HBM再漲價，存儲告急！

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今天，Maingear 首席執行官 Wallace Santos 在與媒體的電話會議上表示：“就目前我們看到的內存短缺情況而言，起初我基本上被告知這只是兩到五個月的問題，生產線正在逐步恢復，一切都會好起來的”。

“作為一家原始設備制造商的老板，我做好了準備，我們在沒有庫存的情況下盡一切努力，做好了準備。但根據我們目前掌握的情況來看，內存短缺問題將持續數年。”Santos接著說。

尤其是在韓媒報道HBM將漲價之后，存儲的情況持續告急。

HBM3E價格，上漲約20%

據韓媒報道，隨著英偉達預計將開始正式向中國出口搭載第五代高帶寬內存（HBM）HBM3E的H200人工智能（AI）芯片，三星電子和SK海力士等內存半導體公司已提高了明年HBM3E的供應價格。包括英偉達、谷歌和亞馬遜在內的眾多自主研發AI加速器的公司紛紛下單，訂單量激增。

“此次價格上漲還受到內存半導體公司集中精力擴大第六代HBM（HBM4）產能的影響，預計明年HBM4的需求將大幅增長，導致這些公司產能有限，難以滿足HBM3E的需求。”韓媒接著說。

業內人士24日透露，包括三星電子和SK海力士在內的多家存儲半導體公司已將HBM3E的供貨價格上調了近20%。分析師表示，鑒于HBM3E價格通常在下一代產品發布前會下降，此次上調價格實屬罕見。普遍認為，谷歌和亞馬遜等公司上調了明年HBM3E的訂單量，而英偉達（此前是HBM3E的最大客戶）也參與了此次價格上漲。谷歌和亞馬遜均自行設計人工智能加速器。

一位業內人士表示：“今年HBM3E確立了其在HBM市場的主導地位，但預計明年HBM4市場開放后價格會有所回落。”他同時指出：“然而，隨著除英偉達以外的全球大型科技公司明年發布搭載HBM3E的AI加速器，對HBM3E的需求持續增長。從存儲器半導體公司的角度來看，他們不能放棄擴大HBM4產能，因此供應無法滿足需求，導致價格溢價約20%。”

隨著英偉達H200 AI芯片獲準出口中國，HBM3E的需求似乎超出了預期。英偉達H200芯片每片搭載六個HBM3E顯存單元。路透社22日（當地時間）報道稱，“英偉達計劃利用現有庫存處理首批訂單，預計總出貨量為5000至10000個芯片模塊（約40000至80000片H200芯片）”，并補充道，“英偉達已告知中國客戶其擴大芯片產能的計劃，預計將于明年第二季度開始接受相關新訂單。”

谷歌和亞馬遜等全球大型科技公司也需要HBM3E。這是因為谷歌的TPU（張量處理單元）和亞馬遜的Trainium都配備了HBM3E，并將于明年開始出貨。與上一代產品相比，這兩款產品的HBM容量都將提升近20%至30%。據悉，谷歌第七代TPU每個設備可搭載8個HBM3E單元，而亞馬遜的Trainium3則可搭載4個HBM3E單元。

由于三星電子和SK海力士預計將專注于生產下一代HBM4，HBM3E的需求已超過供應。KB證券分析師金東元表示：“預計明年HBM4將占HBM市場收入的55%，HBM3E占45%，并且從明年第三季度開始，HBM4預計將迅速吸收HBM3E的需求。”

隨著HBM需求激增，以及DRAM等主流產品價格持續上漲，市場對三星電子和SK海力士明年盈利的預期也隨之上調。據金融數據公司FnGuide的數據顯示，三星電子將明年全年營業利潤預期從一個月前的76.6544萬億韓元上調至85.4387萬億韓元，SK海力士同期營業利潤預期也從71.4037萬億韓元上調至76.1434萬億韓元。

