天津
（全球TMT2025年12月18日訊）全球客制化存儲芯片解決方案設計公司愛普科技宣布，S-SiCap（Stack Silicon Capacitor）產品線持續深化技術布局，聚焦AI服務器與高性能計算（HPC）的整合挑戰。S-SiCap產品線涵蓋分離式硅電容（Discrete Devices）與硅電容中介層IPC（InterPoser with silicon Capacitor）兩大類型，對應不同系統架構與應用情境，滿足多元設計需求。
愛普科技的分離式硅電容S-SiCap Gen4電容值密度較前一代Gen3再增逾50%。Gen4率先導入嵌入式基板（Embedded Substrate）封裝，目前已送樣進行制程驗證，量產導入時程將自2026年起逐步展開。另一方面，硅電容中介層S-SiCapT Interposer采用硅晶圓作為中介層基板，內建高電容密度的硅電容，顯著強化裸晶對裸晶（Die-to-Die）、序列器／解序列器（SerDes）及高帶寬內存（HBM）等高速I/O應用的信號與電源穩定性。愛普并攜手供應鏈合作，導入接合曝光技術(reticle-stitching technology)，擴展中介層裸晶面積，進而承載更多Chiplet IC。目前S-SiCap Interposer已完成客戶端的封裝與可靠度驗證，并于第三季末正式進入四個reticle的量產階段，新項目亦陸續展開。
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