這些賽道，芯片巨頭不玩了

文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫，作者 | 九林

最近，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）上調(diào)了對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)預(yù)期。

2025年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)22.5%，遠(yuǎn)高于此前11.2%的預(yù)測(cè)；2026年有望再增長(zhǎng)26.3%，達(dá)到9750億美元，距離萬億美元大關(guān)僅一步之遙。

這一輪增長(zhǎng)的含金量，明顯高于前一年。

2024年的繁榮很大程度上由英偉達(dá)引領(lǐng)的AI芯片爆發(fā)和存儲(chǔ)行業(yè)的周期性反彈所驅(qū)動(dòng)，呈現(xiàn)出“頭部集中、結(jié)構(gòu)單一”的特點(diǎn)。而進(jìn)入2025年，復(fù)蘇正變得更為均衡。雖然AI和存儲(chǔ)仍是主要增長(zhǎng)引擎，但市場(chǎng)其他板塊目前也在強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

2025年的半導(dǎo)體巨頭卻展現(xiàn)出一種出人意料的克制。臺(tái)積電退出氮化鎵代工，恩智浦關(guān)閉曾被寄予厚望的GaN晶圓廠，美光徹底告別消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)……半導(dǎo)體巨頭們不再追求“無所不包”的帝國(guó)版圖，而是開始系統(tǒng)性地卸下包袱，聚焦真正能穿越周期的核心賽道。

輕裝上陣，正在成為半導(dǎo)體巨頭們的集體選擇。

01 退出清單，誰在離場(chǎng)？

恩智浦：關(guān)停ECHO Fab，告別GaN 5G PA

12月，恩智浦宣布關(guān)閉亞利桑那州錢德勒的ECHO晶圓廠。

恩智浦在發(fā)給Light Reading的電子郵件中表示：“近年來，由于移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商投資回報(bào)率低，5G部署速度放緩，全球5G基站部署量遠(yuǎn)低于最初預(yù)期。鑒于市場(chǎng)現(xiàn)狀且復(fù)蘇前景黯淡，射頻業(yè)務(wù)已不再符合公司的長(zhǎng)期戰(zhàn)略方向。因此，恩智浦決定逐步縮減其射頻功率產(chǎn)品線。”

ECHO晶圓廠于2020年9月正式啟動(dòng)，當(dāng)時(shí)5G技術(shù)正處于蓬勃發(fā)展的時(shí)候。于是，恩智浦砸了超過1億美元進(jìn)行改造升級(jí)，采用了先進(jìn)的6英寸碳化硅襯底工藝生產(chǎn)氮化鎵射頻器件。

恩智浦將其定位為“當(dāng)時(shí)最先進(jìn)的同類工廠”，專為生產(chǎn)高效率、高功率密度的GaN PA芯片而建，旨在取代傳統(tǒng)LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)，成為5G基站的新“黃金標(biāo)準(zhǔn)”

Omdia數(shù)據(jù)顯示，5G設(shè)備收入從2022年的450億美元連續(xù)兩年下滑，2023年和2024年各減少50億美元。4G時(shí)代，恩智浦憑借LDMOS PA幾乎成為行業(yè)標(biāo)配，廣泛供應(yīng)諾基亞Flexi系列乃至華為等主流廠商。到了5G時(shí)代，其技術(shù)響應(yīng)速度明顯落后。

ECHO晶圓廠的關(guān)閉，意味著恩智浦徹底放棄射頻功率這一曾是其核心優(yōu)勢(shì)的業(yè)務(wù)線。現(xiàn)在，這座曾承載雄心的6英寸晶圓廠將于2027年第一季度完成最后一片晶圓的生產(chǎn)。

