國產(chǎn)EUV光刻機，別被日本1.4nm的“光刻機”技術帶偏了！

光刻機，這四個字一出來，估計很多網(wǎng)友的血壓就要往上飆了。

沒辦法，國產(chǎn)光刻機和世界頂尖水平的差距實在讓人著急，行內(nèi)人都說，這差距至少有十年，甚至可能更大。

更要命的是，美國還死死卡住高端光刻機不放，像EUV光刻機和高端浸潤式DUV光刻機，ASML想賣給中國？門都沒有。這么做的目的很明確，就是不想讓中國的芯片制造產(chǎn)業(yè)追上來。

沒有EUV光刻機，7納米以下的先進制程幾乎就是空中樓閣。有人說，用浸潤式DUV光刻機也能勉強做，可現(xiàn)實是，我們連高端浸潤式DUV都拿不到。

ASML賣給我們的設備，據(jù)他們自己說，是落后了8代的貨色，相當于2013年的水平。用這種老古董去挑戰(zhàn)先進制程，就算勉強能做，良率能高嗎？所以，研發(fā)出我們自己的EUV光刻機，是整個行業(yè)憋著的一股勁。

就在大家為EUV發(fā)愁的時候，有媒體報道說日本DNP公司研發(fā)出了線寬10納米的NIL納米壓印機。

消息一出，很多網(wǎng)友更郁悶了，甚至有點慌。因為有人解讀，說這種納米壓印機能制造出1.4納米的芯片，比ASML現(xiàn)在的EUV還先進。于是，網(wǎng)上出現(xiàn)一種聲音：為什么我們不能學學日本，繞開EUV這條老路，直接搞納米壓印技術實現(xiàn)彎道超車？

這種想法可以理解，但咱們得冷靜下來好好分析一下。我們確實可以研究NIL技術，但絕不能把整個芯片產(chǎn)業(yè)的希望都押在這上面，EUV的研發(fā)才是主心骨，一點都不能動搖。

為什么這么說？首先得搞清楚NIL技術是怎么回事。簡單來說，它就像一個極其精密的印刷術：先雕刻出一塊和芯片電路圖完全一致的“印章”，然后把這塊印章壓到硅晶圓上，圖案就印上去了。聽著挺巧妙，但問題也出在這個“壓”字上。

第一，它的效率太低了。一臺NIL設備的生產(chǎn)效率，可能連一臺EUV光刻機的百分之一都不到。芯片制造講究規(guī)模效應，動不動就要月產(chǎn)幾萬片、幾十萬片，用NIL這種慢工出細活的方式，根本沒法滿足大規(guī)模量產(chǎn)的需求。

第二，這個“印章”本身就難造得離譜。要雕刻的電路圖案，精度要求和芯片本身是1:1的，一點都不能差。芯片越復雜，這個“印章”就越難造，甚至根本造不出來。

而且，如果芯片需要做很多層電路，就意味著要雕刻很多個不同的“印章”，每壓一層就得換一個，還要保證層層對準精準，這在技術上是巨大的挑戰(zhàn)。更麻煩的是，這個精貴的“印章”壓不了幾次，據(jù)說壓個幾十次就得報廢，得重新雕，這成本和時間都耗不起。

所以，NIL技術本質(zhì)上只適合做那些電路特別簡單、要求不高的芯片。復雜的邏輯芯片，比如手機、電腦CPU這類需要多層精密電路的，NIL基本沒戲。它也無法支撐起整個芯片產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模制造。這就是為什么佳能等公司很早就掌握了NIL技術，但市場上卻沒什么人買單的原因——它解決不了主流需求。

值得一提的是，國內(nèi)在NIL技術上其實也有進展。之前璞璘科技就宣布，他們的PL-SR系列噴墨步進式納米壓印設備已經(jīng)交付客戶，線寬小于10納米，已經(jīng)是量產(chǎn)設備了。這個線寬水平其實和日本DNP宣布的成果在同一數(shù)量級。但奇怪的是，國內(nèi)的突破好像沒什么人關注，反而是日本的消息被炒得火熱。這確實有點讓人摸不著頭腦。

說到底，納米壓印技術可以作為一種輔助技術去探索，但我們絕對不能因為它宣稱能達到某個理論上的高精度，就以為找到了替代EUV的捷徑。EUV光刻機是實現(xiàn)大規(guī)模、復雜芯片制造的基石，這個地位目前沒有任何技術能夠取代。我們必須保持清醒，集中力量攻克EUV這個堡壘，這才是中國芯片產(chǎn)業(yè)走向獨立自主的硬道理。