打不過臺積電，怎么辦？

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從最新一份全球晶圓代工市場數據來看，臺積電在產業中的位置已經不僅僅是“領先者”，而更像是整個代工體系的核心支點。市場研究機構的統計顯示，2025 年第三季度，全球前十大晶圓代工商合計營收達到 450.86 億美元，較上一季度環比增長 8.1%。在整體需求回暖、各家廠商營收普遍回升的背景下，臺積電依舊拿走了其中最重要的一部分：當季營收 330.63 億美元，環比增長 9.3%，市場份額進一步提升至 71%。

這一數字本身已經說明問題。超過 70% 的市場份額，意味著臺積電一家所覆蓋的產能規模、客戶結構和技術層級，已經遠遠超過其他所有競爭對手的總和。無論從先進制程的推進速度、頭部客戶的集中度，還是資本開支的持續強度來看，臺積電在當前代工市場中的優勢都呈現出明顯的“放大效應”。市場整體在增長，但增長最直接、最充分地體現在臺積電身上。

與之形成對比的是，其他晶圓代工廠商雖然同樣實現了營收增長，卻在份額上難以縮小差距。三星電子仍位居第二，但三季度營收僅為 31.84 億美元，市場份額下降至 6.8%；中芯國際、聯華電子、格羅方德等廠商分列其后，更多是在各自擅長的工藝節點和應用領域中穩步推進。整體來看，代工市場正在呈現出一種清晰的結構：臺積電不斷向上擴張，而其他廠商則被迫在不同層級、不同賽道中尋找位置。

也正是在這樣的背景下，一個值得關注的問題逐漸浮現——當臺積電持續加快先進制程量產節奏，并通過美國、日本等地的布局進一步鞏固其全球制造網絡時，那些在正面競爭中逐漸拉開距離的“手下敗將”，正在如何調整各自的戰略？是繼續投入高風險、高資本消耗的先進制程競賽，還是選擇成熟工藝、特色制程、區域市場或特定客戶群體，構建差異化的生存邏輯？

英特爾：押注先進技術與生態重構

在這些追趕者中，英特爾的轉型動作最為激進，也最具系統性。作為曾經的半導體霸主，英特爾在制程技術上的落后一度讓外界質疑其代工業務的前景。但從2024年底到2025年，英特爾展現出的戰略調整清晰而堅決：不是放棄先進制程競爭，而是通過技術突破、客戶爭取和生態整合，試圖在特定領域重新建立競爭力。

先進制程：14A與High-NA EUV的技術豪賭

英特爾晶圓代工的核心籌碼是其14A制程節點。這一節點被定位為對外部客戶極具競爭力的選擇，預計在功耗效率和芯片密度方面實現顯著提升。更關鍵的是，14A將成為全球首個在關鍵層采用高數值孔徑（High-NA）EUV光刻技術的制造節點。

英特爾已安裝ASML的Twinscan EXE:5200B，這是業界首款采用0.55數值孔徑投影光學系統的High-NA光刻設備。該設備能夠以8nm的分辨率打印芯片，在50 mJ/cm2的劑量下每小時可處理175片晶圓，并實現0.7納米的套刻精度。相比之下，臺積電和三星雖然也在測試High-NA設備的研發版本，但尚未將其用于商業規模生產。這意味著英特爾在這一代光刻技術的應用上，率先完成了從實驗室到生產線的跨越。

英特爾表示，High-NA工具將帶來更靈活的設計規則，減少光刻步驟，降低掩模數量，縮短周期時間，并提高良率。隨著該公司不斷積累量產經驗，未來在1nm以下時代還能根據需要插入High-NA EUV多重曝光，而不會對良率產生顯著影響。這種技術路徑的前瞻性布局，正是英特爾試圖在下一輪制程競爭中占據主動的關鍵。

先進封裝：EMIB技術的突圍機會

在先進制程之外，英特爾找到了另一個突破口——先進封裝。隨著臺積電CoWoS封裝產能長期緊張，英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋）技術正逐漸成為可行的替代方案。

EMIB是業界首個采用嵌入式橋接技術的2.5D互連解決方案，自2017年起已實現量產。與使用硅中介層作為基板的CoWoS不同，EMIB采用局部嵌入式橋接，提供更高的成本效益和更大的設計靈活性，非常適合定制ASIC、芯片組和AI推理處理器。報道顯示，蘋果和博通正在招募具備EMIB技術專長的工程師，蘋果甚至在考慮采用英特爾的EMIB封裝技術來開發定制服務器加速器Baltra，此前該項目原本與臺積電的N3工藝相關，但由于CoWoS產能有限而轉向英特爾。

