臺積電真正的瓶頸顯現

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隨著新一代AI GPU與云端服務商（CSP）自研ASIC陸續進入量產階段，臺積電正加速進行產能優化與制程重配置，以因應客戶龐大需求。騰旭投資投資長程正樺指出，臺積電在3納米以既有產線優化與前段、后段產能交錯支援為策略，包括臺中Fab 15之7納米舊產能及臺南Fab 18之5納米轉進3納米制程，借此滿足明年客戶龐大需求。

2026年多數高階AI芯片將全面導入3納米或其強化版本，盤點如輝達VR系列、AWS Trainium 3、Google TPU等。

程正樺分析，比起先進封裝產能，3納米制程才是明年真正的瓶頸；臺積電于3納米并非單純依賴新廠擴建，而是同步啟動既有產線的優化與轉換策略，如將7納米、5納米產線轉進3納米制程，借此提升整體的資本使用效率。

至于先進封裝產能，臺積電CoWoS仍將是AI芯片的主流封裝方案。法人認為，臺積電明年先進封裝產能建置依舊積極，CoWoS至年底月產能上看12萬片。程正樺觀察，封裝需求外溢至專業封測代工廠（OSAT），不僅可紓解短期產能壓力，也有助于降低未來封裝技術世代更迭所帶來的風險。

半導體業界觀察，隨著AI GPU與ASIC導入更多運算單元與I/O設計，單位晶圓可切割的有效晶粒數下降，放大先進制程晶圓需求；以輝達Rubin GPU為例，8倍光罩尺寸（Reticle size）之可切割晶粒（Good die per wafer）只有4顆，但如果以方形載具效率將成長3倍，CoPoS將會是明年技術發展重點。

據悉，代工龍頭預計在明年第二季建置CoPoS之RD實驗線，研發預計2027年底完成、2028年進入量產。

設備業者指出，CoPoS仍然會先沿用既有CoWoS供應商，但是存在機會并不代表一定能順利打入，其中，相關驗證時間長達三～五年、良率也是大客戶要求的重點。

設備業者透露，未來CoPoS處理的晶圓變大，機臺面積（footprint）也要放大，此外，因為處理的芯片都是Good die（良品裸晶粒），報廢成本高，機臺復雜度提升很多。

2nm產能已排至2026年底

臺積電預計2納米制程時代將于明年開啟，產能已排至2026年底。外媒報導，GAA（全環閘極）架構的技術突破是其極具吸引力的賣點。

蘋果A20和A20 Pro等芯片組將成為推動臺積電2納米技術普及的主要動力，而臺積電則處于整個制程制程的最前線。 wccftech指出，臺積電先前曾因3納米制程采用FinFET（鰭式場效電晶體）技術而面臨技術瓶頸。現今，臺積電推出的GAA架構旨在提升2納米制程的效能與效率，最終吸引了眾多客戶采用此制程。

與FinFET相比，GAA的優點在于它采用了納米片堆疊技術，不僅能更精確地控制電流，還能顯著降低漏電流。這使得2納米制程能夠在相同功耗下實現10-15%的效能提升，或在特定效能等級下降低25-30%的功耗。

先前有通報稱，臺積電兩座2納米工廠已全部訂滿，為滿足市場需求，該公司不得不啟動三座新生產線的建設，預計總投資將達286億美元。臺積電2納米制程的整個產能已排滿至2026年，預計年底前開始量產。

高通、聯發科、蘋果、超微等眾多客戶都是2納米制程的知名用戶，但臺積電難以滿足如此旺盛的需求，一個主要原因是據傳蘋果為了壓制競爭對手，已預定了超過一半的初始產能。據悉，臺積電計劃在2026年底將其月產量提升至10萬片，這項尖端技術將成為其成長的主要驅動力。

據三星已于今年稍早開始量產其2納米GAA制程，但與先前的3納米GAA制程相比，已公布的性能、效率和面積數據并不十分詳盡，這可能是由于良率尚未達到最佳狀態。

（來源：工商時報）

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