存儲(chǔ)超級(jí)周期，預(yù)計(jì)將持續(xù)到2028年

到2028年，HBM的總體有效市場(chǎng)將以約40%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

半導(dǎo)體行業(yè)人士表示，存儲(chǔ)市場(chǎng)已進(jìn)入漫長(zhǎng)的上升周期，DRAM和NAND的供應(yīng)短缺狀況可能會(huì)持續(xù)到至少2028年。

歷史上，存儲(chǔ)供應(yīng)商一直在供過于求和供不應(yīng)求之間搖擺，經(jīng)歷了從高需求和短缺時(shí)期，到庫(kù)存過剩、利潤(rùn)暴漲暴跌以及供應(yīng)過剩繼而枯竭的低迷時(shí)期的循環(huán)。然而這一次，由AI訓(xùn)練和推理工作負(fù)載驅(qū)動(dòng)的需求正在重塑這一周期。存儲(chǔ)需求的激增如此強(qiáng)勁，制造商需要數(shù)年時(shí)間才能擴(kuò)充足夠的產(chǎn)能以跟上需求。

觀察美光存儲(chǔ)產(chǎn)品的營(yíng)收和利潤(rùn)，可以印證這種傳統(tǒng)的從過剩到枯竭的模式：

需求從2016年到2018年急劇上升，2019年和2020年跌入低谷，2021年和2022年再次攀升，隨后在2023年再次回落。此后，需求在2024年和2025年持續(xù)激增，且進(jìn)入2026年仍無緩解跡象。

當(dāng)美光在12月發(fā)布其2026財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)時(shí)，該公司表示，持續(xù)的行業(yè)需求加上供應(yīng)受限正在造成市場(chǎng)供應(yīng)緊張，并預(yù)計(jì)這種情況將持續(xù)到2026日歷年之后。這意味著上升周期將至少持續(xù)三年，甚至可能更長(zhǎng)。

一個(gè)主要的驅(qū)動(dòng)因素是用于GPU進(jìn)行AI訓(xùn)練和推理的高帶寬內(nèi)存(HBM)。超大規(guī)模GPU計(jì)算供應(yīng)商正在消耗越來越多的HBM，美光預(yù)測(cè)，到2028年，HBM的總體有效市場(chǎng)將以約40%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，從2025年的約350億美元增至2028年的約1000億美元。

AI工作負(fù)載對(duì)NAND的需求往往緊隨HBM的增長(zhǎng)，這表明當(dāng)前的上升周期可能會(huì)從2024年持續(xù)到2028年。

并非只有美光看到了這一趨勢(shì)。SK海力士自2016年以來的季度營(yíng)收歷史顯示，在經(jīng)歷了兩輪相對(duì)溫和的需求周期后，近年來出現(xiàn)了更為強(qiáng)勁的上升勢(shì)頭。

布魯姆斯伯里情報(bào)與安全研究所(The Bloomsbury Intelligence and Security Institute)指出：“全球存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)結(jié)構(gòu)性危機(jī)，其驅(qū)動(dòng)因素是制造商將晶圓產(chǎn)能從通用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)重新分配給用于人工智能(AI)應(yīng)用的高帶寬內(nèi)存(HBM)。結(jié)果是，DRAM價(jià)格同比上漲了171%，DDR5現(xiàn)貨價(jià)格自2025年9月以來已翻了兩番。”

這種情況會(huì)持續(xù)多久？“存儲(chǔ)價(jià)格很可能在2027-2028年期間維持高位，只有當(dāng)新的制造設(shè)施實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，部分價(jià)格回歸正常才具有現(xiàn)實(shí)可能性；而如果AI需求隨著產(chǎn)能擴(kuò)張而放緩，2028-2029年出現(xiàn)供應(yīng)過剩也仍是一個(gè)現(xiàn)實(shí)的可能性。”

行業(yè)分析機(jī)構(gòu)IDC也將這一局勢(shì)描述為半導(dǎo)體超級(jí)周期，并表示：“繼2023年的回調(diào)和2024年的復(fù)蘇之后，2024-2028年的長(zhǎng)期半導(dǎo)體營(yíng)收增長(zhǎng)仍保持在兩位數(shù)復(fù)合年增長(zhǎng)率的軌道上。”

對(duì)于存儲(chǔ)行業(yè)而言，其影響在于NAND成本上升和交貨時(shí)間延長(zhǎng)。供應(yīng)商們已經(jīng)開始采取應(yīng)對(duì)策略，例如VAST的Flash Reclaim（閃存回收）方法，以及VDURA強(qiáng)調(diào)的將數(shù)據(jù)從固態(tài)硬盤(SSD)分層存儲(chǔ)到機(jī)械硬盤以減少SSD需求的做法。

預(yù)計(jì)混合閃存和磁盤存儲(chǔ)供應(yīng)商也會(huì)傳達(dá)類似的信息，同時(shí)數(shù)據(jù)管理供應(yīng)商將推廣相關(guān)技術(shù)，將非關(guān)鍵數(shù)據(jù)從SSD中移出，并應(yīng)用數(shù)據(jù)縮減技術(shù)以便在更少的NAND中存儲(chǔ)更多信息。針對(duì)根本性的供應(yīng)受限問題尚無簡(jiǎn)單的解決辦法；行業(yè)目前能做的，充其量只是專注于緩解局勢(shì)，減輕負(fù)面影響。

美光：18億美元現(xiàn)金收購(gòu)力積電P5廠區(qū)

美光宣布，已簽署獨(dú)家意向書，擬以18億美元現(xiàn)金對(duì)價(jià)收購(gòu)力積電股份有限公司（簡(jiǎn)稱：力積電）位于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)苗栗縣同羅鎮(zhèn)的 P5 晶圓廠廠區(qū)。此次收購(gòu)包含一座現(xiàn)有的30萬平方英尺300毫米晶圓廠潔凈室，將進(jìn)一步助力美光滿足全球持續(xù)增長(zhǎng)的存儲(chǔ)解決方案需求。該意向書同時(shí)計(jì)劃推動(dòng)美光與力積電建立長(zhǎng)期合作關(guān)系，合作內(nèi)容涵蓋美光的晶圓后封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，還將為力積電的傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)品組合提供支持。

美光科技全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁馬內(nèi)什?巴蒂亞表示：“此次對(duì)現(xiàn)有潔凈室的戰(zhàn)略收購(gòu)，將完善我們?cè)谥袊?guó)臺(tái)灣地區(qū)的現(xiàn)有業(yè)務(wù)布局。在當(dāng)前存儲(chǔ)市場(chǎng)供不應(yīng)求的背景下，這一舉措能幫助美光提升產(chǎn)能，更好地服務(wù)客戶。”

他補(bǔ)充道：“同羅廠區(qū)毗鄰美光臺(tái)中廠區(qū)，這一區(qū)位優(yōu)勢(shì)將實(shí)現(xiàn)我們?cè)谥袊?guó)臺(tái)灣地區(qū)各業(yè)務(wù)間的協(xié)同增效。”

待交易協(xié)議正式簽署且獲得所需監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)后，此次交易預(yù)計(jì)將于2026 年第二季度完成交割。交易交割后，美光將取得P5廠區(qū)的所有權(quán)與控制權(quán)，分階段完成設(shè)備配置并逐步提升 DRAM 產(chǎn)能；力積電則將在指定期限內(nèi)遷移其位于同羅的相關(guān)業(yè)務(wù)。美光預(yù)計(jì)，此次收購(gòu)所帶來的可觀 DRAM 晶圓產(chǎn)能，將于2027年下半年正式釋放。

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