本土化浪潮席卷全球，2025年新建/升級170座半導體廠！

2025年，全球半導體制造、材料、封裝、設計及研發領域的本土化布局持續推進，各大半導體企業官宣了大批產業設施建設計劃。

相關投資來源包括產業界和政府，各方機構攜手攻克當下的技術難題，其中包括人工智能（AI）芯片、先進存儲器的需求激增，以及機器人、自動駕駛汽車等復雜應用的技術挑戰。除了滲透各領域的AI外，光子學、碳化硅（SiC）、功率芯片也是2025年度的投資熱點。

本文梳理了2025年全球芯片行業超170項值得關注的晶圓廠及產業設施投資、升級動態，以供大家參考。

全球半導體本土化布局重點資訊與進展

以下是2025年全球官宣的新設施/晶圓廠投資與升級項目，按企業/機構名稱首字母排序：

亞洲地區：

臺積電（TSMC）在中國臺灣地區新增六座晶圓廠和先進封裝廠以擴大產能，并在全球多地也有布局；日月光集團（ASE）則斥資5.786億美元，在高雄市新建一座先進封裝廠。

ASM投資1.64億美元在韓國建設新基地；SK海力士在龍仁半導體集群的總投資規模或達600萬億韓元（約合4070億美元）。

美光（Micron）在日本政府支持下，興建一座先進存儲器晶圓廠；Rapidus（日本高端芯片制造公司）在其北海道新晶圓廠成功試產2nm GAA測試芯片；臺積電則繼續推進熊本先進制程晶圓廠的建設工作。

繼2024年官宣首批晶圓廠項目后，印度半導體計劃再度批準四座新晶圓廠建設計劃，其中包括SicSem在奧里薩邦落地的晶圓廠項目。

歐洲地區：

2025年初，歐盟啟動《芯片法案》框架下的5條試點生產線，研發方向涵蓋2nm制程、先進封裝、光子學等。

《芯片法案》資助的捷克半導體中心正式投用；歐盟還批準了4.5億歐元資金，支持安森美（onsemi）在捷克建設碳化硅功率器件晶圓廠。

艾邁斯歐司朗（AMS OSRAM）獲得《芯片法案》資金，用于在奧地利建設晶圓廠。

德國政府確認為英飛凌（Infineon）在德累斯頓的晶圓廠擴產項目提供10億歐元財政支持，該擴產項目總投資50億歐元；并為格羅方德（GlobalFoundries）在德累斯頓的11億歐元晶圓廠擴建計劃注資4.95億歐元。

比利時微電子研究中心（IMEC）在德國海爾布隆開設汽車Chiplet（芯粒）中心，該中心是旨在實現汽車高性能計算異質集成的歐盟“芯片聯合伙伴關系”（CHIPS JU）的核心合作伙伴。

IMEC與德國巴登-符騰堡州政府聯合推出先進芯片設計加速器計劃，該州政府還承諾為弗勞恩霍夫協會牽頭的Chiplet應用中心提供支持。

IMEC與荷蘭應用科學研究組織在荷蘭開設光子學中心；布魯塞爾也落地了一座由歐盟資助的光子學中心。

美洲地區：

在美國，臺積電追加投資1000億美元；蘋果投資5000億美元；格羅方德投資160億美元。

美光在美國晶圓廠投資再增300億美元（基于此前投資之上），將在愛達荷州新建第二座存儲器晶圓廠、擴建弗吉尼亞州晶圓廠，并繼續推進紐約州的1000億美元超級晶圓廠建設。

