21世紀經濟報道記者鄧浩 孫燕
萬萬沒想到,在2025年年終,“手機漲價潮”竟然成為了一個百度詞條。
“本來打算換的,現在看起來要等等了。”一邊,是消費者在各類平臺上的“吐槽”。
“(漲價)目前看會持續(xù)很久,至少以年記,甚至一年半、兩年。”另一邊,有業(yè)內人士公開發(fā)聲。
摩爾定律認為,消費電子產品性能大約每兩年翻一倍,與之對應,價格會下降為之前的一半。當下的手機售價卻開始反向變化。到底發(fā)生了什么?
消費電子“被迫”漲價
12月25日,小米17 Ultra正式發(fā)布,起售價為6999元,較上代機型漲了500元。
不過,早在這之前,小米集團合伙人盧偉冰就在微博預告了漲價,“小米17 Ultra處理器/相機/內存三大件成本上漲都非常大,漲價是確定的,但產品一定會物超所值。”
主要原因是內存供給缺口太大了。盧偉冰透露,“由于高性能計算和數據中心需求的猛增,以及擴產的滯后,造成這一輪內存成本上漲具有暴漲性和長周期性。像內存條等產品反應會更加迅速,也幾乎直接反應漲價幅度。其次手機/平板/筆記本等內存成本占比較高的產品,反應速度次之。”
實際上,不僅是小米被內存所困。今年第四季度以來,OPPO、vivo等主流廠商旗下的旗艦新機,相較于上一代,均有不同幅度上調價格的情況。
CIC灼識咨詢執(zhí)行董事陳一心對21世紀經濟報道記者分析稱,“LPDDR4X在原廠產線切換后,整體供應出現約15%-20%的缺口,尤其是6GB及以下的低容量產品供應十分緊張。并且,目前全球智能手機LPDDR5X滲透率已超50%,而LPDDR4X需求集中于中低端機,LPDDR4X供給緊縮推升價格,將推動手機產業(yè)加速導入LPDDR5X。”
值得注意的是,內存的供需矛盾,極有可能將持續(xù)相當長的一段時間。
比如,江波龍管理層在12月15日接受機構調研時就如是表示,“受過往周期影響,主要原廠維持審慎的產能擴張策略,若后續(xù)資本開支回升,受制于產能建設周期的滯后性,對2026年位元產出的增量貢獻也將較為有限。”
華鑫證券研究指出,隨著原廠的逐步停產,到2026年,LPDDR4在總的LPDDR供應中占比降至26%,LPDDR5的供應占比將快速提升至73%。由于手機需求疊加AI需求,LPDDR5的供給也會持續(xù)緊張,預計明年都會面臨供應緊缺和漲價問題。
AI服務器擠占內存產能
原本屬于手機、電腦的內存供應,正被AI服務器的產能一步步擠占。
四季度伊始,OpenAI在韓國首爾與三星電子及SK海力士分別簽署意向書,以推進其“星際之門”AI數據中心計劃。根據協(xié)議,SK海力士將主要負責提供核心的HBM;三星電子預估OpenAI的內存需求將高達每月90萬片DRAM晶圓,承諾利用其廣泛的高性能、高能效DRAM產品線來滿足需求。
“這是目前HBM行業(yè)產能的兩倍多。”SK海力士在新聞稿中表示,該公司將建立一個生產系統(tǒng),以迅速滿足OpenAI每月高達90萬DRAM晶圓的HBM需求。
OpenAI的巨額意向訂單如同一顆石子,在本就敏感的存儲市場,開始激起陣陣波瀾。
2025年年底,蘋果、微軟、谷歌、Meta 等全球科技大廠紛紛派遣采購高管赴韓,與三星電子、SK 海力士等頭部存儲芯片廠商洽談產能爭取事宜。
“頭部云服務商向存儲原廠拋出巨額采購訂單,加劇原廠將有限的產能向服務器存儲傾斜,非服務器市場面臨供應緊缺。”12月23日,德明利(001309.SZ)在特定對象調研時表示。
