半導(dǎo)體十大預(yù)測(cè)，“進(jìn)度條”幾何？

文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫，作者 | 豐寧

2025年進(jìn)入尾聲，年初刷屏的“半導(dǎo)體十大技術(shù)趨勢(shì)預(yù)測(cè)”也到了交答卷的時(shí)刻。2nm、HBM4、先進(jìn)封裝、AI 處理器、智駕芯片、量子處理器等核心方向，始終是行業(yè)關(guān)注重點(diǎn)。這一年來(lái)，這些預(yù)測(cè)的 “進(jìn)度條” 究竟走了多少？今天一起順著時(shí)間線，拆解十大方向的真實(shí)進(jìn)展。

半導(dǎo)體十大預(yù)測(cè)，兌現(xiàn)幾何？

2nm：從“誰(shuí)先量產(chǎn)”到“誰(shuí)能穩(wěn)定交付”

年初普遍預(yù)測(cè)2025年將是2nm工藝的“量產(chǎn)元年”。如今來(lái)看，這一目標(biāo)基本實(shí)現(xiàn)，但需打上一個(gè)“階段性”的標(biāo)簽。

此前預(yù)測(cè)中，臺(tái)積電、三星、英特爾均計(jì)劃于2025年推出2nm或等效工藝（如Intel 18A）。如今來(lái)看，今年4月起臺(tái)積電2nm開(kāi)始接受訂單預(yù)定，計(jì)劃于第四季度晚些時(shí)候量產(chǎn)，客戶包括蘋(píng)果、英偉達(dá)、AMD、高通、聯(lián)發(fā)科頭部芯片廠商。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家表示2nm 芯片的需求已經(jīng)超過(guò) 3nm 一代。為滿足不斷增長(zhǎng)的訂單需求，臺(tái)積電正規(guī)劃擴(kuò)充生產(chǎn)能力。截至目前，臺(tái)積電已規(guī)劃共7座2nm晶圓廠，分別位于新竹科學(xué)園區(qū)（2座）與高雄楠梓園區(qū)（5座）。若新增的3座工廠順利落地，其2nm工藝專(zhuān)用晶圓廠總數(shù)將增至10座。

三星電子首款 2nm 工藝移動(dòng)應(yīng)用處理器 Exynos 2600 已正式啟動(dòng)量產(chǎn)，當(dāng)前良率已穩(wěn)定在50%-60%，但該消息在市場(chǎng)端未形成顯著反響。核心原因或指向 2nm 工藝良率的不確定性，疊加此前其 3nm 工藝在量產(chǎn)階段曾暴露的技術(shù)落地與成本控制問(wèn)題，導(dǎo)致行業(yè)對(duì)這款旗艦芯片的規(guī)模化供貨能力及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力保持觀望態(tài)度。

英特爾18A工藝已在亞利桑那州的Fab 52工廠進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)。該工藝采用全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)和背面供電技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了能效與密度的雙重進(jìn)步。

需要指出的是，“量產(chǎn)”并不等于“大規(guī)模供貨”。目前2nm產(chǎn)能極為有限，主要服務(wù)于高溢價(jià)客戶，距離消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的普及仍有至少一年半載。真正的放量，還是要到2026年。

HBM4，SK海力士再度搶跑

如果說(shuō)2024年是HBM3E的爆發(fā)年，那么2025年無(wú)疑是HBM4的啟動(dòng)之年。

今年9月，SK海力士在向英偉達(dá)等主要客戶交付了12層HBM4樣品6個(gè)月后完成了HBM4存儲(chǔ)芯片的開(kāi)發(fā)，進(jìn)入了量產(chǎn)階段。其HBM4產(chǎn)品將于今年第四季度開(kāi)始出貨，并計(jì)劃于明年全面擴(kuò)大銷(xiāo)售。

三星電子與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)價(jià)格談判已進(jìn)入最后階段。三星電子正在避免導(dǎo)致其在 DRAM 領(lǐng)域失去主導(dǎo)地位的錯(cuò)誤，正在利用更先進(jìn)的1c DRAM 的 HBM4的大規(guī)模生產(chǎn)，來(lái)確保對(duì)SK海力士的基于1b DRAM的HBM4的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。不過(guò)，目前三星的HBM4產(chǎn)品仍處于最終測(cè)試階段，業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)其大規(guī)模出貨時(shí)間可能會(huì)在2026年。

