三星率先量產(chǎn)HBM4，2月下旬向英偉達交付，領(lǐng)跑存儲芯片賽道

據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威媒體報道，三星電子正式啟動第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）量產(chǎn)工作，成為全球首家實現(xiàn)HBM4量產(chǎn)的企業(yè)，率先掌握下一代AI加速器關(guān)鍵組件的供應主動權(quán)。三星計劃最早于2月第三周向英偉達交付HBM4產(chǎn)品，用于英偉達下一代人工智能加速器平臺Vera Rubin，此舉將加劇存儲芯片領(lǐng)域競爭，加速HBM技術(shù)迭代進程。

HBM（高帶寬內(nèi)存）是AI加速器、高端顯卡的核心組件，其性能直接決定終端產(chǎn)品的運算速度和能效，隨著人工智能產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，市場對HBM的需求持續(xù)攀升，尤其是HBM4作為下一代產(chǎn)品，相比上一代HBM3，在帶寬、容量、功耗等方面均有顯著提升，可滿足高端AI模型訓練、大數(shù)據(jù)處理等場景的高性能需求。

據(jù)悉，英偉達預計將于3月在NVIDIA GTC2026大會上，首次展示搭載三星HBM4的Vera Rubin產(chǎn)品，該產(chǎn)品的推出將進一步鞏固英偉達在AI加速器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。此次三星率先實現(xiàn)HBM4量產(chǎn)并確定交付時間表，使其在與SK海力士等競爭對手的角逐中占據(jù)先機，進一步擴大在存儲芯片市場的優(yōu)勢。

近年來，全球存儲芯片行業(yè)競爭日趨激烈，各大企業(yè)紛紛加大HBM技術(shù)研發(fā)投入，爭奪AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展紅利。此前，SK海力士、美光等企業(yè)均宣布推進HBM4研發(fā)，但尚未實現(xiàn)量產(chǎn)落地。三星憑借在內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累和產(chǎn)能優(yōu)勢，率先突破HBM4量產(chǎn)技術(shù)瓶頸，完成產(chǎn)能布局，預計將在未來幾個月占據(jù)全球HBM4市場的主要份額。

業(yè)內(nèi)分析人士指出，HBM4的量產(chǎn)和交付，將直接影響全球AI產(chǎn)業(yè)鏈布局。作為AI加速器的關(guān)鍵組件，HBM4的供應能力不僅決定英偉達等芯片制造商的產(chǎn)品發(fā)布節(jié)奏和性能表現(xiàn)，也將影響全球AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度。隨著三星HBM4量產(chǎn)落地，存儲芯片行業(yè)將進入技術(shù)迭代加速期，行業(yè)集中度有望進一步提升。