中國半導體存儲器市場已成為全球第二大市場

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

中國約占全球半導體存儲器市場的30%。

全球規模最大的半導體存儲器和存儲技術盛會——未來存儲大會（FMS），于2025年8月5日至7日（美國時間）在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行。大會涵蓋主題演講、專題講座、展覽等多元環節，且僅開放現場參會，未提供線上參與渠道。近日，FMS官方網站已正式發布主題演講視頻及全體會議報告的幻燈片，披露了多項行業核心數據與發展預判。

市場研究公司Yole Group高級分析師Josephine Lau以“存儲器市場概覽——2025年展望”為題發表講座，重點預測了半導體存儲器市場至2030年的發展趨勢，并深入剖析了HBM（高帶寬內存）市場的未來前景。結合其披露的核心數據，2024年全球DRAM與NAND閃存市場的區域份額（按企業總部所在地劃分）呈現明確格局：美洲在兩大市場中均位居首位，中國則位列第二。

具體來看，Yole Group測算數據顯示，2024年中國將占據全球DRAM市場26%的份額（對應市場價值250億美元），在NAND閃存市場的份額則達到33%（對應市場價值220億美元），其中中國在NAND閃存市場的區域份額高于DRAM市場。從市場價值合計維度，2024年全球DRAM與NAND閃存市場總價值達1650億美元，中國占比470億美元，對應全球占比28.5%。

需注意的是，DRAM與NAND閃存合計占據全球半導體存儲器市場97%的份額，據此可推算中國約占全球半導體存儲器市場的30%。

2024年DRAM市場和NAND閃存市場的區域份額（區域劃分基于總部所在地）。來源：2025年FMS會議論文集，Yole集團

在供應商競爭層面，Yole Group還分析了2024年主要DRAM及NAND閃存供應商在中國市場的銷售額占比。其中，三星電子、SK海力士、美光科技三大DRAM巨頭中，三星在中國市場的銷售額占比最高，SK海力士緊隨其后，美光位居第三；即便如此，三星在中國市場的銷售額占比也僅約30%，整體處于較低水平。

中國DRAM和NAND閃存主要供應商的市場價值和銷售額占比（2024年）來源：2025年FMS會議論文集，Yole集團

從全球產能供需格局來看，以晶圓加工量為核心指標的分析顯示，中國大陸與美國的市場需求均超過本地供應；而包括日本、韓國、中國臺灣、新加坡在內的其他亞洲國家及地區（不含中國）則呈現供應過剩態勢，凸顯這些區域是全球DRAM與NAND閃存的核心供應基地。按工廠所在地劃分的全球生產比例數據顯示，韓國以45%的占比位居第一，中國大陸以24%位列第二，后續依次為日本（16%）、中國臺灣（10%）、新加坡（4%）和美國（2%）。值得關注的是，盡管中國大陸的生產比例排名第二，但其產能仍無法滿足本土市場需求。

資本投資方面，2020-2024年全球半導體存儲器企業的投資趨勢明確：三星的資本投資額始終位居行業首位，SK海力士與美光的投資額約為三星的一半。細分領域中，專注于NAND閃存的鎧俠-閃迪聯盟在2030-2024年期間選擇控制資本投資規模，而全球NAND閃存龍頭企業則持續加大投資；另有一大核心看點是，中國DRAM龍頭企業在2024年的資本投資額將實現大幅增長。

半導體存儲器公司存儲器生產資本投資趨勢（2020-2024）。來源：2025年FMS會議論文集，Yole集團

近日，野村證券預測，受人工智能基礎設施建設及傳統服務器投資回暖的驅動，全球存儲市場規模有望在2026年同比增長98%至4450億美元，并在2027年進一步擴大至5900億美元。

報告強調，這一輪超級周期將持續至2027年，主要動力來自強勁的需求增長與有限的供應擴張之間的供需錯配。野村預計，2026年DRAM和NAND的需求將分別增長30%，而HBM的需求增幅將高達63%。在供應受限的背景下，產品價格將大幅上漲，預計DRAM和NAND的平均售價（ASP）將分別躍升46%和65%，推動存儲芯片制造商的營業利潤率重回歷史高位。

野村指出，除了AI服務器的強勁需求外，通用服務器市場的復蘇也是關鍵驅動力。隨著大型科技公司恢復傳統云服務器投資，預計2026年通用服務器相關內存（如DDR4和DDR5）需求將增長約50%。同時，AI推理工作負載的增加推動了數據中心對高性能存儲的需求，企業級固態硬盤（eSSD）需求預計將在明年翻倍，這將導致NAND庫存迅速下降并推高價格。

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