HBM的高需求，讓從業者成為了其中大贏家。

存儲三巨頭，掙翻了

這波HBM熱潮，讓美光首先上演了逆襲好戲。市場對內存的高需求推動美光科技股價上漲，預計到 2025 年將上漲 168%。

美光是為人工智能應用提供高帶寬內存的三家公司之一。例如， AMD大量使用美光的內存。

的最新人工智能芯片。

美光科技表示，截至11月27日的季度，公司營收為136.4億美元，同比增長56.6%，高于上一季度46%的增速，主要得益于人工智能的蓬勃發展推動了市場需求的增長。按美國通用會計準則（GAAP）計算，公司利潤為52.4億美元，同比增長231%。利潤率從上一季度的28.3%上升至本季度的38.4%。

總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra 表示：“在第一財季，美光公司在公司層面以及各個業務部門都實現了創紀錄的收入和顯著的利潤率增長。”

為此，美光計劃最大限度地提高其晶圓廠的產能，通過提升高密度工藝節點的產量并投資新建潔凈室空間來提高產能。具體而言，需要額外的潔凈室空間來滿足不斷增長的HBM需求，但不同地區的潔凈室建設周期都在延長。

“我們正在調整愛達荷州第一座晶圓廠的建設時間表，現在預計將于 2027 年年中實現首批晶圓產出，比我們之前預期的 2027 年下半年要早。今年早些時候，我們宣布了在愛達荷州建設第二座晶圓廠的計劃，該晶圓廠將于 2026 年開始建設，并于 2028 年底投入運營。

“我們計劃于 2026 年初在紐約破土動工興建我們的第一座晶圓廠，預計該晶圓廠將在 2030 年及以后提供供應……在新加坡，我們的 HBM 先進封裝工廠正按計劃推進，預計將于 2027 年為我們的 HBM 供應做出重大貢獻。”

2026 年的內存產能已售罄，包括 HBM4。美光預測，到 2028 年，HBM 市場規模將以約 40% 的復合年增長率增長，從 2025 年的約 350 億美元增長到 2028 年的約 1000 億美元。這一 2028 年 HBM 市場規模預測值將超過 2024 年整個 DRAM 市場的規模。

美光認為，它正處于歷史上最佳的競爭地位，并且是半導體行業人工智能領域最大的推動者之一。

除了美光以外，韓國雙雄的表現也尤為亮眼。

過去三個月，包括三星電子和SK海力士在內的國內主要半導體公司的盈利前景顯著改善。隨著預期增強，投資者也越來越關注近期股價上漲趨勢能否持續。

據財經信息公司FnGuide 24日發布的數據顯示，截至22日，三星電子今年的年度營業利潤預期（市場平均預測值）為39.1491萬億韓元，較三個月前的預測值（30.1454萬億韓元）增長30%。同期，SK海力士今年的營業利潤預期也上調了12%，從38.2883萬億韓元增至42.7712萬億韓元。

明年業績預期上調幅度更大。三星電子明年的年度營業利潤預期普遍上調至85.4387萬億韓元，較三個月前的44.1092萬億韓元飆升94%。市場甚至預期其營業利潤可能超過100萬億韓元。在各證券公司中，韓亞證券給出的預期最高，預測三星電子明年的營業利潤將達到112.8194萬億韓元。

SK海力士明年的營業利潤預期在三個月內也上調了66%，從45.9060萬億韓元增至76.1434萬億韓元。iM證券則預測SK海力士明年的營業利潤將達到93.8430萬億韓元，是韓國國內證券公司中預測值最高的。

證券公司指出，DRAM價格上漲以及人工智能需求增長推動HBM（高帶寬內存）出貨量增加，是明年業績提升的關鍵因素。韓亞證券研究員金祿浩表示：“近期內存價格上漲趨勢持續擴大，美國半導體公司美光對明年第一季度內存價格的預期很可能也會上調。”他還補充道：“三星電子和SK海力士的業績預期仍有上調空間。”

