放棄美籍恢復中國籍，為辦理稅務需要，“中國刻蝕機之父”套現近1億

上海證券交易所網站消息，1月8日，半導體龍頭中微公司發布公告稱，公司創始人、董事長兼總經理尹志堯計劃自公告披露之日起15個交易日后的3個月內，通過集中競價方式減持公司股份不超過29萬股，占公司總股本比例約為0.046%。

公告顯示，被譽為“中國刻蝕機之父”的尹志堯減持股份的原因是：“因本人已從外籍恢復為中國籍，為依法辦理相關稅務的需要。”

中微公司公告上交所網站

截至1月9日收盤，中微公司股價報336.68元/股，總市值為2108億元。按此收盤價推算，尹志堯擬減持的約29萬股股票市值約為人民幣9764萬元，擬套現近1億元。

東方財富網

公開資料顯示，尹志堯，生于1944年，中國國籍，擁有中國科學技術大學學士學位及加州大學洛杉磯分校博士學位。

尹志堯（資料圖）視頻截圖

尹志堯的職業生涯始于1984年，先后在硅谷多家頂尖半導體企業積累了豐富經驗。1984年至1986年，他在英特爾中心技術開發部擔任工藝工程師；1986年至1991年，在泛林半導體歷任資深工程師及研發部資深經理；1991年至2004年，供職于應用材料公司，期間先后擔任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁兼事業群總經理，以及亞洲總部首席技術官。2004年，尹志堯回國創立中微公司，并一直擔任董事長、總經理及核心技術負責人至今。

每日經濟新聞此前報道，中微公司在2022年年報中仍明確標注尹志堯為美國公民；2023年年報未披露其國籍信息；直至2024年年報，才正式確認其已恢復中國國籍。

另據上海證券報報道，近十年間，尹志堯帶領團隊持續突破技術壁壘，半導體設備領域的全國首臺套捷報頻傳：2015年，率先提出“皮米級”加工精度概念，開發出世界先進水平的CCP和ICP等離子體刻蝕設備；2018年，自主知識產權刻蝕機進入客戶5納米產線；2010年—2025年，推動開發了MOCVDLPCVDALDEPIPEVCD等一系列國際領先的薄膜設備；2025年，ICP雙反應臺刻蝕機精度達0.1nm（納米），技術達到全球先進水平。

中微公司最新披露的三季報顯示，2025年前三季度，公司保持強勁發展勢頭，實現營業收入80.63億元，同比增長46.40%；實現歸屬于上市公司股東凈利潤12.11億元，同比增長32.66%。

中微公司在三季報中表示，根據規劃，未來五到十年，其對集成電路關鍵設備領域的覆蓋度將提升至60%，將攜手行業上下游的合作伙伴，實現高速、穩定、健康和安全的高質量發展，力爭盡早在規模上和競爭力上成為國際一流的半導體設備公司。