英特爾還在不斷擴展EMIB產品線。新型EMIB-M將金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器直接集成到硅橋中，提升供電性能；EMIB-T解決方案引入硅通孔（TSV）技術，滿足HBM對低噪聲垂直供電的需求。此外，英特爾還將EMIB與Foveros 2.5D和Foveros Direct 3D結合，創建了EMIB 3.5D混合架構。

英特爾晶圓代工封裝與測試副總裁表示，公司正在努力緩解先進封裝芯片短缺的局面，其優勢在于不受產能限制。據報道，AWS和聯發科等芯片設計公司正在選擇英特爾晶圓代工作為供應商。英特爾在美國本土擁有先進的封裝能力，從新墨西哥州的Fab 9和Fab 11x工廠到俄亥俄州未來可能投產的生產線，這種本土生產賦予英特爾的戰略影響力遠超成本優勢。

客戶爭取：從蘋果到英偉達的多線進攻

英特爾晶圓代工最引人注目的進展，是其在爭取頭部客戶方面取得的實質性突破。知名分析師郭明錤的調查顯示，蘋果已與英特爾簽署保密協議，采購英特爾的18A-P PDK 0.9.1GA芯片。蘋果目前正在等待英特爾交付PDK 1.0/1.1套件，預計將于2026年第一季度到貨。如果一切順利，英特爾最早可能在2027年第二或第三季度開始交付基于18A-P先進工藝節點的蘋果入門級M系列處理器。

18A-P工藝是英特爾首個支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術的節點，針對各種功率/電壓范圍進行了精細調校，優化了閾值電壓以更好地平衡能效。據估計，到2027年，蘋果用于MacBook和iPad的入門級M系列芯片產量可能達到1500萬至2000萬顆。這不僅意味著巨大的產能貢獻，也象征著英特爾在高端移動芯片市場重新獲得認可。

更廣泛的客戶拓展也在同步進行。據報道，英偉達和AMD正在評估英特爾晶圓代工的14A制程節點。英特爾副總裁證實，一些先進封裝客戶取得了良好成果，客戶主動聯系英特爾是溢出效應的結果，公司目前正在進行戰略對話。18A-P工藝在PDK方面已相當成熟，英特爾將重新與外部客戶接洽，以評估他們的興趣。

ASIC業務：從IDM到系統代工的轉型

英特爾的另一個重要戰略調整是設立專用ASIC部門。該部門由Srini Iyengar領導，隸屬于中央工程集團（CEG）。英特爾首席執行官陳立武（Lip-Bu Tan）在第三季度財報電話會議上表示：“CEG團隊將牽頭構建我們全新的ASIC和設計服務業務，為廣泛的外部客戶提供定制芯片。這不僅將擴展我們核心x86 IP的應用范圍，還將利用我們的設計優勢，提供從通用計算到固定功能計算的一系列解決方案。”

這一戰略的邏輯在于，英特爾擁有芯片技術專長、x86 IP以及提供制造服務的內部代工廠，尋求定制AI芯片的客戶可以獲得滿足所有需求的“一站式”服務。這是市場上其他ASIC設計商都無法提供的優勢，即使是博通、Marvell或Alchip也不例外，因為英特爾的代工廠服務正是其區別于其他公司的關鍵所在。借助CEG集團，英特爾實現了橫向工程的集中化，這意味著將設計服務與制造和封裝相結合的成本已大幅降低。

英特爾副總裁表示，公司在定制網絡ASIC芯片領域擁有蓬勃發展的業務，已經獲得了眾多智能網卡ASIC芯片的客戶。這些芯片專為網絡密集型工作負載而設計，例如網絡數據包處理、遙測、流量管理等。值得一提的是，陳立武在推動定制芯片商業模式方面有著深厚的經驗，他在Cadence公司擔任要職期間，一直致力于知識產權業務、設計工具、設計生態系統合作以及定制芯片的垂直市場。他的經驗和市場人脈將助力英特爾更好地把握ASIC熱潮。