臺(tái)積電：退出GaN代工

關(guān)于GaN，今年臺(tái)積電也做了調(diào)整。

今年7月，氮化鎵廠商納微半導(dǎo)體宣布，旗下650V元件產(chǎn)品在未來1到2年內(nèi)將從現(xiàn)有供應(yīng)商臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)由力積電代工。對(duì)此，臺(tái)積電表示，經(jīng)過完整評(píng)估后，考量市場(chǎng)與長(zhǎng)期業(yè)務(wù)策略，決定在未來2年內(nèi)逐步退出氮化鎵業(yè)務(wù)。

此前，臺(tái)積電曾經(jīng)高調(diào)宣稱非常看好氮化鎵的發(fā)展前景，關(guān)注程度甚至高于碳化硅。

臺(tái)積電研發(fā)資深處長(zhǎng)段孝勤曾表示，臺(tái)積電在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ｗ⒌壪嚓P(guān)開發(fā)，歷經(jīng)長(zhǎng)期的發(fā)展氮化鎵已逐漸開始被市場(chǎng)接受，預(yù)計(jì)未來十年將有更多應(yīng)用場(chǎng)景。2023年臺(tái)積電已占據(jù)全球GaN晶圓代工40%的市場(chǎng)份額，與德國(guó)X-Fab、中國(guó)臺(tái)灣漢磊形成“一超兩強(qiáng)”的格局，成為硅基GaN技術(shù)路線產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵推動(dòng)者。

臺(tái)積電的退出，主要還是因?yàn)槔麧?rùn)原因。臺(tái)積電向來以追求高利潤(rùn)著稱，長(zhǎng)期毛利率53%的目標(biāo)不變。從業(yè)務(wù)優(yōu)先級(jí)和利潤(rùn)角度來看，臺(tái)積電的氮化鎵代工業(yè)務(wù)投片量相對(duì)較小，其當(dāng)前6英寸晶圓月產(chǎn)能僅3000~4000片，且頭部客戶如納微半導(dǎo)體占據(jù)了大部分產(chǎn)能，對(duì)整體營(yíng)收的貢獻(xiàn)有限，難以達(dá)到臺(tái)積電的利潤(rùn)預(yù)期，因此被逐漸邊緣化并最終退出。

羅姆總裁表示，臺(tái)積電退出氮化鎵（GaN）代工業(yè)務(wù)的決定“對(duì)我們?cè)斐闪司薮蟠驌簟薄?/p>

不過，臺(tái)積電的退出也為二線代工廠留下了窗口。就在臺(tái)積電淡出之際，納微半導(dǎo)體迅速與力積電達(dá)成合作，共同推進(jìn)8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)的量產(chǎn)。

美光：結(jié)束Crucial品牌，專注企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)

12月，美光宣布，決定退出Crucial（英睿達(dá)）消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)，包括在全球主要零售商、電商平臺(tái)和分銷商處銷售英睿達(dá)消費(fèi)品牌產(chǎn)品。美光方面表示，將通過消費(fèi)渠道繼續(xù)供應(yīng)英睿達(dá)消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品，直至明年2月。

美光的消費(fèi)級(jí)“Crucial”品牌過去主要通過存儲(chǔ)模組和固態(tài)硬盤（SSD）的形式，銷售給DIY玩家或升級(jí)筆記型計(jì)算機(jī)的硬件發(fā)燒友使用。

對(duì)于退出Crucial業(yè)務(wù)，美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示：“由AI驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)，帶來了對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)的強(qiáng)勁需求。美光已經(jīng)做出了一個(gè)艱難的決定，即退出Crucial消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)，以便在增長(zhǎng)更快的板塊，更好地為我們規(guī)模更大的戰(zhàn)略性客戶提供供應(yīng)和支持。”

美光公司做出這一決定背后有兩個(gè)原因。

第一，消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)利潤(rùn)微薄、競(jìng)爭(zhēng)激烈，長(zhǎng)期拖累整體產(chǎn)品組合的盈利能力。Crucial品牌雖在硬件愛好者中有一定口碑，但定位尷尬，夾在高端發(fā)燒友品牌和低端消費(fèi)品牌之間。相比之下，數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)產(chǎn)品則擁有長(zhǎng)期合同、更高的平均售價(jià)以及更可預(yù)測(cè)的需求。