未來資產證券研究員金永坤評估道：“預計今年全球大型科技公司的設備投資將達到4600億美元，明年將擴大至6000億美元。”他補充說：“在2016年至2022年第一個投資周期中引入的服務器更新周期很可能即將真正開始，這也是一個積極因素。”

也正因如此，讓全球有了一個新隱憂，那就是大家都把目光盯向了HBM，讓PC和移動設備等面臨挑戰。例如本月初，美光就表示，將停止直接向消費者銷售內存和其他零部件，以保障人工智能芯片和數據中心的供應。

其他存儲買家，難上加難

咨詢機構IDC之言，內存市場正處于前所未有的拐點，需求遠超供應。在他們看來，對于一個長期以來以繁榮與蕭條周期為特征的行業來說，這次的情況有所不同。

人工智能基礎設施和工作負載的快速擴張給內存生態系統帶來了巨大壓力。這些人工智能工作負載需要大量的內存，而造成內存短缺的部分原因是，制造商將產能從消費電子產品轉向了利潤豐厚的內存解決方案，以支持人工智能的發展。

“主要的內存制造商并沒有擴大智能手機、個人電腦和其他消費電子產品中使用的傳統DRAM和NAND的產能，而是將生產轉向了人工智能數據中心使用的內存，例如高帶寬內存（HBM）和高容量DDR5。這限制了通用內存模塊的供應，并推高了所有內存模塊的價格。 ”IDC進一步指出。

IDC表示，人工智能服務器和企業環境所需的單系統內存遠高于消費級設備，因此人工智能的部署占用了全球不成比例的內存資源，導致內存短缺，因為供應商優先滿足超大規模數據中心和用于構建人工智能服務器的原始設備制造商 (OEM) 的訂單。這種動態導致可供消費級設備使用的 DRAM 減少，加劇了本已緊張的市場價格壓力。

然而，這并非僅僅是供需不匹配導致的周期性短缺，而是全球硅晶圓產能可能永久性的戰略性重新分配。

IDC指出，幾十年來，智能手機和個人電腦的DRAM和NAND閃存生產一直是硅晶圓產能的主要驅動力。如今，這種格局已然逆轉。微軟、谷歌、Meta和亞馬遜等超大規模數據中心對HBM的巨大需求，迫使三大內存制造商（三星電子、SK海力士和美光科技）將有限的潔凈室空間和資本支出轉向利潤更高的企業級組件。

“這是一場零和博弈：分配給英偉達GPU的HBM堆疊的每一片晶圓，就意味著中端智能手機的LPDDR5X內存模塊或消費級筆記本電腦的固態硬盤（SSD）缺少一片晶圓。”IDC強調。因此，IDC 預計 2026 年 DRAM 和 NAND 的供應增長將低于歷史平均水平，同比分別增長 16% 和 17%。

在IDC看來，這種供需失衡的結果是雙重的：近幾個月來，DRAM 和 NAND/SSD 的價格大幅上漲，而這些組件的供應有限，迫使設備制造商應對瞬息萬變的局面。

他們認為，2026年，全球智能手機市場，尤其是安卓手機制造商，將面臨威脅。過去十年，智能手機行業通過將旗艦功能引入價格親民的智能手機來普及配置的趨勢正在發生逆轉。

智能手機的成本結構很大程度上取決于所使用的內存。對于中端機型而言，內存成本可能占到物料清單總成本的15%到20%，而對于高端旗艦機型，這一比例約為10%到15%。隨著內存價格持續飆升，OEM廠商可能不得不大幅提價、降低配置，或者兩者兼而有之。

短缺的影響極不對稱，在供應鏈韌性和垂直整合方面造成了贏家和輸家。

主要面向低端市場的制造商可能會遭受重創。像TCL、傳音、Realme、小米、聯想、OPPO、vivo、榮耀和華為等廠商的商業模式都建立在微薄利潤之上。成本上漲將大幅擠壓它們的利潤空間，它們別無選擇，只能將成本（或部分成本）轉嫁給最終用戶。

