28億一臺， 全球首臺 High-NA EUV 光刻機來襲，精度突破0.7nm

如果說過去十年，半導體競爭的關鍵詞是制程節(jié)點，那么從現在開始，真正的關鍵詞只剩下兩個字：光刻。

就在不久前，英特爾正式確認——全球首臺商用 High-NA EUV 光刻機，已經安裝完成，并通過驗收。它的名字不算好記：ASML Twinscan EXE:5200B。但它的價格，全行業(yè)都記得?。簡闻_售價超過 3.8 億美元，折合人民幣接近 28 億元。

過去幾年，全球先進制程一直卡在一個現實問題上：Low-NA EUV，快到極限了。數值孔徑（NA）= 0.33，不用多重曝光，極限分辨率 ≈ 13nm，再往下，只能靠堆工藝、堆曝光、堆成本。

而 High-NA EUV 的出現，本質是一次重新開圖。

EXE:5200B 直接把 NA 提升到 0.55，意味著不用多重曝光，也能直接畫更細。

官方數據給出的能力是：最小分辨率：8nm，套刻精度：0.7nm。注意這個數字：0.7nm 的套刻精度，已經接近原子尺度。在這個尺度上，任何溫度變化、機械振動、材料膨脹，都會直接變成良率災難。

High-NA EUV 并不便宜，也不成熟。那為什么不是臺積電、不是三星，而是最近幾年風評并不占優(yōu)的英特爾？

答案其實很現實：英特爾已經沒有退路了。Intel 14A（1.4nm）節(jié)點，被英特爾視為“翻身點”：第一次全面引入 High-NA EUV，關鍵層不再依賴復雜多重曝光，設計規(guī)則更靈活、掩模更少、周期更短。

對英特爾來說，這不是一次技術嘗試，而是一場押注未來十年的豪賭。而 EXE:5200B 的到位，意味著這場賭局，已經正式開牌。

很多人容易忽略一句話：套刻精度，比分辨率更難。分辨率，是“能不能畫出來”；套刻精度，是“能不能一層層對齊”。在 1nm 級工藝中：晶圓輕微熱脹冷縮，光刻膠微小形變，設備長時間運行漂移。都會直接導致線路錯位、短路、斷路。

EXE:5200B 能做到 0.7nm，靠的不是單點突破，而是一整套系統(tǒng)工程：更強 EUV 光源，更高穩(wěn)定性的光學系統(tǒng)，全新晶圓存儲與溫控架構，更嚴苛的環(huán)境隔離與傳感器校準。

說得直白點：這已經不是一臺機器，而是一整座精密工廠。

一臺 28 億人民幣的設備，值不值？英特爾的邏輯很清楚：曝光次數更少、掩模數量下降、流程更短、良率更可控。最終換來的不是省錢，而是先進節(jié)點的可持續(xù)性。在 1nm 以下時代，真正貴的不是設備，而是失敗一次的代價。

這不是英特爾的勝利，而是科技戰(zhàn)升級。這臺 28 億的光刻機，并不能保證英特爾一定成功。但它至少說明了一件事：先進制程的天花板，還沒封死。真正殘酷的競爭，才剛剛開始。

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