亞利桑那晶圓廠對比：英特爾 Fan52 遠超臺積電 Fab21

英特爾正致力于在制程工藝與先進全球產能兩方面追趕臺積電，但在美國本土市場，這家芯片巨頭的地位依舊無可撼動。據美國消費者新聞與商業頻道（CNBC）報道，英特爾 52 號晶圓廠的技術先進性超過了臺積電目前運營的 21 號晶圓廠一期項目，以及即將投產的二期項目，其產能規模更是相當于這兩個廠區的總和。

英特爾位于亞利桑那州錢德勒的Fab 52半導體制造廠

英特爾 52 號晶圓廠專為 18A 制程（1.8 納米級）及更先進工藝而生，采用了環繞柵極（GAA）納米帶晶體管技術與 PowerVia 背側供電網絡。該工廠的晶圓月啟動量（WSPM）在滿負荷量產階段可達約 40,000 片，對應每周 10,000 片的啟動規模 —— 以當下行業標準衡量，這無疑是一座超大規模晶圓廠。

據推特賬號 @IntelProMUltra 實地觀察，52 號晶圓廠目前配備了 4 臺阿斯麥（ASML）Twinscan NXE 系列低數值孔徑（Low-NA）極紫外（EUV）光刻機，其中至少包含 1 臺NXE:3800E 機型。這款設備是阿斯麥最先進的低數值孔徑極紫外光刻機，借鑒了下一代高數值孔徑極紫外光刻機的晶圓傳送裝置、高速晶圓臺與光源技術，在 30 毫焦 / 平方厘米的曝光劑量下，每小時可處理高達 220 片晶圓。此外，該廠還部署了 3 臺 NXE:3600D 光刻機，同曝光劑量下的小時晶圓處理量為 160 片。

英特爾位于亞利桑那州奧科蒂約的 “硅沙漠” 園區，最終將配備至少 15 臺極紫外光刻機。不過，其中高數值孔徑極紫外光刻機的具體數量，以及即將開建的 62 號晶圓廠將部署多少臺這類設備，目前仍未可知。但 “至少” 這一表述意味著，英特爾在亞利桑那的生產基地預留了充足空間，未來可部署超過 15 臺極紫外光刻機。

對比臺積電 21 號晶圓廠一期項目（采用 N4 與 N5 制程生產芯片），英特爾 52 號晶圓廠不僅能生產制程工藝顯著更先進的芯片（最低達 1.8 納米級及以下），月晶圓處理量更是前者的兩倍。事實上，臺積電單座晶圓廠模塊的產能通常在 20,000 片 / 月左右，即便其具備 N3 制程生產能力的 21 號晶圓廠二期項目建成投產，待三家工廠均滿負荷運行時，英特爾 52 號晶圓廠的綜合實力仍能與臺積電在亞利桑那的兩座工廠持平，甚至略有領先。

需要指出的是，由于英特爾 18A 制程的技術復雜度遠超臺積電 N4 或 N4P 制程，單純對比產能規模并不完全準確。即便采用更先進的 Twinscan NXE:3800B 光刻機，英特爾工廠在生產 18A 制程芯片時，也需要完成更多工序。

不過，英特爾 52 號晶圓廠的產能爬坡進度存在一個關鍵變數。目前，該廠正基于 18A 制程推進 “黑豹湖”（Panther Lake）處理器的量產，但該制程的良率仍處于爬坡初期。英特爾預計，18A 制程的良率將在 2027 年初達到業界頂尖水平。在此之前，該廠不會擴大該制程下的處理器產能，因此工廠現階段無法實現滿負荷運轉，部分產能將處于閑置狀態。反觀臺積電，其在美國工廠采用的是成熟制程技術進行芯片生產，能夠快速完成產能爬坡，晶圓廠利用率也能迅速提升至接近 100% 的水平。

注：由于平均每月的周數超過 4 周，因此英特爾 52 號晶圓廠滿負荷運行時的最大產能可能高于 40,000 片 / 月，具體數值受計劃維護與非計劃停機等因素影響。

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