德州儀器（TI）位于得克薩斯州謝爾曼市的全新300毫米先進晶圓廠正式投產，作為其600億美元投資計劃的一部分，后續還將有多座晶圓廠陸續落地。

加拿大硅光子公司Ranovus向加拿大安大略省投資1億美元，用于擴大其在渥太華的光學器件晶圓廠。

與此同時，在波動且快速變化的市場環境中，企業的投資布局也面臨諸多不確定性。例如：

恩智浦半導體公司（NXP）計劃于2027年關閉其位于美國亞利桑那州錢德勒市的氮化鎵器件工廠。

格羅方德與意法半導體（STMicro）在法國克羅勒的合資晶圓廠項目已停滯。

Wolfspeed于2024年取消了在德國薩爾州建設晶圓廠的計劃。

閃迪（SanDisk）叫停了擬在密歇根州弗林特市投建的550億美元晶圓廠項目。

高塔半導體（Tower Semiconductor）在印度100億美元的項目宣告擱置。

英特爾（Intel）在美國俄亥俄州的晶圓廠項目進度進一步放緩，其在德國馬格德堡和波蘭的晶圓廠項目則直接取消。

美國《芯片法案》：變數與曙光并存

繼2024年拜登政府任內公布一系列《芯片法案》相關公告后，特朗普政府在美國商務部內設立了“投資加速器”，以監督正在進行的《芯片法案》談判，并廢除了與Natcast公司74億美元的合同，改由美國國家標準與技術研究院擔任新運營商。

一個日益增長的趨勢是，美國政府開始協商包含持股條款的協議。例如：美國政府在英特爾持有10%股份；美國國防部與MP Materials簽署供應協議后，成為該公司最大股東；美國商務部以1.5億美元擬議的《芯片法案》資金，換取xLight公司價值1.5億美元的股權；美國國防部為Vulcan Elements提供了6.2億美元直接貸款，商務部還為其提供了5000萬美元聯邦激勵資金，后者將因此獲得該公司5000萬美元股權。

也有部分機構與企業未能獲得相關支持：美國國家標準與技術研究院（NIST）終止了其對位于北卡羅來納州達勒姆市的SMART USA研究所2.85億美元的資助；密歇根州政府委員會叫停了對Hemlock Semiconductor超高純多晶硅晶圓廠的4000萬美元資助，但聯邦政府承諾的3.25億美元資助尚無最新消息。

國際半導體產業協會（SEMI）總裁兼CEO阿吉特·馬諾查（Ajit Manocha）表示：“我不確定美國政府將走向何方。很多事情仍是未知數，我希望政府能與產業界達成契合的共識，因為各方對于《芯片法案》的保留與剔除條款仍存在諸多爭議。令人擔憂的是，全球其他國家/地區正以更積極、更務實的態度推進本土芯片法案落地，比如歐盟在《芯片法案2.0》上的動作就十分迅速。”

盡管已有進展，但美國不能止步于《芯片法案1.0》。馬諾查說：“我們必須推行多版本《芯片法案》，因為美國此前將大部分制造產能轉移至亞洲國家/地區，如今雙方的差距已然巨大。這個差距大約是數千億美元，也許是10到20年。《芯片法案1.0》僅提供500億美元資金。這還不夠，但這是個好的開始。”

其他人保持謹慎樂觀的態度。半導體研究公司（SRC）高級副總裁大衛·亨歇爾（David Henshall）表示：“多年來，美國首次有望實現先進邏輯芯片、先進存儲器技術及先進封裝的規模化本土量產。”

受此提振，半導體設備供應商、設計企業及電子設計自動化（EDA）龍頭企業紛紛與垂直整合器件制造商（IDM）、晶圓代工廠攜手，重拾協同研發的熱情。亨歇爾說：“今年投向協同研發的資源大幅增加，遠超往年，這讓我們倍感振奮。這一勢頭主要由AI驅動的市場增長帶動，先進封裝、光子學、電源傳輸與管理、量子技術等領域的技術突破也因此加速。新增的研發資源正不斷強化邏輯、存儲器及模擬相關技術的研發力度。”

為此，SRC發布了其《微電子與先進封裝技術路線圖2.0》。亨歇爾觀察到2025年三個領域的顯著增長：3D異構集成、半導體制造數字孿生以及教育與勞動力發展資源。

然而，亨歇爾擔心美國可能失去在基礎研究領域的領導地位。他說：“傳統上資助早期探索和路徑尋找研究的組織正越來越多地將資源轉向近期開發和部署。隨著早期研究減少，創新管道有枯竭的風險，從而減緩國內技術進步，并為與美國利益不一致的國家/地區創造追趕甚至超越美國技術領導地位的機會。結果將是就業崗位流失，使美國本土產業的關鍵供應受制于他國。”