先進(jìn)封裝，多點(diǎn)開(kāi)紅花中

先進(jìn)封裝已成為延續(xù)摩爾定律的核心路徑。2025年，不僅是CoWoS產(chǎn)能釋放的大年，更是下一代共封裝光學(xué)（CoPoS）技術(shù)布局的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

臺(tái)積電已啟動(dòng)群創(chuàng)南科廠（AP8）作為CoWoS-L主要生產(chǎn)基地，下半年已完成全產(chǎn)能運(yùn)轉(zhuǎn)。竹南、龍?zhí)兜葟S區(qū)也在調(diào)整產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)未來(lái)CoWoS-L和InFO-M等技術(shù)的需求增長(zhǎng)。

值得注意的是，臺(tái)積電在持續(xù)擴(kuò)大CoWoS產(chǎn)能的同時(shí)，也在加速推進(jìn)CoPoS技術(shù)研發(fā)和工廠建設(shè)。 該公司已于2025年第三季度提前發(fā)布了首批供應(yīng)商名單和設(shè)備規(guī)格。臺(tái)積電計(jì)劃于 2026 年在 VisEra 建立第一條 CoPoS 試點(diǎn)生產(chǎn)線，量產(chǎn)將在其嘉義 AP7 工廠進(jìn)行。

摩根士丹利分析師近日發(fā)布報(bào)告，2026年底臺(tái)積電的CoWoS月產(chǎn)能將達(dá)到至少12萬(wàn)至13萬(wàn)片，高于此前預(yù)估的10萬(wàn)片。這一顯著上調(diào)是基于該行最新的行業(yè)調(diào)查。

與此同時(shí)，國(guó)產(chǎn)封測(cè)廠商也在加速追趕，2025年上半年，長(zhǎng)電科技專(zhuān)門(mén)的車(chē)規(guī)級(jí)芯片封測(cè)基地已完成建設(shè)，下半年將通線投產(chǎn)。通富超威（蘇州）微電子有限公司項(xiàng)目一期，已于2025年1月實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，從事FCBGA高端先進(jìn)封測(cè)。華天科技江蘇盤(pán)古半導(dǎo)體板級(jí)封測(cè)項(xiàng)目致力于推動(dòng)板級(jí)扇出封裝技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn)，也于年內(nèi)部分投產(chǎn)。

英偉達(dá)Blackwell Ultra GB300，重磅來(lái)襲

今年3月，在GTC 2025大會(huì)上，英偉達(dá)正式發(fā)布了全新的Blackwell Ultra GB300芯片，并于第三季度進(jìn)入規(guī)模化量產(chǎn)階段。新的B300 GPU將提供比B200更高的計(jì)算吞吐量，多出50%的片上內(nèi)存將能夠支持更大參數(shù)量的AI模型，而相應(yīng)的計(jì)算能力也肯定會(huì)有所幫助。此外英偉達(dá)還預(yù)告了下一代芯片“Rubin”，預(yù)計(jì)將于2026年下半年發(fā)布。Rubin芯片的性能將更上一層樓，其FP4推理性能可達(dá)50 petaflops，是當(dāng)前Blackwell芯片的兩倍以上。

今年6月，AMD在ADVANCING AI2025峰會(huì)上公布了全新的CDNA 4 GPU架構(gòu)，發(fā)布了AMD Instinct MI350系列GPU以及全新的ROCm 7。作為首個(gè)采用CNDA 4架構(gòu)的AI加速卡，Instinct MI350系列GPU包含了峰值功耗1000W、面向風(fēng)冷系統(tǒng)的Instinct MI350X以及峰值功耗1400W、性能更加強(qiáng)勁的面向液冷散熱系統(tǒng)的Instinct MI355X。除了全新的Instinct MI350系列GPU之外，AMD還預(yù)先披露了2026年即將發(fā)布的MI400系列GPU，它將把AI高性能計(jì)算GPU產(chǎn)品帶入一個(gè)全新時(shí)代。

英特爾宣布，將在2026年CES展會(huì)上全球首發(fā)酷睿Ultra第3代 “Panther Lake”處理器。

除了AI新款芯片的陸續(xù)推出，2025年還有一個(gè)最顯著的變化，即AI處理器格局多元化，在這一年里以谷歌為代表的ASIC陣營(yíng)也取得突破性進(jìn)展。

