240億美元，美光加碼NAND產(chǎn)線

美光新加坡工廠預(yù)計將于2028年下半年投產(chǎn)晶圓。

據(jù)報道，美光科技計劃在新加坡興建一座先進(jìn)晶圓制造廠，未來10年投資額240億美元，新廠最終將提供70萬平方英尺的無塵室空間。美光表示，2028年下半年投產(chǎn)晶圓，協(xié)助美光滿足AI及數(shù)據(jù)密集應(yīng)用快速發(fā)展下，市場對NAND閃存日益增長的需求。

美光科技新廠房位于其現(xiàn)有NAND閃存制造園區(qū)，周二舉行新廠房奠基儀式，新加坡副總理兼貿(mào)易與工業(yè)部部長顏金勇、新加坡貿(mào)易與工業(yè)部常任秘書馬宣仁、新加坡經(jīng)濟(jì)發(fā)展局局長黎佳明及裕廊集團(tuán)CEO傅美晶出席。

美光科技全球運(yùn)營執(zhí)行副總裁Manish Bhatia表示，非常感謝新加坡政府，包括新加坡經(jīng)濟(jì)發(fā)展局和裕廊集團(tuán)，這次投資凸顯了美光對新加坡的長期承諾，新加坡是其全球制造網(wǎng)絡(luò)的重要樞紐，有助于增強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性。

美光在新加坡本就擁有規(guī)模龐大的生產(chǎn)設(shè)施，公司98%的NAND Flash內(nèi)存是在新加坡廠制造。另外美光正在新加坡建造耗資70億美元的先進(jìn)封裝廠，也位于同一新加坡制造園區(qū)內(nèi)，目前正按計劃推進(jìn)，預(yù)計2027年為美光的HBM供應(yīng)作出貢獻(xiàn)。隨著HBM成為美光新加坡制造布局的一部分，該公司預(yù)計NAND閃存和DRAM生產(chǎn)之間將出現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)。美光將靈活調(diào)整新廠的產(chǎn)能提升速度，以適應(yīng)市場需求。

美光公司稱，對先進(jìn)晶圓制造廠的投資將創(chuàng)造約1,600個工作機(jī)會，加上先前宣布的HBM先進(jìn)封裝工廠提供的1400個就業(yè)崗位，美光此次擴(kuò)建將總共新增約3000個就業(yè)機(jī)會。這些崗位將專注于晶圓廠的工程和運(yùn)營，整合AI、先進(jìn)機(jī)械人和智能制造技術(shù)，以提高效率和創(chuàng)新能力。

2026年1月，美光接連發(fā)生了多個大動作。16日，美光位于美國紐約州奧農(nóng)達(dá)加縣克萊鎮(zhèn)的巨型DRAM內(nèi)存晶圓廠正式破土動工。據(jù)悉，該項目總投資規(guī)模達(dá)1000億美元，規(guī)劃興建多達(dá)四座晶圓廠，建成后將成為美國最大的半導(dǎo)體制造基地，并為當(dāng)?shù)貏?chuàng)造約5萬個就業(yè)機(jī)會。該廠預(yù)計于2030年前后開始投產(chǎn)，并于未來十年逐步提升產(chǎn)能。 美光指出，相關(guān)投資將有助于實(shí)現(xiàn)40% DRAM產(chǎn)品于美國本土生產(chǎn)的目標(biāo)，并強(qiáng)化美國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈韌性。

1月17日，美光與力積電簽署獨(dú)家戰(zhàn)略合作意向書，美光將以18億美元收購力積電位于苗栗縣銅鑼科學(xué)園區(qū)的P5晶圓廠。這筆交易將為美光提供一座面積約2.8萬平方米的現(xiàn)成12英寸晶圓生產(chǎn)線潔凈室。美光將在此部署DRAM內(nèi)存生產(chǎn)線，預(yù)計從2027H2開始為美光DRAM晶圓產(chǎn)出帶來有意義的貢獻(xiàn)。此外，美光將和力積電建立DRAM先進(jìn)封裝的長期晶圓代工關(guān)系，美光也將協(xié)助力積電在新竹P3廠精進(jìn)現(xiàn)有利基型DRAM制程技術(shù)。

TrendForce表示，隨著美光科技計劃以18億美元收購力積電在銅鑼的廠房，雙方將建立長期的DRAM先進(jìn)封裝代工關(guān)系，此次合作將有利于美光科技添加先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)能，并提升力積電的成熟制程DRAM供應(yīng)，預(yù)估2027年全球DRAM產(chǎn)業(yè)供給將有上調(diào)空間。預(yù)估美光科技銅鑼項目一期在2027年下半年可貢獻(xiàn)的產(chǎn)能，將相當(dāng)于美光科技2026年第四季度全球產(chǎn)能的10%以上。

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