并購整合：收購SambaNova補齊AI拼圖

為了進一步強化AI領域的競爭力，英特爾正就收購人工智能芯片初創企業SambaNova Systems進行深入談判，此次收購包含債務在內的總估值約為16億美元。SambaNova于2017年由斯坦福大學的教授團隊創立，專注于定制化人工智能芯片的設計研發，目標是與英偉達的同類產品展開競爭。

值得注意的是，英特爾首席執行官陳立武同時擔任SambaNova的董事長，他旗下的風險投資公司華登國際是SambaNova的創始投資方之一，并曾在2018年牽頭完成了該公司規模達5600萬美元的A輪融資。以16億美元的價格收購SambaNova，將為英特爾帶來其長期尋求的技術平臺，助力完善自身人工智能產品布局，且此次收購價格相比該公司2021年50億美元的估值存在明顯折價。

三星：2nm制程的背水一戰

如果說英特爾的策略是多點開花、尋求技術突破，那么三星電子則是把所有籌碼壓在了2nm制程的大規模量產上。作為全球第二大晶圓代工廠，三星在3nm制程競賽中屢敗于臺積電，連續數年每季度虧損數萬億韓元。但從2024年底到2025年，三星的2nm業務開始顯現轉機，成為其晶圓代工部門扭虧為盈的關鍵變量。

良率提升：從50%到70%的關鍵跨越

三星2nm制程采用全環柵（GAA）晶體管架構，這是三星在3nm制程中率先引入的技術。與傳統的鰭式場效應晶體管（FinFET）設計相比，GAA技術最大限度地減少了電流泄漏，并顯著提高了性能和電源效率。關鍵的是，三星從3nm開始采用GAA，而臺積電將從2nm才開始應用。這意味著三星在克服3nm工藝挑戰的同時，積累了多樣化的GAA經驗，與剛剛開始采用這項新技術的臺積電處于不同的位置。

根據韓國媒體報道，三星2nm制程的良率已經從9月份的50%提升到11月的50%至60%，目標是在年底或2026年初將生產良率提高到70%左右，以吸引大客戶。市場研究公司Counterpoint Research預測,三星的2nm產能將增加163%，從2024年的每月8000片晶圓增加到2026年底的21000片晶圓。

三星DS部門首席技術官（CTO）兼總裁宋在赫在與總統政策秘書室長金容范的會談中強調，隨著人工智能投資熱潮推動半導體需求進入景氣周期，2nm制程將成為一個關鍵的轉折點。熟悉三星的消息人士表示：“距離2nm全面量產已不遠，這番言論被解讀為三星計劃中的2nm工藝良率和芯片性能正在穩步達到目標。”

客戶突破：從特斯拉到高通的訂單斬獲

隨著良率的提升，三星已成功吸引到主要客戶采用其先進工藝。2024年7月，三星獲得了與特斯拉的合同，價值165億美元，用于生產下一代AI6芯片。AI6是一款采用2nm工藝量產的高性能芯片，將用于特斯拉的全自動駕駛（FSD）系統，預計將于2027年內上市。特斯拉首席執行官埃隆·馬斯克也確認，三星將代工部分AI5芯片系列，該系列芯片最初計劃由臺積電代工。

除了特斯拉，三星還接到了多個重要訂單：三星系統LSI內部的智能手機應用處理器Exynos 2600、蘋果的圖像傳感器，以及MicroBT和Canaan的挖礦專用芯片（ASICs）。高通的應用處理器也有望跟進，傳聞高通的第六代驍龍8至尊版將會有基于三星2nm代工的版本。

最近，據悉，由著名芯片架構師Jim Keller領導的AI半導體公司Tenstorrent也在考慮與三星和臺積電合作生產下一代芯片。此外，三星還贏得了美國AI半導體初創公司Tsavorite Scalable Intelligence、Anaphae以及韓國初創公司DeepX的生產合同。據報道，Tsavorite已向三星預訂了價值約1500億韓元（約合1000億美元）的AI芯片，采用三星4nm工藝。

汽車市場：從特斯拉到現代的全方位布局

三星晶圓代工的另一個重要突破口是汽車半導體市場。除了特斯拉的AI6芯片，三星正準備為現代汽車公司量產8nm MCU（微控制器單元），該公司計劃在2028年完成研發，并在2030年開始量產。三星晶圓代工極有可能贏得現代汽車高端車型5nm自動駕駛芯片的合同。