對早期研究支持減少，限制了美國科學家和工程師的機會。亨歇爾表示：“這迫使許多人遠赴海外發展，實際上加速了其他國家/地區的崛起。除非迅速扭轉這一趨勢，否則美國有失去競爭優勢的風險。”

各區域發展態勢

少數半導體公司在某些國家/地區繼續主導市場，例如臺積電的先進芯片制造、韓國企業的先進存儲器研發。但包括英特爾在內的其他玩家也在加速突圍。

西門子數字化工業軟件公司半導體行業副總裁邁克爾·芒西（Michael Munsey）說：“要知道，還有其他非美國公司正在美國建廠。英特爾需要先解決自身的一系列問題，才能推進更多晶圓廠的建設。但臺積電將繼續在美國投資，SK海力士也正在印第安納州建廠，未來在美國建設的晶圓廠數量還會持續增加。中國大陸和印度可能是我目前看到晶圓廠建設最密集的兩個地區，東南亞的建設規模暫不及印度。印度和中國大陸在土地和資源方面具有先天優勢。即使在歐洲，雖然力度稍弱，本土化的意愿和建廠的行動也沒有改變。”

人才儲備是亞洲地區的另一大優勢。例如，美國的Mixel公司選擇在越南開設新分支機構以吸納混合信號設計人才。Mixel創始人阿什拉夫·塔克拉（Ashraf Takla）表示：“這完全是為了與具有相關專業知識的合適人才庫建立聯系。這正是我們在越南中部沿海城市峴港所尋找的，這座城市正逐漸成為高科技與半導體產業中心。尋找和培養混合信號人才比單獨的模擬或數字更具挑戰性，因為從業者需要同時具備兩大領域的深厚經驗。”

其他人也認同印度和東南亞已成為全球半導體產業的重要參與者。Brewer Science首席技術官拉瑪·普利加達（Rama Puligadda）表示：“這些地區在芯片封裝和先進制程研發領域的實力尤為突出。德國持續鞏固其在汽車半導體和特種材料領域的地位，而這些地區則推動全球供應鏈向分布式發展，這與我們打造彈性合作伙伴關系的理念高度契合。”

Brewer Science選擇在亞利桑那州建立一個聚焦半導體應用先進材料研發的創新中心，重點攻關支持極紫外（EUV）光刻、晶圓鍵合和下一代封裝的化學材料。普利加達說：“2025年最大的驚喜之一是像亞利桑那州這樣的區域中心擴展其能力的速度。行業、高校與政府之間的合作水平超出了預期，創新周期也因此大幅縮短。”

材料領域的隱憂與突破

Brewer Science預計，可持續材料與工藝集成領域將迎來技術突破，助力半導體行業在實現性能目標的同時，兼顧環境責任。但稀土材料的供應問題，仍是整個行業的戰略性擔憂。

普利加達指出：“全球稀土需求持續攀升，地緣政治因素也讓供應鏈多元化的需求愈發迫切。我們認為，美國可通過兩大方式降低風險—— 開發本土稀土資源，以及與盟友強化關鍵材料領域的合作。”

仿生聚合物、用于增材制造的功能性聚合物，以及能夠實現下一代光刻和封裝技術的先進高分子結構等新興材料，預計將迎來快速發展。普利加達表示：“我們與亞利桑那州立大學Long研究小組的合作專注于這些領域——特別是兼具高性能和可持續性的聚合物。預計未來會發現更多兼具電子性能與環保屬性的新材料。”

SEMI的馬諾查也認同，材料和環境是《芯片法案2.0》應解決的關鍵問題。他說：“美國需要立足全局——不僅關注晶圓廠建設，還應支持材料企業、設備企業的技術創新與產業實踐。我最擔憂的是材料領域的研發現狀，目前半導體行業正面臨嚴重的能源危機。如果你看看該行業在集成電路（IC）收入方面的增長情況，2030年將突破1萬億美元，2040年甚至可能超過2萬億美元。這一增長由AI和量子技術驅動，但兩大領域的發展都將消耗大量能源。”