在高端市場，蘋果和三星雖然面臨壓力，但其結構性優勢使其能夠提前12-24個月鎖定內存供應。另一方面，2026年的新款旗艦機型可能不會升級內存，Pro機型仍將保持12GB的配置，而非提升至16GB。此外，現有機型在新機型發布后不太可能出現價格大幅下降的情況。

存儲邏輯，變了

彭博社在一篇文章中指出，通常，存儲芯片行業最令人擔憂的時期就是這個時候。高速增長、巨額利潤以及對未來一片光明前景的預測，往往是災難的預兆。

兩種芯片——用于存儲信息的NAND閃存和為英偉達和英特爾等公司的復雜處理器提供運行環境以進行計算的DRAM芯片——在計算機領域至關重要，從最大的數據中心到我們離不開的智能手機，無所不包。它們甚至已經滲透到汽車和家用電子產品中。

然而，盡管這些芯片不可或缺，但其制造商長期以來一直面臨著供過于求或供過于求的循環。一家公司的芯片可以直接替代另一家公司的芯片，這使得它們成為了一種大宗商品。再加上短期需求的快速波動以及建造工廠所需的大量時間和成本，就形成了供過于求的局面，導致價格暴跌至生產成本以下。

由于其他廠商都認為內存芯片市場競爭過于激烈，難以生存，因此目前只有四家主要的內存芯片制造商。眾所周知，就連現代內存產業的締造者英特爾，以及目前領先的芯片生產中心——臺灣的企業，也都已放棄。

盡管如此，如果你對內存行業的了解僅限于近幾年，那么內存行業如今已成為炙手可熱的領域。SK海力士和美光科技的營收和市值均創歷史新高，華爾街預測，它們的增長勢頭還將在此基礎上進一步加速。專注于NAND閃存的日本鎧俠控股公司，自2024年12月上市以來，股價已上漲超過六倍。就連曾經歷過技術波折的三星電子，也在2025年實現了快速反彈。

那么，究竟是什么改變了這一切？

芯片制造商認為，人工智能計算領域巨額支出的激增帶來了復利效應。人工智能軟件需要海量數據。這催生了前所未有的需求。人工智能需要盡快訪問這些數據，這就需要配備高速接口的芯片，而這些芯片價格昂貴。由于這些芯片制造難度高，占用了大量的生產線空間，進而限制了可用于手機和筆記本電腦的內存容量。

盡管美光科技（Micron）的股價今年已上漲超過兩倍，仍有約88%的分析師建議買入其股票。韓國SK海力士（SK Hynix）的股票更受青睞，這主要得益于分析師的推薦。兩家公司都對近期前景充滿信心，外部預測也印證了這種樂觀情緒。如今，它們的凈利潤總額已超過不久前的營收水平。從財務角度來看，它們的實力也達到了前所未有的高度。

那么，在這片光明的前景背后，究竟隱藏著怎樣的冰山呢？人工智能泡沫破裂的陰影籠罩著整個科技行業，而不僅僅是內存行業。更具體地說，盡管技術進步的獨特融合創造了有利的環境，但還有一個潛在趨勢加劇了SK海力士和美國美光科技的命運轉變。

自上世紀90年代以來一直主導行業的三星，在滿足人工智能設備制造商（尤其是英偉達）的需求方面反應遲緩。技術問題意味著其慣用的策略不再奏效。在以往的周期中，這家韓國公司會利用其雄厚的財力迅速提高產量。但這一次，供應方面并未出現從短缺到豐收的轉變，這意味著價格居高不下。

考慮到從零開始建設一座工廠通常需要一年以上的時間才能投產，除非人工智能需求崩潰，否則2026年不太可能出現內存芯片過剩的情況。但任何指望SK海力士和美光科技持續增長和盈利的人都應該密切關注三星的技術進展。

彭博分析師認為，這次情況跟以往不同，我不應該再以歷史為鑒，但值得注意的是，就在2023年，SK海力士和美光兩家公司合計凈虧損超過100億美元。在這個行業，形勢瞬息萬變。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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