第二，AI爆發(fā)催生HBM等高價(jià)值產(chǎn)品需求，美光把有限產(chǎn)能向高回報(bào)領(lǐng)域傾斜。根據(jù)美光測(cè)算，全球HBM市場(chǎng)規(guī)模將從2023年的40億美元增長(zhǎng)至2025年的250億美元，年復(fù)合增速高達(dá)150%以上。每臺(tái)AI服務(wù)器配套的HBM容量已從傳統(tǒng)服務(wù)器的128GB提升至1TB以上，成為AI基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵成本項(xiàng)。在2024年9月的財(cái)報(bào)電話會(huì)上，美光CEO Sanjay Mehrotra透露，公司HBM產(chǎn)品單季收入已接近20億美元，相當(dāng)于年化80億美元規(guī)模。

SK海力士官宣關(guān)閉CIS部門

今年剝離業(yè)務(wù)的存儲(chǔ)大廠不只有美光，還有SK 海力士。

SK海力士今年3月宣布，結(jié)束圖像傳感器（CIS）事業(yè)部門，并將數(shù)百名相關(guān)人員統(tǒng)一轉(zhuǎn)換為人工智能（AI）存儲(chǔ)器領(lǐng)域。

于是，SK海力士長(zhǎng)達(dá)17年的CIS業(yè)務(wù)征程隨之結(jié)束，也標(biāo)志著韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中低端芯片領(lǐng)域的又一次收縮。SK海力士的CIS業(yè)務(wù)始于2008年對(duì)韓國(guó)設(shè)計(jì)公司Siliconfile的收購(gòu)，曾推出對(duì)標(biāo)索尼的“黑珍珠”系列傳感器，并一度打入三星Galaxy折疊屏手機(jī)供應(yīng)鏈。

在2021年時(shí)，SK海力士的手機(jī)CIS業(yè)務(wù)收入達(dá)到頂峰，并且占據(jù)了當(dāng)時(shí)超過7%的市場(chǎng)份額。但受限于索尼、三星的專利壁壘，SK海力士始終未能突破高端CIS市場(chǎng)。從2022年開始，SK 海力士的收入開始下滑，并在2024年降至最低點(diǎn)。由于利潤(rùn)空間的壓力，SK海力士未能擴(kuò)大出貨量。

在如今AI對(duì)存儲(chǔ)需求旺盛之際，SK海力士選擇退出該業(yè)務(wù)，也在情理之中。同樣的，SK 海力士的退出也為豪威、格科等國(guó)內(nèi)CIS企業(yè)留下了新的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

聞泰科技：全面剝離ODM業(yè)務(wù)

今年，聞泰科技發(fā)布重大資產(chǎn)出售預(yù)案，以現(xiàn)金方式向立訊精密及立訊通訊（上海）轉(zhuǎn)讓昆明聞?dòng)崱ⅫS石智通、昆明智通、深圳聞泰、香港聞泰（含印尼聞泰）100%股權(quán)，以及無錫聞泰、無錫聞?dòng)崱⒂《嚷勌┑臉I(yè)務(wù)資產(chǎn)包。

本次交易完成后，聞泰將徹底告別支撐其成長(zhǎng)十余年的ODM業(yè)務(wù)。

此前，ODM業(yè)務(wù)是聞泰科技的核心業(yè)務(wù)，是營(yíng)收的絕對(duì)主力。2023年和2024年，聞泰科技產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)收入分別為443.15億元、584.31億元，占公司營(yíng)業(yè)收入的72.39%、79.39%。

但自2022年起，這一業(yè)務(wù)進(jìn)入了虧損狀態(tài)。2022年至2023年，產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)凈虧損分別為4.47億元和15.69億元。2024年上半年，盡管這一業(yè)務(wù)收入同比增長(zhǎng)26.68%達(dá)到261.2億元，但凈利潤(rùn)卻大幅虧損8.5億元。