AI基礎設施與電力挑戰

2025年的新聞頭條被數千億美元的數據中心建設和算力容量合作協議公告所主導。同樣，也有許多關于支撐這種增長所需海量資源的報道。

英飛凌安全互聯系統事業部總裁托馬斯·羅斯特克（Thomas Rosteck）說：“全球各地都在加緊建設數據中心，為AI提供算力支撐，這不禁讓人質疑，AI數據中心的電力消耗究竟達到了何種程度。目前其耗電量已占全球總耗電量的2%，且這一比例還將升至7%，這一數字觸目驚心——7%的耗電量相當于印度全國的用電需求，這樣的發展模式難以為繼。”

英飛凌的部分晶圓廠已實現全自動化運營，這類工廠面臨著獨特的電力挑戰。英飛凌電源與傳感器系統事業部總裁亞當·懷特（Adam White）說：“我們考察了一座大規模部署機器人的自有工廠，這座工廠采用‘黑燈工廠’設計理念。這意味著什么？除了極少數維護人員，工廠完全自動化。為了實現完全自動化，需要機器人在各設備間移動，完成晶圓、晶圓盒的轉運等工作。目前該廠的機器人均為輪式設計，我們曾向負責機器人安裝和調試的工程師詢問，為何不采用足式設計。對方表示，輪式機器人的電池續航可達6小時，而我們內部測試的足式機器人，最長續航僅3小時。”

與此同時，西門子宣布投資2.85億美元在得克薩斯州和加利福尼亞州建設兩座電力產品制造廠，助力工業AI革命背景下AI數據中心的電力供應，同時為商業、工業和建筑市場提供支撐。

芯片博弈：針鋒相對的出口管制

盡管2025年全球生態系統部分領域聯系更加緊密，但美國仍持續限制中國大陸獲取某些高性能AI芯片，而中國大陸則以稀土出口管制作為反制，管制的稀土材料均為半導體制造的關鍵原料。

但出口管制效果究竟如何？喬治敦大學（Georgetown University）安全與新興技術中心高級數據分析師雅各布·費爾德戈伊斯（Jacob Feldgoise）表示：“我認為，美國對AI芯片的出口管制，難以遏制中國大陸依托AI推進的現代化進程，但就大語言模型將對經濟產生變革性影響并推動生產力增長而言，中國大陸可能會因出口管制而在這些效益上受到限制。”

在高度全球化的供應鏈中，中國大陸和其他地區或許能實現部分制程芯片的本土制造，但難以覆蓋全制程。費爾德戈伊斯說：“未來幾年最值得關注的領域之一將是半導體制造設備，以及中國大陸企業在沉積、刻蝕設備，以及混合鍵合后端封裝設備領域的本土化能力建設。”

費爾德戈伊斯認為，中國大陸在ASML、尼康等企業主導的半導體制造設備領域的研發，大概率會呈現不均衡發展的態勢。費爾德戈伊斯表示：“我們研究了半導體制造設備各細分領域的市場份額。發現中國大陸企業在大多數主要設備品類中都取得了緩慢但穩定的進展。我們看到在沉積、蝕刻和離子注入設備的市場份額增長了5%~10%。但光刻設備領域的進展最為緩慢，即便是i線光刻這類成熟的光刻技術，中國大陸企業的市場份額也僅小幅提升了幾個百分點。盡管中國大陸正推進深紫外（DUV）和EUV光刻設備的本土化研發，但目前尚未在市場層面看到明顯成果。”

展望未來

對半導體行業來說，這是一個激動人心的時代，AI、機器學習、機器人和量子計算都在飛速發展。

SEMI馬諾查表示：“未來幾年，AI仍將是行業主旋律，量子技術則會逐步崛起。在上一個十年的后期，我們看到汽車與半導體產業實現了深度融合。下一個融合風口將出現在醫療技術行業的醫療保健領域。半導體將為人類帶來更多福祉，助力提升健康水平、延長壽命。就像汽車行業的發展一樣，人類未來將高度依賴電動汽車和自動駕駛汽車，而它們對人類是有益的。我還十分看好人形機器人領域的發展。人形機器人將對人類大有裨益，尤其能為那些需要幫助但無力承擔人工成本的人群提供支持。在養老領域，人形機器人將成為更優質的陪伴者，市場潛力巨大。這一領域的爆發預計將在5年之后，我看到了該領域的巨大增長空間。”

文章來源：https://semiengineering.com/annual-global-ic-fabs-and-facilities-report/