更值得關注的是，三星晶圓代工將向現代汽車供應采用14nm FinFET工藝量產的eMRAM（嵌入式磁性隨機存取存儲器）。eMRAM是一種利用直接嵌入半導體內部的磁性來存儲數據的存儲半導體，速度大約是NAND的1000倍，但低功耗特性正在推動汽車行業對其需求的增長。三星計劃在2026年將其eMRAM產品組合擴展到8nm，并在2027年擴展到5nm。

通過這種方式，三星代工廠獲得了大多數工藝的汽車芯片參考標準，包括超精細工藝（2nm）、精細工藝（5nm和8nm）以及成熟工藝（14nm）。這種全方位的布局，使三星在汽車半導體代工領域建立了顯著的競爭優勢。

硅光子技術：挑戰臺積電的新戰場

三星的戰略布局不僅限于傳統晶圓代工，還包括對下一代技術的前瞻性投入。三星電子DS事業部已將硅光子學選為未來的核心技術，并開始為其位于新加坡的專屬研發中心招募經驗豐富的專家。該新加坡研發中心由副總裁兼前臺積電員工崔景建領導，正與總部技術開發辦公室緊密合作，共同推進這項技術的發展。

硅光子技術以光傳輸數據，成為數據中心、高效能運算及網絡基礎設施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。與將數據信息存儲在銅線上的傳統半導體不同，硅光子技術將信息封裝在光中，然后通過光纖傳輸，幾乎沒有電阻，能夠實現更快的傳輸速度，還能顯著降低發熱量和功耗。

三星正調動其遍布韓國、新加坡、印度、美國和日本的全球研發網絡，致力于硅光子技術的研發。三星近期將負責硅光子技術研發的高級主管李康浩晉升為副總裁,并聘請了英特爾前首席產品官研究員樸賢大。三星還與人工智能半導體設計公司博通合作，共同推進硅光子技術的商業化。三星宣布CPO（共封裝光學器件）的商業化日期為2027年。

業內人士預計，硅光子技術是贏得更多大型晶圓代工客戶的關鍵，這可能是一張反擊王牌，能夠扭轉三星目前在2.5D和3D等尖端封裝市場落后于臺積電的局面。市場研究公司Modo Intelligence預測，到2030年，硅光子市場規模將增長至103億美元。

High-NA EUV：追趕臺積電的設備競賽

在先進光刻設備方面，三星也在積極追趕。三星電子計劃在2026年上半年前投資約1.1萬億韓元，引進兩臺最新的極紫外（EUV）曝光設備——荷蘭阿斯麥公司的“高數值孔徑（NA）EUV”。該設備能夠繪制比現有產品精細1.7倍的電路，每套設備成本約為5500億韓元。

三星計劃在其2nm晶圓生產線上部署新機器，該生產線已在生產Exynos 2600應用處理器。三星還計劃使用最新的EUV設備在2nm晶圓生產線上生產和供應特斯拉的下一代人工智能芯片。該工具還將支持三星未來的垂直通道晶體管（VCT）DRAM的生產，這是一種高性能、低功耗的內存芯片，計劃于2027年左右量產。

據悉，三星董事長李在镕對High-NA EUV的興趣始于2023年12月，當時他訪問了位于荷蘭的ASML總部。李在镕對EUV實現2nm以下芯片生產的潛力印象深刻，因此指示工程師加快開發兼容的工藝技術。

盈利預期：2027年的轉折點

行業預計，多年來一直錄得季度數百億韓元虧損的三星代工業務將從2027年開始扭虧為盈。這得益于其奧斯汀工廠的開工率預期提高，以及泰勒工廠從2027年開始大規模量產特斯拉的AI6芯片。三星在其第三季度財報簡報中表示：“我們獲得了以尖端工藝為中心的創紀錄訂單，包括2nm的大規模客戶合同。隨著采用2nm工藝的新產品全面量產，我們預計通過持續提高開工率和實施成本效率措施，業績將進一步改善。”

Counterpoint Research表示：“如果良率持續改善，并且泰勒工廠的量產順利進行，三星可能在數代以來首次在尖端工藝上有意義地縮小與臺積電的競爭差距。”目前，臺積電面臨著英偉達和蘋果等主要客戶的訂單集中，據報道將其2nm晶圓價格比前幾代提高了50%。這為三星創造了一個可以搶占的利基市場，后者正利用靈活的定價策略來吸引客戶。