聞泰科技解釋稱，虧損的原因主要是由于公司被列入實(shí)體清單，導(dǎo)致公司產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)（ODM業(yè)務(wù)）未來新項(xiàng)目的獲取存在較大不確定性，進(jìn)而對(duì)相關(guān)資產(chǎn)計(jì)提了減值。

剝離ODM業(yè)務(wù)后，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的核心價(jià)值徹底釋放。從第三季度業(yè)績(jī)來看，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入43.00億元，同比增長(zhǎng)12.20%，業(yè)務(wù)毛利率為34.56%，凈利潤(rùn)7.24億元。聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入在中國(guó)市場(chǎng)創(chuàng)下新高，同比增長(zhǎng)約14%。其中，汽車業(yè)務(wù)收入同比增長(zhǎng)超過26%，AI 服務(wù)器、AI PC 等計(jì)算設(shè)備及工業(yè)相關(guān)業(yè)務(wù)收入增長(zhǎng)顯著。中國(guó)市場(chǎng)收入占全球總收入的49.29%。

02 退出，是另一種進(jìn)攻

回看2025年的半導(dǎo)體行業(yè)，與其說是“退潮”，不如說是“校準(zhǔn)”。

巨頭們的退出主要是由四大結(jié)構(gòu)性因素共同驅(qū)動(dòng)：

一、市場(chǎng)需求結(jié)構(gòu)性萎縮。5G基站建設(shè)放緩、智能手機(jī)攝像頭數(shù)量見頂，部分賽道從高速增長(zhǎng)進(jìn)入調(diào)整期。

二、競(jìng)爭(zhēng)格局惡化，盈利無望。在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、ODM、CIS等領(lǐng)域，頭部廠商憑借成本、供應(yīng)鏈和本地化優(yōu)勢(shì)快速擠壓對(duì)手。后進(jìn)者若無技術(shù)或生態(tài)壁壘，只能接受微利甚至虧損。與其長(zhǎng)期“陪跑”，不如主動(dòng)退出。

三、技術(shù)路線分化，必須聚焦。寬禁帶半導(dǎo)體中，GaN適合高頻快充，SiC更適合高壓電驅(qū)；存儲(chǔ)領(lǐng)域，HBM、CXL內(nèi)存成為AI剛需。技術(shù)路徑日益清晰，企業(yè)必須“押注”而非“撒網(wǎng)”。

四、資本開支壓力倒逼戰(zhàn)略收縮。2nm制程、HBM4等，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，每一項(xiàng)前沿布局都需要巨額的投入。在資本效率至上的當(dāng)下，剝離低回報(bào)業(yè)務(wù)成為釋放現(xiàn)金流、支撐核心研發(fā)的必要手段。

退出，是另一種進(jìn)攻。

2025年，邏輯芯片營(yíng)收有望同比增長(zhǎng)37.1%；其次是存儲(chǔ)芯片，營(yíng)收同比增長(zhǎng)27.8%，成為增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的兩大品類。傳感器營(yíng)收將同比增長(zhǎng)10.4%；微處理器營(yíng)收同比增長(zhǎng)7.9%；模擬芯片營(yíng)收同比增長(zhǎng)7.5%；光電子元件營(yíng)收同比增長(zhǎng)3.7%；受汽車領(lǐng)域需求疲軟影響，分立元件營(yíng)收同比下滑0.4%。

展望2026年，邏輯與存儲(chǔ)仍將以超30%的增速領(lǐng)跑全局。WSTS的預(yù)測(cè)清晰揭示了行業(yè)的重心：AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算正在驅(qū)動(dòng)新一輪結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)。

在逼近萬億美元的半導(dǎo)體新周期里，真正的進(jìn)攻，始于敢于退出。