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本文由半導體產業縱橫(ID:ICVIEWS)綜合
2030年半導體存儲器市場將達3020億美元,HBM以33%CAGR領跑。
日前,全球規模最大的半導體存儲器和存儲技術盛會—未來存儲大會(FMS)在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行。近日,FMS官方網站已發布了主題演講視頻和全體會議報告的幻燈片。
報告首先概述了半導體存儲器市場(由Yole Group于2025年5月創建,不包括嵌入式存儲器)及其發展趨勢。2024年,市場規模達到1700億美元,較上年增長78%。按產品類型劃分,DRAM(包括HBM)占據最大份額,達57%。HBM本身占10%。NAND閃存緊隨DRAM之后,占40%。DRAM和NAND閃存合計占97%的市場份額,表明這兩種產品占據了半導體存儲器市場的大部分份額。
其他產品包括占比 1.7% 的 NOR 閃存、占比 0.4% 的非易失性 SRAM 和鐵電存儲器 (NVSRAM/FRAM)、占比 0.1% 的下一代非易失性存儲器 (新興 NVM) 以及占比 0.63% 的 EEPROM 和其他產品。
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2024年半導體存儲器市場(按產品分類)及市場規模趨勢(2020-2025年)。來源:2025年FMS,Yole集團
同一張幻燈片還展示了2020年至2025年的市場規模趨勢。其中,2024年及之前的數據為實際數據,2025年的數據為預測數據。預計到2025年,半導體存儲器市場規模將增長18%,達到2000億美元。
到2030年,HBM將以33%的平均高增長率引領整體存儲器市場
演示文稿還展示了對比2024年和2030年半導體存儲器市場的幻燈片。2024年的數據為實際(估計)數據,2030年的數據為預測數據。預計2030年半導體存儲器市場規模將達到3020億美元,約為2024年的1.8倍。2024年至2030年的復合年增長率(CAGR)約為10%。
按產品類型劃分,DRAM市場規模將從2024年的970億美元增長到2030年的1940億美元,年復合增長率約為12%。HBM將推動DRAM市場增長,其市場規模將從2024年的174億美元顯著增長到2030年的980億美元。HBM市場的年復合增長率將高達約33%。
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2024年半導體存儲器市場(實際結果)和2030年半導體存儲器市場(預測)來源:2025年FMS,Yole集團
NAND閃存市場規模將從2024年的680億美元增長到2030年的1010億美元,復合年增長率(CAGR)約為7%,低于半導體存儲器整體10%的復合年增長率。
在其他產品中,NOR閃存預計將從2024年的29億美元增長到2030年的41億美元。除NOR閃存以外的其他存儲產品的市場增長空間不大。
到2030年,HBM比特成本將持續上漲
一份很有用的幻燈片分析了2020年至2030年HBM市場的情況。如上所述,市場規模(價值)將從2024年到2030年以33%的復合年增長率(CAGR)高速增長。相比之下,比特等效出貨量(2024-2030年)的復合年增長率略低,為31%。換句話說,每比特的成本將會上升。簡單的計算(價值/GB)顯示,2024年的每比特成本(實際每GB成本)為11.3美元,而2030年的每比特成本(預測每GB成本)將達到12.9美元。
2024 年至 2030 年晶圓加工量(每月)的復合年增長率甚至更低,僅為 18%,這表明銷售額的增長大于晶圓加工成本的增長。
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如今,AI服務器與通用服務器正共同驅動新一輪存儲器超級周期,在此背景下,消費電子的DRAM產能已經被持續擠壓。
根據TrendForce集邦咨詢分享的預測數據,2024至2026年,AI與服務器相關應用對DRAM產能的占比分別達到46%、56%及66%。除HBM需求激增外,服務器DRAM的需求也在激增,Graphics DRAM亦是如此,如英偉達RTX Pro 6000等產品亦消耗大量產能,此外AI平臺對LPDDR方案的廣泛采用進一步擠占消費級產品供給。該趨勢已呈不可逆態勢,2027年上述領域合計占比將突破70%。
TrendForce集邦咨詢資深研究副總經理吳雅婷表示,值得注意的是,鑒于買方資金實力雄厚,傾向于維持更高庫存水平,實際采購量將顯著超出2026年的66%、2027年的70%預測值,導致PC、智能手機等消費終端可獲得的DRAM分配量進一步收縮。
“AI服務器、GPU廠商(如英偉達)為保障產能,愿意為LPDDR5支付比手機廠商高出50%—60%的溢價。存儲原廠為追求更高利潤,自然優先將產能分配給AI客戶。”吳雅婷表示,AI吃掉的量越來越多,今年英偉達占了LPDDR產量的3%,明年會上升到4%,而且這是實際的需求,英偉達還會傾向把庫存建得更高,所以保守估計,英偉達真正在LPDDR5購買的量應該會占到整個產業的5%到6%。
而為了應對強勁需求,三大DRAM供貨商正積極提升資本支出,并規劃新廠,在未來釋放更多的產量。
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