截至2025年12月18日 09:37,上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.31%。成分股方面漲跌互現(xiàn),神工股份領(lǐng)漲6.54%,新益昌上漲1.74%,富創(chuàng)精密上漲1.50%;華海清科領(lǐng)跌2.48%,和林微納下跌1.79%,盛美上海下跌1.55%。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)下跌0.27%。資金流入方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流入3783.34萬元。拉長時(shí)間看,近5個(gè)交易日內(nèi)有3日資金凈流入,合計(jì)“吸金”2.30億元,日均凈流入達(dá)4605.39萬元。
消息面上,12月16日,國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布《年終總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測報(bào)告》。
報(bào)告顯示,2025年全球原始設(shè)備制造商(OEM)的半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額預(yù)計(jì)達(dá)1330億美元,同比增長13.7%,創(chuàng)歷史新高;2026年、2027年有望繼續(xù)攀升至1450億和1560億美元。增長主要由人工智能相關(guān)投資拉動(dòng),涵蓋先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝技術(shù)。
從半導(dǎo)體設(shè)備銷售額來看,數(shù)據(jù)顯示,晶圓廠設(shè)備(WFE)領(lǐng)域(含晶圓加工、晶圓廠設(shè)施和掩膜/掩模版設(shè)備)2024年創(chuàng)1040億美元紀(jì)錄后,預(yù)計(jì)2025年增長11.0%至1157億美元(此前年中預(yù)測為1108億美元),主要因DRAM及HBM投資強(qiáng)于預(yù)期。
其中,中國持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)。SEMI預(yù)計(jì)至2027年,中國有望在預(yù)測期內(nèi)保持首位,盡管增速放緩、銷售額自2026年起逐步回落,本土芯片制造商仍在成熟制程及部分先進(jìn)節(jié)點(diǎn)持續(xù)投入。
銀河證券表示,支撐半導(dǎo)體板塊長期發(fā)展的邏輯不變。在外部環(huán)境背景下,供應(yīng)鏈安全與自主可控是長期趨勢。其中,設(shè)備與材料在國產(chǎn)替代頂層設(shè)計(jì)下邏輯或最硬。
相關(guān)ETF:公開信息顯示, 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備(61%)和半導(dǎo)體材料(23%)細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。
半導(dǎo)體材料ETF(562590)及其聯(lián)接基金(A類:020356、C類:020357),指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備(61%)、半導(dǎo)體材料(21%)占比靠前,充分聚焦半導(dǎo)體上游。
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