英特爾晶圓代工，初露曙光

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據報道，NVIDIA 和 AMD 正在評估英特爾晶圓代工的 14A 制程節點，而蘋果和博通則在考慮采用英特爾的 EMIB 封裝技術來開發定制服務器加速器。香港廣發證券指出，這些進展反映出頂級設計公司越來越愿意重新考慮其前端工藝技術和后端封裝的供應商。臺積電等其他供應商的產能限制可能是促使這些探索性舉措的關鍵因素，封裝的可用性如今已成為大型設計公司面臨的核心制約因素。

就蘋果而言，供應鏈報告顯示，該公司已與英特爾接洽進行工藝評估，并正在權衡其他封裝方案。據報道，蘋果已在使用 18A-P 工藝設計套件的 0.9.1 版本，并正在等待預計將于 2026 年第一季度發布的 PDK 1.0 或 1.1 版本，之后才會進行更大規模的測試。由博通協助設計的“ Baltra ”服務器最初與臺積電的N3 3納米工藝相關，但由于臺積電的CoWoS產能有限，蘋果開始考慮采用英特爾的EMIB封裝方案。與此同時，定制AI服務器部件的出貨時間似乎更有可能在2028年，而基于英特爾工藝技術的低端M系列芯片如果PDK修訂和良率目標能夠滿足蘋果的要求，則有望在2027年面世。

對英特爾而言，外部關注是對其數十年研發投入以及在制造和先進封裝領域數十億美元投資的認可。14A 制程節點是英特爾晶圓代工成敗的關鍵，它被定位為對外部客戶極具競爭力的選擇，預計在每瓦性能和芯片密度方面將有所提升，并采用 EMIB 和 Foveros 等先進封裝技術。如果能獲得英偉達和 AMD 等公司的設計承諾，將鞏固英特爾晶圓代工的地位，并為其路線圖的持續投資提供依據。如果這些合作未能實現，英特爾將面臨更嚴峻的挑戰，難以將其技術優勢轉化為更廣泛的市場動力，而整個行業仍將依賴少數幾家供應商提供前端制程節點和先進封裝服務。

英特爾EMIB，率先突圍

在英特爾IFS業務中，先進封裝無疑是最吸引人的。

如上所述，蘋果和高通正在招募具備EMIB（嵌入式多芯片互連橋）技術專長的工程師，這表明英特爾的封裝技術正在重獲發展勢頭——部分原因是臺積電產能受到嚴重擠壓。據《商業時報》報道，這一轉變表明，英特爾的先進封裝解決方案正日益成為智能手機SoC和AI ASIC客戶的考慮對象。

值得注意的是，報告還援引芯片制造商的話說，英特爾正在加大對先進封裝市場的關注，未來甚至可能采用臺積電制造的芯片進行下游封裝——此舉將標志著英特爾在代工領域的雄心壯志大幅擴張。

《商業時報》指出，英特爾擁有關鍵優勢：其在美國本土擁有先進的封裝能力，從新墨西哥州的Fab 9和Fab 11x工廠到俄亥俄州未來可能投產的生產線。報道還指出，EMIB對異構芯片組合的支持使其能夠實現高度定制化的設計——而本土生產賦予英特爾的戰略影響力遠超成本優勢，使其成為臺積電亞利桑那州產芯片的理想下游合作伙伴。

《電子工程時報》 3月份報道稱，英特爾晶圓代工封裝與測試副總裁馬克·加德納表示，公司正在“努力”緩解先進封裝芯片短缺的局面。加德納指出，造成這種短缺的主要原因是客戶依賴競爭對手（臺積電）的技術，并補充說，英特爾的優勢在于其不受產能限制。值得注意的是，該報道暗示，AWS和臺灣的聯發科等芯片設計公司正在選擇英特爾晶圓代工作為供應商。

TrendForce指出，人工智能和高性能計算數據中心的蓬勃發展正推動著前所未有的需求，導致一家主要先進封裝供應商的供應出現瓶頸。這種供應緊張的局面正蔓延至競爭對手，迫使主要的芯片封裝服務提供商（CSP）尋求除CoWoS（芯片封裝在晶圓基板上）之外的其他解決方案，而EMIB正逐漸成為強有力的競爭者。

《商業時報》解釋說，鑒于臺積電的CoWoS封裝技術在英偉達H100/200、GB200以及AMD MI300系列產品中的廣泛應用，目前它仍然是AI GPU和HBM封裝的首選。然而，由于這家晶圓代工巨頭的先進封裝產能長期短缺，英特爾的EMIB封裝技術正逐漸成為一個可行的替代方案。

報告指出，與使用硅中介層作為基板的 CoWoS 不同，EMIB 采用局部嵌入式橋接，從而提供更高的成本效益和更大的設計靈活性，使其非常適合定制 ASIC、芯片和 AI 推理處理器。

英特爾指出，EMIB是業界首個采用嵌入式橋接技術的2.5D互連解決方案。該公司表示，EMIB自2017年起已實現量產，并應用于服務器、網絡和高性能計算（HPC）領域的產品中。

隨著對更強供電能力的需求不斷增長，英特爾晶圓代工擴展了其EMIB產品線。據英特爾稱，新型EMIB-M將金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器直接集成到硅橋中，從而提升供電性能。對HBM的激增需求也提高了對低噪聲垂直供電的需求，促使英特爾在其EMIB-T解決方案中引入硅通孔（TSV）技術——該技術也便于從其他封裝技術遷移。

另一方面，英特爾還將 EMIB 與 Foveros 2.5D 和 Foveros Direct 3D 結合，創建了 EMIB 3.5D，這是一種混合架構，它使用 Foveros 將芯片垂直堆疊，同時通過 EMIB 的嵌入式硅橋將它們水平連接起來。

（來源：半導體行業觀察綜合）

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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