聯電：成熟制程的差異化突圍

與英特爾和三星不同，聯華電子（聯電）很早就明確了自己的戰略定位：不參與高風險、高資本消耗的先進制程競賽，而是在成熟制程的基礎上，通過特殊工藝、先進封裝和硅光子等高附加價值應用，開辟新的增長空間。面對中國大陸晶圓廠在成熟制程市場的激烈競爭，聯電的策略是避開價格戰，轉向技術壁壘更高、毛利更豐厚的細分領域。

先進封裝：高通訂單的戰略意義

目前，聯電已經在先進封裝領域取得了實質性突破。聯電自行開發的高階中介層（Interposer）已獲得高通的電性驗證，并已進入試產流程，預估最快2026年第一季度量產。供應鏈透露，聯電首批中介層電容密度達1500nF/mm2，技術水準屬于高階封裝主流，高通更直接采購爐管機臺放入聯電廠房，顯示雙方合作深度與信任度非比尋常。

這一合作涵蓋AI PC、智能汽車與AI服務器等三大市場，強化聯電在高速運算領域的地位。聯電同步擴大海外封裝布局，新加坡廠已投入2.5D制程，并具備晶圓對晶圓（Wafer-to-Wafer）鍵合技術，這是3D IC制造的關鍵能力。聯電強調，未來將以完整方案為策略，不僅提供晶圓制程，也整合封裝平臺，打造屬于聯電的先進封裝生態系，并結合智原、硅統、華邦等轉投資伙伴，提高系統性競爭力。

業界人士指出，聯電布局先進封裝，先前在制程端僅供應中介層，應用在RFSOI制程，對營收貢獻有限。隨著高通采用聯電先進封裝制程打造高速運算芯片，近期雙方合作又進一步發展，對聯電來說將能降低在成熟制程的低價競爭，闖出一條不同之路。

硅光子：與IMEC合作搶占新賽道

聯電的另一個重要布局是硅光子領域。聯電與比利時微電子研究中心（IMEC）簽署技術授權協議，取得IMEC iSiPP300硅光子制程，該制程具備共封裝光學（CPO）相容性。藉由此次授權合作，聯電將推出12英寸硅光子平臺，瞄準下世代高速連接應用市場。

隨著AI數據負載日益增加，傳統銅互連面臨瓶頸，硅光子技術以光傳輸數據，成為數據中心、高效能運算及網絡基礎設施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。聯電將結合IMEC經驗證的12英寸硅光子制程技術、加上聯電絕緣層上覆硅（SOI）晶圓制程，為客戶提供高度可擴展的光子芯片（PIC）平臺。

聯電資深副總經理指出，取得IMEC最先進的硅光子制程技術授權，將加速聯電12英寸硅光子平臺的發展進程。聯電正與多家新客戶合作，預計在2026及2027年展開風險試產。此外，聯電未來系統架構將朝CPO與光學I/O等更高整合度的方向邁進，提供數據中心內部及跨數據中心需要的高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。

業界分析，IMEC是全球微電子與納米技術研究重鎮，長年與臺積電、英特爾等科技巨頭合作，其硅光子研究位居世界第一梯隊。聯電此次攜手IMEC揮軍硅光子，有三大優勢：首先是聯電不用從零開始摸索硅光子元件設計規則，能直接取得IMEC的光子PDK、聯合開發驗證；其次是大幅縮短商業化量產時間；最后則是與國際大客戶的技術對接更順暢。

據了解，英偉達將在今年推出的新世代Rubin架構起，大量在AI服務器導入硅光子及CPO技術。法人認為，聯電揮軍硅光子，有助進一步打入AI服務器、數據中心等核心供應鏈，若2027年如期放量，聯電將成為全球CPO供應鏈中不可或缺的晶圓制造要角。

美國本土制造：與Polar的戰略合作

聯電還在積極拓展美國本土制造能力。聯電宣布，已與專攻高壓、功率及傳感器的美國晶圓代工廠Polar Semiconductor簽署合作備忘錄（MOU），雙方將展開洽談，共同探索在美國本土8英寸晶圓制造的合作機會，以應對汽車、數據中心、消費電子，以及航空與國防等關鍵產業持續成長的需求。

