上海
富采與德國ALLOS Semiconductors 1 月19日宣布締結策略合作，雙方將攜手推動8 吋硅基氮化鎵LED磊芯片（GaN-on-Si LED epitaxial wafer）量產，加速 Micro LED 于AR等更多高整合之顯示器應用的發(fā)展。富采擁有全球領先的高階 LED磊晶制造技術與產能，ALLOS 則具備業(yè)界頂尖的 硅基氮化鎵磊晶技術，這項合作象征 Micro LED 產業(yè)供應鏈邁向更加成熟的重要里程碑。
富采與ALLOS 攜手開發(fā) GaN-on-Si LED 磊芯片，結合富采在 LED結構上的深厚技術與 ALLOS硅基氮化鎵緩沖結構技術，不僅亮度與能效可媲美傳統(tǒng)藍寶石基板成長的氮化鎵LED（GaN-on-sapphire），更透過磊芯片尺寸擴大至 8 吋以上，大幅提升單片產出面積與制程效率。此外，其超小像素間距可滿足近眼顯示的高解析需求，并具備高度硅晶圓制程兼容性與量產可行性。
富采光電元件事業(yè)本部總經理唐修穆博士表示：「這項合作將提供具高度競爭力的硅基氮化鎵Micro LED 解決方案，并建立可擴展、與硅晶圓廠制程高度兼容的量產途徑。藉由與 ALLOS 攜手，我們得以同步布局 8 吋 硅基氮化鎵Micro LED 磊晶技術，為快速成長的 Micro LED 產業(yè)提供更完整的價值鏈與解決方案。」
ALLOS 共同創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長 Burkhard Slischka 則指出：「富采是我們理想的合作伙伴。雙方強強聯(lián)手，將為客戶提供高質量、具擴展性的磊芯片供應。我們的合作將提供業(yè)界最佳組合，包括最高的 LED 效率與卓越的Micro LED磊晶制程及芯片對接制程的良率（wafer-to-wafer yield），引領 Micro LED 晶粒制造邁向新里程碑。」
此外，這項合作也將為邁向12 吋 硅基氮化鎵LED 磊晶技術鋪路，以因應市場對更大尺寸晶圓的需求、加速Micro LED普及化。ALLOS 自 2020 年起即已展示 12 吋量產能力，并持續(xù)與全球客戶合作優(yōu)化技術；富采也將持續(xù)攜手產業(yè)伙伴，共同拓展 Micro LED 的無限可能。
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