實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，在處理特定AI模型時(shí)，TPU的運(yùn)算速度可達(dá)到同代英偉達(dá)GPU的1.5-2倍，能耗效率提升約30%。這種性能優(yōu)勢(shì)源于谷歌"軟硬一體"的設(shè)計(jì)理念——TPU專(zhuān)為T(mén)ensorFlow框架優(yōu)化，從芯片架構(gòu)到編譯器都進(jìn)行深度定制。但英偉達(dá)的底氣在于其GPU的通用性?xún)?yōu)勢(shì)。 A100芯片不僅支持所有主流AI框架，還能兼顧圖形渲染、科學(xué)計(jì)算等多重任務(wù)。

國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)芯片，加速上車(chē)

2025年，也被諸多車(chē)規(guī)芯片廠商視為高階智駕的決賽點(diǎn)、量產(chǎn)上車(chē)的窗口期。

11月22日，地平線披露，高階智能駕駛方案HSD（Horizon SuperDrive）已拿到國(guó)內(nèi)外10家車(chē)企品牌、超20款車(chē)型定點(diǎn)，搭載最高算力560TOPS的征程6P芯片，可部署端到端、VLA、VLM等大模型。此外，其征程家族芯片量產(chǎn)出貨突破1000萬(wàn)套，成為國(guó)內(nèi)首家千萬(wàn)級(jí)智駕芯片出貨企業(yè)。

征程6P采用多核異構(gòu)架構(gòu)，算力資源支持高階輔助駕駛快速落地。地平線表示，HSD方案覆蓋高速、城區(qū)及泊車(chē)場(chǎng)景，已與國(guó)際頭部車(chē)企展開(kāi)量產(chǎn)合作，預(yù)計(jì)2026年起陸續(xù)上車(chē)。

黑芝麻智能武當(dāng)C1200家族智能汽車(chē)跨域計(jì)算芯片平臺(tái)于2023年4月發(fā)布，是業(yè)內(nèi)第一個(gè)為智能汽車(chē)設(shè)計(jì)的跨域計(jì)算SoC平臺(tái)，能夠滿足車(chē)規(guī)安全等級(jí)最高的可靠性要求。其中，C1236芯片面向高階智駕，單芯片支持NOA行泊一體；C1296芯片單芯片支持跨域融合。基于C1200家族，黑芝麻智能已與眾多客戶達(dá)成合作，包括一汽紅旗、風(fēng)河、均聯(lián)智及、斑馬智行等眾多主機(jī)廠及生態(tài)合作伙伴。

今年3月，芯擎科技正式發(fā)布全場(chǎng)景高階自動(dòng)駕駛7nm芯片“星辰一號(hào)”，以及對(duì)應(yīng)的智能座艙和智能駕駛?cè)盗薪鉀Q方案，相應(yīng)芯片將于明年大規(guī)模上車(chē)應(yīng)用。該芯片采用 7nm 車(chē)規(guī)工藝，符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，引入多核異構(gòu)架構(gòu)讓智能駕駛算力更加強(qiáng)勁。CPU 算力達(dá) 250 KDMIPS，NPU 算力高達(dá) 512 TOPS，通過(guò)多芯片協(xié)同可實(shí)現(xiàn)最高 2048 TOPS 算力。

量子處理器，仍在打地基

年初有觀點(diǎn)認(rèn)為“2025年量子處理器將進(jìn)入實(shí)用化探索階段”。現(xiàn)在回看，這一判斷基本成立，但“實(shí)用”二字仍言之尚早。

近日，科技巨頭IBM發(fā)布了兩款實(shí)驗(yàn)性量子芯片——Loon和Nighthawk。不過(guò)根據(jù)最近公布的最新的修訂版路線圖，IBM規(guī)劃了從2025年到2033年及以后的道路。路線圖顯示，在年初預(yù)測(cè)中寫(xiě)道的Kookaburra將于2026年推出，這將是第一個(gè)能夠在qLDPC存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)信息并通過(guò)附加的LPU處理信息的量子處理器模塊，將容錯(cuò)系統(tǒng)擴(kuò)展到單個(gè)芯片之外。

2027年，Cockatoo將使用L-couplers，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)Kookaburra模塊間的纏繞，從而像連接大型系統(tǒng)中的節(jié)點(diǎn)一樣將量子芯片連接在一起，避免構(gòu)建不切實(shí)際的大型芯片。2029年交付全球首個(gè)大規(guī)模容錯(cuò)量子計(jì)算機(jī)——IBM Quantum Starling。