根據該諒解備忘錄，Polar與聯電將評估可在Polar近期擴建的明尼蘇達州8英寸晶圓廠所生產的產品，并選定具體的生產項目。結合Polar穩健的制造能力，與聯電完整的8英寸晶圓制造技術組合及全球客戶基礎，這項合作可望推動雙方業務成長，并協助客戶實現多元制造布局。此外，此合作也將進一步強化美國本土的8英寸晶圓制造產能，確保汽車、電網、機器人制造、數據中心等產業所需的關鍵功率半導體能夠在美國穩定供應。

聯電全球業務資深副總經理指出：“聯電致力通過多元的制程技術及全球布局，為客戶提供彈性的供應鏈選擇，以協助客戶在現今的地緣政治環境中提升競爭力。這次合作不僅直接回應客戶對美國本土半導體制造方案的需求，也展現聯電以創新解決方案和雙贏的合作模式，延續我們為客戶創造價值的一貫承諾。”

制程探索：與英特爾的潛在合作

盡管聯電明確表示不會全面進軍先進制程，但市場傳出，聯電正考慮擴大與英特爾之間的合作伙伴關系，可能選擇在原有12nm制程合作基礎上，將制程提升至6nm制程。對此，聯電表示不評論市場消息，但強調雙方在12nm鰭式場效電晶體（FinFET）合作將按規劃，于2027年導入量產，具備AI、物聯網與車用等高增長領域的應用優勢。

聯電董事長指出，12nm FinFET制程技術平臺（12FFC）相較于14nm技術（14FFC），芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發揮FinFET的優勢，可廣泛應用于各種半導體產品。與14FFC相比，12nm技術在優化的FinFET設備下，可實現10%的性能提升，透過降低電壓減少20%功耗，采用六走線軌道設計，使面積減少超過10%，并節省三層光罩，進一步增強聯電成本競爭力。

法人認為，即便聯電不跨進先進制程，該公司在硅光子與先進封裝等領域多元布局，有助在成熟制程紅海中開創新藍海。

格羅方德：區域化與特色工藝的守成者

格羅方德（GlobalFoundries）作為全球第五大晶圓代工廠，很早就放棄了先進制程的競爭，轉而專注于成熟制程和特色工藝。但在2024年底到2025年，格羅方德的戰略重心更加清晰：通過區域化布局、硅光子技術和IP整合，在特定市場和應用領域建立不可替代的地位。

硅光子布局：收購AMF擴大領先優勢

2024年11月17日，格羅方德宣布收購位于新加坡的硅光子晶圓代工廠Advanced Micro Foundry（AMF）。此舉標志著格羅方德在推進創新和鞏固其硅光子領域領先地位的戰略中邁出了關鍵一步。此次收購將擴展格羅方德在新加坡的硅光子技術組合、產能和研發能力，與其在美國的現有技術形成互補。

格羅方德收購AMF，將AMF的制造資產、豐富的知識產權和專業人才整合在一起，顯著擴展格羅方德的硅光子技術，并使格羅方德成為全球營收最高的純硅光子晶圓代工廠。憑借AMF超過15年的制造經驗，格羅方德將利用AMF位于新加坡的200mm平臺，滿足長距離光通信、計算、激光雷達和傳感等領域的需求，并計劃隨著市場需求的增長擴展至300mm平臺。

格羅方德首席執行官表示：“硅光子技術對人工智能基礎設施至關重要。隨著數據傳輸速度加快、工作負載日益復雜，以更高的速度、精度和能效傳輸信息的能力如今已成為人工智能數據中心和先進電信網絡的基礎。收購AMF使格羅方德能夠提供更全面、更具差異化的十年可插拔收發器和共封裝光器件發展路線圖，同時加速光子技術向汽車和量子計算等相鄰市場的發展。”

為配合此次收購，格羅方德計劃在新加坡建立一個硅光子學研發卓越中心（CoE）。該中心將與新加坡科技研究局合作，專注于研發用于400Gbps超高速數據傳輸的下一代材料，從而推進格羅方德的創新路線圖。

IP整合：收購MIPS強化計算能力

值得注意的是，格羅方德今年還正式宣布計劃收購MIPS，這家公司提供基于開源RISC-V指令集架構的處理器IP。格羅方德重申其純代工廠的定位，強調此次收購并不意味著將轉向芯片設計或銷售，其真正目的是通過提供現成可用的IP模塊，幫助客戶——尤其是初次涉足芯片開發或希望實現垂直整合的企業——簡化系統設計流程。

