剛剛！SK海力士Q3業(yè)績(jī)炸裂：創(chuàng)紀(jì)錄、1nm工藝+擴(kuò)產(chǎn)！全系DRAM/NAND：明年100%售罄！

SK海力士業(yè)績(jī)要點(diǎn)

• 營(yíng)收 24.4489 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 11.3834 萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn) 12.5975 萬(wàn)億韓元
• HBM 及高性能服務(wù)器產(chǎn)品銷量強(qiáng)勁，推動(dòng)季度業(yè)績(jī)創(chuàng)歷史新高
• 已敲定明年 HBM 供應(yīng)；HBM4 今年 Q4 出貨，明年 DRAM 與 NAND 需求全落實(shí)
• 以業(yè)內(nèi)頂尖性能產(chǎn)品響應(yīng)客戶需求，引領(lǐng) AI 內(nèi)存市場(chǎng)

一、Q3 業(yè)績(jī)登峰造極：營(yíng)收破 24 萬(wàn)億，凈利潤(rùn)率超 50%

SK 海力士第三季度創(chuàng)下公司歷史最高季度業(yè)績(jī)，核心數(shù)據(jù)堪稱行業(yè)標(biāo)桿：營(yíng)收 24.4489 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 11.3834 萬(wàn)億韓元（利潤(rùn)率 47%），凈利潤(rùn) 12.5975 萬(wàn)億韓元（利潤(rùn)率 52%），其中營(yíng)業(yè)利潤(rùn)首破 10 萬(wàn)億韓元，刷新自身紀(jì)錄。

業(yè)績(jī)爆發(fā)背后，兩大引擎強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)：一是 DRAM 與 NAND 價(jià)格全面上漲，二是 AI 服務(wù)器高性能產(chǎn)品出貨量激增。12 層堆疊 HBM3E、服務(wù)器 DDR5 等高附加值產(chǎn)品成增長(zhǎng)主力，128GB 及以上大容量 DDR5 出貨量環(huán)比翻倍，AI 服務(wù)器用 eSSD 占比大幅提升。

財(cái)務(wù)端同步走強(qiáng)，現(xiàn)金及等價(jià)物達(dá) 27.9 萬(wàn)億韓元，凈現(xiàn)金頭寸 3.8 萬(wàn)億韓元，資金實(shí)力筑牢發(fā)展根基。

二、AI 重塑市場(chǎng)：1nm 工藝量產(chǎn)，HBM4 四季度出貨

AI 市場(chǎng)向推理驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)型，通用服務(wù)器負(fù)載需求激增，疊加全球 AI 巨頭密集擴(kuò)建數(shù)據(jù)中心，全系列內(nèi)存需求迎來爆發(fā)期。

SK 海力士精準(zhǔn)卡位，產(chǎn)品布局直擊核心：

DRAM 領(lǐng)域加速遷移 1nm（1cnm）工藝，該 10 納米第六代技術(shù)已穩(wěn)定量產(chǎn)，將構(gòu)建服務(wù)器、移動(dòng)、圖形全場(chǎng)景產(chǎn)品矩陣；

NAND 領(lǐng)域提產(chǎn)全球最高 321 層 TLC/QLC 產(chǎn)品；

HBM4 于 9 月完成研發(fā)并量產(chǎn)，四季度啟動(dòng)出貨，明年銷量全面擴(kuò)大，且已鎖定核心客戶明年供應(yīng)訂單。

全系列 DRAM/NAND 明年產(chǎn)能需求 100% 落實(shí)。

三、產(chǎn)能 + 投資雙加碼：M15X 擴(kuò)產(chǎn)，明年投資超今年

為承接超預(yù)期需求，SK 海力士祭出硬核產(chǎn)能規(guī)劃：M15X 工廠新潔凈室提前啟用，設(shè)備安裝已啟動(dòng)，同時(shí)加速先進(jìn)工藝遷移。

投資策略同步升級(jí)，基于市場(chǎng)匹配原則，明年投資額預(yù)計(jì)超今年，以產(chǎn)能擴(kuò)張 + 技術(shù)迭代雙輪驅(qū)動(dòng)，鞏固行業(yè)地位。

四、CFO：內(nèi)存市場(chǎng)入新范式，鎖定 AI 內(nèi)存龍頭

SK 海力士 CFO 金宇賢重磅表態(tài)：“AI 技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)進(jìn)入新范式，需求覆蓋全產(chǎn)品領(lǐng)域。” 公司將憑市場(chǎng)領(lǐng)先產(chǎn)品與差異化技術(shù)，持續(xù)鞏固 AI 內(nèi)存領(lǐng)先地位，劍指全球 AI 內(nèi)存核心供應(yīng)商。

SK 海力士業(yè)績(jī)介紹PPT如下：