這些成果在科學(xué)層面意義重大，證明了容錯(cuò)量子計(jì)算的可行性，但距離成熟應(yīng)用還有較長(zhǎng)的時(shí)間。量子處理器仍是“未來(lái)的技術(shù)”，2025年的進(jìn)展更多是“打地基”，而非“蓋樓”。

硅光與CPO：1.6T時(shí)代悄然開(kāi)啟

隨著AI集群對(duì)帶寬與功耗的要求逼近極限，硅光子集成和共封裝光學(xué)（CPO）成為熱門(mén)選項(xiàng)。

2025年，博通、思科、Ayar Labs聯(lián)合推動(dòng)CPO技術(shù)，在800G向1.6T過(guò)渡中功耗大幅減少，Meta、微軟已在部分AI集群中測(cè)試CPO交換機(jī)，驗(yàn)證其可靠性。

臺(tái)積電已成功將共封裝光學(xué)元件（CPO）技術(shù)與先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)相結(jié)合。預(yù)計(jì)從2025年初開(kāi)始提供樣品，這一成就預(yù)示著臺(tái)積電將在同年迎來(lái)1.6T光傳輸時(shí)代。據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè)，博通和英偉達(dá)有望成為臺(tái)積電這一解決方案的首批用戶。

LightCounting預(yù)測(cè)，2025 年全球 800G 光模塊出貨量將突破 500 萬(wàn)只，其中 LPO 方案占比有望超過(guò) 40%，而這一數(shù)據(jù)在 2023 年還不到 50 萬(wàn)只 。800G 光模塊，尤其是采用 LPO 技術(shù)的產(chǎn)品，正處于快速發(fā)展階段，在 AI 算力爆發(fā)時(shí)代扮演著愈發(fā)關(guān)鍵的角色，持續(xù)推動(dòng)著數(shù)據(jù)中心光互連格局的重塑與變革。

800G光模塊之后，隨著AI服務(wù)器集群對(duì)互聯(lián)速率提出更高要求，英偉達(dá)已在GB300服務(wù)器中選擇轉(zhuǎn)向1.6T光模塊，同時(shí)在GB200上也提供了升級(jí)至1.6T光模塊的選項(xiàng)，因此1.6T光模塊開(kāi)始登上舞臺(tái)。

關(guān)于接下來(lái)的發(fā)展預(yù)測(cè)，未來(lái)1-2年將進(jìn)入 1.6T速率，預(yù)計(jì)到 2029 年，AI 應(yīng)用的光模塊速率將達(dá)到 3.2T，2030 年 3.2T將走向規(guī)模應(yīng)用。

切入AI計(jì)算核心戰(zhàn)場(chǎng)

2025年，RISC-V不再只是“低功耗MCU”的代名詞，而是正式切入AI計(jì)算核心戰(zhàn)場(chǎng)。

其實(shí)早在2024年，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所與北京開(kāi)源芯片研究院發(fā)布的第三代“香山”開(kāi)源高性能RISC-V處理器核的性能已進(jìn)入第一梯隊(duì)，此外芯來(lái)科技、奕斯偉、進(jìn)迭時(shí)空等一批國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)布了IP，工具鏈，軟件平臺(tái)，AI PC芯片、AI MCU、多媒體處理器等芯片，以及開(kāi)發(fā)板等產(chǎn)品。

從當(dāng)前落地進(jìn)展看，RISC-V正同步向三大高價(jià)值領(lǐng)域縱深推進(jìn)——端側(cè)AI、智能汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心。它不再局限于低功耗IoT設(shè)備，而是展現(xiàn)出跨層級(jí)場(chǎng)景穿透力：既能嵌入一顆語(yǔ)音喚醒芯片，也能支撐一輛智能汽車(chē)的決策系統(tǒng)，甚至成為云數(shù)據(jù)中心的信任底座。

在推動(dòng)RISC-V與AI深度融合的進(jìn)程中，奕斯偉計(jì)算、中移芯昇、進(jìn)迭時(shí)空均有相關(guān)落子。在汽車(chē)場(chǎng)景，英飛凌、Mobileye陸續(xù)發(fā)布ADAS方案。英偉達(dá)正積極推進(jìn)CUDA向RISC-V架構(gòu)的移植工作，意味著開(kāi)發(fā)者可以自由選擇數(shù)據(jù)中心CPU架構(gòu)，將在生態(tài)層面推動(dòng)RISC-V在高性能計(jì)算領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