格羅方德企業傳播總監表示：“收購MIPS將增強格羅方德為客戶提供更完整、更具差異化解決方案的能力。通過整合MIPS成熟的RISC-V處理器IP及軟件工具,格羅方德客戶將受益于更廣泛的計算IP訪問、更短的上市周期、更大的靈活性與開放性，以及面向高增長市場的更優技術。這一舉措將使格羅方德不僅是制造合作伙伴，更成為提供基礎計算技術的戰略伙伴。”

公司計劃持續支持MIPS基于開源RISC-V架構的處理器核心產品組合，以滿足各類計算需求，從而拓展格羅方德在新市場和新應用領域的服務能力。這涵蓋了用于自動化平臺、嵌入式系統和智能邊緣設備的計算子系統。除了邊緣AI應用外，格羅方德與MIPS的協同能力也非常適合在車載、物聯網和數據中心基礎設施等高增長領域發揮作用。

盡管MIPS將成為格羅方德的子公司并向其客戶提供IP產品，但MIPS將繼續獨立運營，維持現有客戶關系并繼續推進當前項目與合作協議。此外，MIPS也將繼續與其他晶圓廠合作。

歐洲擴產：德累斯頓工廠的戰略升級

今年11月，格羅方德宣布，計劃投資11億歐元，擴大其位于德國德累斯頓工廠的產能。這項投資將使該工廠的產能到2028年底提升至每年超過100萬片晶圓，使其成為歐洲同類工廠中規模最大的工廠。這項名為"SPRINT"的擴建計劃預計將得到德國聯邦政府和薩克森州在《歐洲芯片法案》框架下的支持。

作為項目的一部分，該設施將進行升級，以提供端到端的歐洲流程和數據流，滿足關鍵的半導體安全要求。新的產能將專注于格羅方德高度差異化的技術——其關鍵性能特性包括低功耗、嵌入式安全內存和無線連接——這些特性對于滿足歐洲在汽車、物聯網、國防和關鍵基礎設施應用領域的芯片需求至關重要。

格羅方德首席執行官表示：“近期汽車行業的動蕩凸顯了全球芯片供應鏈的脆弱性。我們計劃在德累斯頓進行擴張，這是格羅方德積極應對這些挑戰并履行承諾的又一舉措，旨在支持歐洲對安全供應鏈和差異化技術的需求。通過擴大我們在歐洲、美國和全球的制造業務，格羅方德正在鞏固其作為關鍵行業客戶韌性十足且值得信賴的合作伙伴的地位。”

中國市場：技術授權的務實路線

在先進制程受限的大背景下，特色工藝的技術轉移成為了格羅方德與中國廠商合作的新模式。2025年8月，格羅方德宣布與一家中國本土代工廠達成最終協議，為中國客戶提供車規級工藝與制造專長，不過格羅方德并未公開合作方。

這種合作模式的優勢在于：相比先進邏輯制程，特色工藝更注重應用導向和工藝優化，技術壁壘相對較低，但應用門檻較高。通過技術授權，國內廠商可直接獲得成熟的工藝平臺，無需漫長的研發周期即可投入量產，從而縮短產品上市時間、降低開發成本，并增強本地供應鏈韌性。

對于格羅方德而言，在先進制程競爭中處于劣勢的情況下，通過技術授權可以實現技術價值的最大化。對于中國廠商而言，這種合作模式能夠快速提升在射頻、功率、車規芯片等特色工藝領域的技術能力。

結語：差異化生存的多重路徑

從英特爾、三星、聯電到格羅方德的戰略調整來看，晶圓代工市場正在形成一種新的競爭格局：臺積電繼續在先進制程和頭部客戶中占據絕對優勢，而其他廠商則在各自選擇的細分賽道中尋找生存空間。

英特爾押注先進制程與先進封裝的雙輪驅動，試圖通過技術突破和生態整合重新建立競爭力；三星將大部分籌碼壓在2nm制程的大規模量產上，期待在下一輪技術周期中實現反超；聯電專注于成熟制程的差異化升級，通過先進封裝和硅光子等高附加價值應用避開價格戰；格羅方德則堅守特色工藝和區域化布局，在特定市場和應用領域建立不可替代的地位。

這些戰略調整的共同特點是：不再試圖在所有維度上與臺積電正面競爭，而是根據自身的技術積累、客戶基礎和資源稟賦，選擇最適合自己的發展路徑。在先進封裝、硅光子、ASIC設計服務、區域化制造等新興領域，這些“手下敗將”正在尋找新的增長機會。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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