日媒直言：中國EUV光刻機卡殼無解，跟日本合作或是唯一機會

在全球半導體產業的技術競賽中，一件事不斷被提及——EUV（極紫外光）光刻機是芯片制造的皇冠上的明珠，也是中國半導體產業面臨的最大“卡脖子”問題之一。

近期包括日本媒體在內的多方報道指出，中國在EUV光刻機領域的研發進展雖有突破，但距離真正商用級別仍有巨大差距。有觀點甚至暗示：在沒有外部合作的前提下，中國單獨攻克這一技術難題幾乎無解，而與日本的技術協作可能是實際、甚至是唯一的機會之一。

EUV光刻機是尖端芯片制造的核心設備，它利用波長僅13.5納米的極紫外光在硅片上刻畫極其微小的電路圖案。沒有先進的EUV設備，就無法穩定量產7納米乃至更先進制程芯片。全球目前最先進的EUV設備完全被荷蘭ASML壟斷生產，且集成了來自日本、德國等國家供應商的高端部件與技術。

這一點并非媒體夸張：即便現有的DUV（深紫外光）光刻設備，也依賴日本、荷蘭和德國等成熟供應鏈，中國相關設備的國產化程度仍然有限。

日本在半導體產業關鍵環節擁有深厚技術積累：

日本企業在高端光刻膠等關鍵材料市場占主導地位，全球絕大多數高端EUV光刻膠供應來自日本公司。

日本廠商如佳能、尼康在光刻機售后服務和備件方面曾長期支持中國市場，近期因出口管制與政策調整，對中國設備服務有所收緊。日本企業還擁有精密光學、關鍵檢測設備等細分領域的領先技術，部分是構成先進光刻機不可或缺的基礎組件。

因此，日本并不是競爭者完全，而是在多個細分產業鏈環節對中國形成技術制約 同時也是潛在的合作方。

從全球產業格局來看，光刻機不僅僅是一個設備，而是一個由數千個高精度部件、高度集成的系統工程，涉及光源、反射鏡、精密控制與材料等核心技術。這些技術迄今只有極少數幾家公司掌握，中國即便投入巨額資源與人才，也需要多年積累才能完全自主。

在這種現實下，與擁有部分關鍵組件和數十年產業積累的日本企業合作，可能比單打獨斗更實際、更有效率：日本在光刻膠、精密物鏡、測量設備等領域有強技術基礎；日本半導體裝備企業可能通過合作模式為中國提供部分關鍵技術或共同研發；相對西方國家更為務實的產業合作傳統，可以成為突破技術封鎖的橋梁。

與日本合作不是唯一的選擇，但在現有格局下，確實是可行路徑之一。

中國在EUV光刻機研發上的努力值得肯定，但現實也不容回避：真正的EUV量產技術仍被少數國家和企業掌握；獨立突破需要長時間積累、巨額投入和國際環境變化；與日本（乃至其他國家）在關鍵技術和供應鏈上開展務實合作，是現實路徑之一。

科技競爭不是簡單的“國產化旗幟越高越好”，而是在全球產業鏈中找到最有效突破點。與其盲目自夸，不如開放務實、多方合作，這或許是中國在半導體核心領域真正走出困境的理性選擇。

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