羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容性

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發電、儲能系統及AI數據中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產品，既能靈活滿足客戶的各類應用需求，亦可輕松實現產品切換。此次合作將顯著提升用戶在設計與采購環節的便利性。

英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁 Peter Wawer表示：“我們很高興能夠通過與羅姆的合作進一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作將為客戶在設計和采購流程中提供更豐富的選擇與更大的靈活性，同時還有助于開發出能夠推動低碳進程的高能效應用方案。”

羅姆董事兼常務執行官 功率器件事業部負責人伊野和英表示：“羅姆的使命是為客戶提供最佳解決方案。與英飛凌的合作將有助于拓展我們的解決方案組合，同時也是實現這一目標的重要一步。我們期待通過此次合作，能夠在推進協同創新的同時降低復雜性，進一步提升客戶滿意度，共同開拓功率電子行業的未來。”

英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁　Peter Wawer（左）

羅姆董事兼常務執行官 伊野和英（右）

作為此次合作的一部分，羅姆將采用英飛凌創新的SiC頂部散熱平臺（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封裝）。該平臺將所有封裝統一為2.3mm的標準化高度，不僅簡化設計流程、降低散熱系統成本，更能有效利用基板空間，功率密度提升幅度最高可達兩倍。

同時，英飛凌將采用羅姆的半橋結構SiC模塊“DOT-247”，并開發兼容封裝。這將使英飛凌新發布的Double TO-247 IGBT產品組合新增SiC半橋解決方案。羅姆先進的DOT-247封裝相比傳統分立器件封裝，可實現更高功率密度與設計自由度。其采用將兩個TO-247封裝連接的獨特結構，較TO-247封裝降低約15%的熱阻和50%的電感。憑借這些特性，該封裝的功率密度達到TO-247封裝的2.3倍。

羅姆與英飛凌計劃今后將不僅在硅基封裝，還將在SiC、GaN等各類封裝領域進一步擴大合作。此舉也將進一步深化雙方的合作關系，為用戶提供更廣泛的解決方案與采購選擇。

SiC功率器件通過更高效的電力轉換，不僅增強了高功率應用的性能表現，在嚴苛環境下展現出卓越的可靠性與堅固性，同時還使更加小型化的設計成為可能。借助羅姆與英飛凌的SiC功率器件，用戶可為電動汽車充電、可再生能源系統、AI數據中心等應用開發高能效解決方案，實現更高功率密度。