲器領域，價格博弈同樣升溫。傳三星新一代HBM4報價約為700美元，SK海力士有望跟進這一價格。
這不僅較現有HBM3E高出20%—30%，相較去年8月SK海力士供應給英偉達的HBM4（約550美元），漲幅也接近三成。市場預期，受存儲器量價齊升帶動，三星與SK海力士今年第一季營業利潤有望達到30兆韓元。
與此同時，美國存儲器大廠美光科技也加緊擴產步伐。該公司近日宣布，計劃在新加坡投資240億美元擴建晶圓制造廠，以應對全球存儲器短缺，加速提升產能供給能力。
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