另一方面,以英偉達為代表的廠商決定在AI服務器中引入LPDDR5X模組,進一步擠占了高端產能。
今年3月,英偉達在GTC大會上正式宣布,其專為現代數據中心和高性能計算服務器打造的GB300 Grace Blackwell Ultra超級芯片,將全面采用模塊化的SOCAMM LPDDR5X內存。
在過去,服務器內存和手機內存是兩條平行線:服務器用DDR,手機用LPDDR,互不相擾。但現在,AI讓這兩條線交叉了。
羅蘭貝格汽車行業(yè)首席研究員陳春棟告訴21世紀經濟報道記者,英偉達選擇LPDDR5X核心基于三大訴求:一是能效優(yōu)勢,其功耗僅為傳統(tǒng)RDIMM的1/3,可降低AI服務器30%-40%的內存功耗占比,大幅削減運維成本;二是高密度集成,SOCAMM模塊體積縮減適配GB300架構的緊湊設計;三是性價比,相較HBM更契合AI推理場景需求。
陳一心指出,傳統(tǒng)DDR5內存每通道功耗約為LPDDR5X的1.8倍,大規(guī)模部署下電費成本差異巨大。SOCAMM技術在保持低功耗特性的同時,大幅提升了性能與帶寬,滿足了AI計算場景的嚴苛要求。
緊隨英偉達的轉向,美光、三星兩大原廠迅速跟進:美光率先宣布量產SOCAMM;三星電子已開發(fā)出專為AI數據中心設計的、基于LPDDR的服務器內存模塊“SOCAMM2”,并開始向客戶公司提供樣品。
“LPDDR傳統(tǒng)應用于手機、平板等移動終端,近年延伸至智能座艙、邊緣計算設備,預計未來AI服務器中的LPDDR需求仍會持續(xù)增長,與HBM形成‘高帶寬+高性價比’的異構存儲互補生態(tài)。”陳春棟也指出。
國產廠商補缺
供應端結構調整的劇烈程度也不遑多讓。
隨著上游原廠產線轉向高毛利的AI存儲,為國產DRAM廠商留出了歷史性的機遇,存儲器指數(8841241.WI)今年以來更是已漲超70%。
陳春棟預計,2026年標準DDR5/RDDR5供給缺口將達15%-20%,填補空白成為國產廠商的核心機會。
具體而言,從路徑看,標準DRAM技術門檻低于HBM,國內領先存儲廠商的DDR5已量產且性能對標國際主流;其次是成本結構優(yōu)勢,國產廠商無需承擔HBM巨額研發(fā)沉沒成本,可將資源集中于成熟制程優(yōu)化,在PC和服務器市場提供更具性價比的解決方案;最后是供應鏈安全紅利,在地緣政治風險下,本土廠商有強烈意愿培育第二供應商體系。
在DDR4等傳統(tǒng)市場,國產DRAM廠商也迎來難得的機會。如兆易創(chuàng)新在調研中透露,該公司DRAM產品中,今年DDR4產品的收入占比超過一半,前三季度收入占比持續(xù)上升。
而且,值得一提的是,在LPDDR5X等前沿市場,也有國產廠商躋身競爭行列。
11月23日,長鑫存儲展示了最新LPDDR5X,其最高速率達10667Mbps,最高顆粒容量為16Gb。
東吳證券指出,長鑫新品的速率、容量等關鍵性能指標均位居國際頂流梯隊,這意味著國產存儲新品已經進入全球高端玩家行列,可以跟國際大廠三星、海力士的同代產品正面競爭。
“海外原廠全力轉向HBM/DDR5高端市場,導致中低端DRAM出現供給缺口,但這部分市場的需求仍將長期存在,因此為國產替代提供了錯位競爭的機會。”陳一心判斷。
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