八年前,如果你拆開任何一臺電腦或手機(jī),里面的存儲芯片——無論是臨時存儲數(shù)據(jù)的DRAM,還是永久存儲文件的NAND閃存——幾乎百分之百來自國外。
2017年,中國在這些核心存儲芯片領(lǐng)域的產(chǎn)能是零,市場份額也是零。這是一個完全依賴進(jìn)口、被人“卡著脖子”的領(lǐng)域。
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但八年時間,能改變什么?
今天,局面已經(jīng)悄然不同。在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域,中國的長鑫存儲擠進(jìn)了全球前四,排在三巨頭三星、SK海力士和美光之后。
在NAND閃存領(lǐng)域,長江存儲位列全球第五,緊隨三星、SK海力士、美光和鎧俠。從零到躋身全球主要玩家行列,這條路中國企業(yè)走了八年。
當(dāng)然,實事求是地說,無論是產(chǎn)能規(guī)模還是最頂尖的技術(shù),中國企業(yè)與前面幾位“老大哥”相比,仍有差距。這沒什么好避諱的,半導(dǎo)體行業(yè)是資金、人才、技術(shù)密集的超級馬拉松,領(lǐng)先者積累了數(shù)十年。但關(guān)鍵的變化在于,差距正在被肉眼可見地拉近。中國公司沒有停下,他們一直在埋頭研發(fā),一納米一納米地追趕。
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最近的一個新動向,更是讓行業(yè)嗅到了變天的味道:長江存儲正式殺入了一個叫做“HBF”的新戰(zhàn)場,直接叫板三星和美光。
很多人聽說過HBM,那是給AI芯片用的高性能內(nèi)存,風(fēng)頭正勁。但HBF是什么?簡單打個比方:如果把HBM理解成AI超算里“速度極快的工作臺”(臨時處理數(shù)據(jù)),那么HBF就是為它配套的“超大、超快的材料柜”(存儲數(shù)據(jù))。
它是一種具有低延遲、高帶寬特點(diǎn)的高性能NAND閃存,可以看作是未來AI數(shù)據(jù)存儲的“超級硬盤”。
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長江存儲為什么敢碰這個高技術(shù)門檻的領(lǐng)域?因為它手里有“王牌”——晶棧Xtacking架構(gòu)。
這種架構(gòu)本質(zhì)是一種先進(jìn)的芯片堆疊和混合鍵合技術(shù),巧了,這正是制造HBF芯片所需的核心技術(shù)之一。
長江存儲在這方面積累了大量的專利,實力強(qiáng)到連三星、SK海力士這樣的巨頭,在某些環(huán)節(jié)都需要獲得它的專利許可。如今,他們正是要拿著自己的優(yōu)勢技術(shù),去一個全新的增量市場里搶跑道。
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AI的狂飆突進(jìn),催生了對HBM和HBF這類高性能存儲的海量需求。市場正處于爆發(fā)前夜,大家都在同一起跑線研發(fā),誰先量產(chǎn),誰就能制定規(guī)則、占領(lǐng)市場。
這就像前幾年的HBM競賽,SK海力士因為押注早、跑得快,一舉超越了三星,成為霸主。現(xiàn)在,在HBF這個新賽道上,類似的歷史機(jī)遇窗口再次打開。
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長江存儲的入局,意味著中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)不再滿足于在傳統(tǒng)領(lǐng)域追趕,而是開始利用自身的技術(shù)特色,在面向未來的前沿領(lǐng)域與巨頭們“掰手腕”。
接下來的HBF之爭,是一場關(guān)鍵考驗。它未必能立刻決定全球存儲格局,但它無疑在證明一件事:那個曾經(jīng)在存儲芯片版圖上空白的區(qū)域,已經(jīng)有了不容忽視的聲音和力量。
這場沉默的戰(zhàn)爭,還在繼續(xù)。好戲,才剛剛開始。
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