RISC-V International預(yù)測(cè)，到2031年，RISC-V芯片將在六大市場(chǎng)占據(jù)顯著份額：消費(fèi)電子（39%）、計(jì)算機(jī)（33%）、汽車(chē)（31%）、數(shù)據(jù)中心（28%）、工業(yè)（27%）和網(wǎng)絡(luò)通信（26%），總體出貨量將超200億顆。

8英寸SiC，開(kāi)始放量

2025年，碳化硅產(chǎn)業(yè)將正式進(jìn)入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換階段，意法半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、羅姆、Resonac、安森美等公司均有8英寸SiC晶圓廠投產(chǎn)。

碳化硅從6英寸升級(jí)到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產(chǎn)量，8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉(zhuǎn)型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時(shí)，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。

中國(guó)公司方面，天岳先進(jìn)，天科合達(dá)、三安光電等均已具備大規(guī)模量產(chǎn)能力。其中天岳先進(jìn)2024年以8英寸為主的襯底產(chǎn)能達(dá)46萬(wàn)片/年，2025年目標(biāo)總產(chǎn)能提升至60萬(wàn)片/年，上海臨港工廠2024年年中已提前達(dá)成年產(chǎn)30萬(wàn)片導(dǎo)電型襯底產(chǎn)能，目前正推進(jìn)二階段產(chǎn)能提升，濟(jì)南、濟(jì)寧基地與臨港基地形成協(xié)同供應(yīng)。

天科合達(dá)2024年已實(shí)現(xiàn)8英寸襯底大規(guī)模生產(chǎn)，2025年襯底總產(chǎn)能規(guī)劃達(dá)50-80萬(wàn)片（含8英寸），外延片產(chǎn)能25萬(wàn)片，北京、徐州基地為核心，深圳合資公司重投天科進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)6-8英寸襯底及外延產(chǎn)能，且8英寸產(chǎn)品已通過(guò)國(guó)內(nèi)外主流器件廠商驗(yàn)證并獲得多年LTA量產(chǎn)訂單。

2025年上半年，三安光電湖南基地8英寸襯底產(chǎn)能達(dá)1000片/月，外延產(chǎn)能2000片/月，重慶基地與意法半導(dǎo)體合資布局，規(guī)劃8英寸襯底產(chǎn)能48萬(wàn)片/年，2025年2月已通線并交付樣品驗(yàn)證。

8英寸碳化硅正驅(qū)動(dòng)多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景爆發(fā)，電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域800V平臺(tái)成為標(biāo)配；光伏領(lǐng)域碳化硅器件效率達(dá)98%以上，光儲(chǔ)一體化方案成為行業(yè)標(biāo)配；此外在新興市場(chǎng)，8英寸襯底可生產(chǎn)3-4副AR眼鏡，成本下降將加速AR眼鏡等應(yīng)用發(fā)展。

AI+EDA，重要性凸顯

2025年，AI不再只是EDA流程中的“加速器”，而是開(kāi)始重構(gòu)芯片設(shè)計(jì)范式。

新思科技DSO.ai已廣泛應(yīng)用于2nm以下節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)，可在無(wú)需人工干預(yù)的情況下，自動(dòng)搜索最優(yōu)布局布線方案，實(shí)現(xiàn)PPA（性能、功耗、面積）綜合提升超10%。

英偉達(dá)cuLitho利用GPU集群加速OPC（光學(xué)鄰近校正）計(jì)算，使原本需要數(shù)周的掩膜生成過(guò)程縮短至數(shù)小時(shí)，提速達(dá)40倍。

Aitomatic發(fā)布的開(kāi)源大模型SemiKong，支持自然語(yǔ)言查詢(xún)?cè)O(shè)計(jì)規(guī)則、自動(dòng)生成Verilog代碼片段、輔助故障定位。已在多家初創(chuàng)公司中用于快速原型開(kāi)發(fā)。

AI+EDA正在降低高端芯片設(shè)計(jì)門(mén)檻。

回望年初十大預(yù)測(cè)，多數(shù)方向按既定節(jié)奏推進(jìn)，少數(shù)略有延遲，個(gè)別甚至超預(yù)期發(fā)展。站在2025年的終點(diǎn)眺望2026，下一個(gè)技術(shù)爆發(fā)點(diǎn)或許不在遠(yuǎn)方——它就在那些默默擴(kuò)產(chǎn)的晶圓廠里，在一次次良率爬坡的日志中，在工程師敲下的每一行代碼里。