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      碳化硅晶舟:半導體設(shè)備中“晶圓隱形守護者”

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      在半導體制程中,氧化是將晶圓置于高溫環(huán)境下,通過氧氣在晶圓表面的流動形成氧化層,以保護晶圓不受化學雜質(zhì)影響,避免漏電流進入電路,預防離子植入過程中的擴散以及防止晶圓刻蝕時滑脫,在晶圓表面形成保護膜。該步驟使用設(shè)備為氧化爐,反應(yīng)腔內(nèi)零部件主要包含晶舟、底座、襯爐管、內(nèi)爐管、隔熱擋板等。由于操作溫度較高,因此,對反應(yīng)腔內(nèi)零部件性能的要求也較高。


      立式氧化爐

      晶舟是用作晶圓傳送及加工的承載工具,應(yīng)具有集成度高、可靠性高、防靜電、耐高溫、耐磨損、不易變形、穩(wěn)定性好、使用壽命長等優(yōu)勢。由于晶圓氧化溫度約在800℃~1300℃之間,且對環(huán)境中金屬雜質(zhì)含量要求極為嚴格,故而要求晶舟等關(guān)鍵零部件不僅要具有優(yōu)異的熱學、力學、化學性能,且必須有極低的金屬雜質(zhì)含量。

      按照基材不同,可分為石英晶舟、碳化硅陶瓷晶舟等。但隨著7nm以下工藝節(jié)點的推進和高溫工藝窗口的擴大,傳統(tǒng)石英晶舟在熱穩(wěn)定性、顆??刂?、壽命管理等方面逐漸力不從心,碳化硅晶舟(SiC Boat)正逐步取代傳統(tǒng)石英方案。

      為什么是碳化硅?

      1.高溫穩(wěn)定性

      高溫穩(wěn)定性是SiC舟的最突出優(yōu)點,它在極高溫度下(>1300°C)也幾乎不變形,不會下垂,能夠長期保持精準的晶圓槽位。

      2.超長使用壽命

      單舟承載強度高,可同時支撐數(shù)十至百張12英寸晶圓;相較傳統(tǒng)石英晶舟,碳化硅晶舟平均使用壽命提升5~10倍,降低設(shè)備換型頻次與總擁有成本。

      3.表面潔凈、極低污染

      材料純度高,金屬雜質(zhì)含量極低,避免對硅片造成二次污染;表面粗糙度控制優(yōu)異,Ra可低于0.1μm,抑制顆粒脫落,滿足先進制程潔凈等級需求。

      4.適用于超高溫工藝

      對于需要1200°C以上的工藝(如某些特殊的厚膜氧化、SiC器件制造、或深槽填充工藝),SiC晶舟是不可替代的選擇。

      兩種晶舟的對比



      碳化硅晶舟的應(yīng)用領(lǐng)域

      半導體制造

      在芯片制造的高溫工藝環(huán)節(jié),如氧化、擴散、化學氣相沉積(CVD)、離子注入等過程中,碳化硅晶舟用于承載硅片,確保晶片在高溫下保持平整,避免因熱應(yīng)力導致的晶格錯位或變形,保障芯片的精度和性能。



      光伏產(chǎn)業(yè)

      碳化硅陶瓷具有良好的機械強度、熱穩(wěn)定性、耐高溫性、抗氧化性、抗熱震性及耐化學腐蝕性,被廣泛應(yīng)用于冶金、機械、新能源和建材化工等熱門領(lǐng)域。其性能也足以勝任光伏制造中TOPcon電池的擴散、LPCVD(低壓化學氣相沉積)、PECVD(等離子化學氣相沉積)等熱制程環(huán)節(jié)。相比于傳統(tǒng)的石英材料,碳化硅陶瓷材料制作的舟托、小舟、管件制品強度更高,熱穩(wěn)定性更好,高溫使用不變形,且壽命是石英材質(zhì)的5倍以上,可顯著降低使用成本及維修停線造成的常能損失,成本優(yōu)勢明顯,且原料來源廣泛。

      第三代半導體產(chǎn)業(yè)

      在金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)反應(yīng)室中,碳化硅晶舟用于承載藍寶石襯底,耐受氨氣(NH3)等腐蝕性氣體環(huán)境,支持氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料的外延生長,提升LED芯片的發(fā)光效率和性能。在碳化硅單晶生長中,碳化硅晶舟作為籽晶承載架,用于碳化硅單晶生長爐中,耐受熔融硅的高溫腐蝕環(huán)境,為碳化硅單晶的生長提供穩(wěn)定支撐,促進高質(zhì)量碳化硅單晶的制備。

      碳化硅晶舟發(fā)展趨勢

      市場方面,根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù),2025年全球晶舟市場規(guī)模約14億美金,預計到2028年達18億美元;按照碳化硅滲透率20%,中國市場占比1/3計算(中國半導體協(xié)會數(shù)據(jù)),中國市場分別為6.72億和8.64億。



      技術(shù)方面,碳化硅材料的熱膨脹系數(shù)比石英的大,在應(yīng)用中容易開裂,在制造上更推廣一體成型技術(shù),減少拼接縫隙,降低顆粒脫落風險。并且優(yōu)化晶舟齒槽設(shè)計,結(jié)合五軸加工和線切割技術(shù),確保晶圓搬運的精準性和流暢性。

      目前國內(nèi)主要的半導體碳化硅晶舟生產(chǎn)企業(yè)主要有:

      沈陽星光

      沈陽星光新材料有限成立于2019年,是一家集設(shè)計、研發(fā)、制造于一體的新型碳化硅材料制造企業(yè)。公司產(chǎn)品覆蓋碳化硅晶舟、碳化硅爐管、高精密碳化硅結(jié)構(gòu)部件、半導體用高純碳化硅粉體、半導體光伏設(shè)備爐腔配件等。據(jù)公司沈陽星光碳化硅基半導體核心零部件生產(chǎn)項目公布,該項目建成后,預計年產(chǎn)高純碳化硅爐管1900支,高純碳化硅晶舟1700支,各類爐腔配件2200支。



      吉盛微

      吉盛微(武漢)新材料科技有限公司為盛吉盛(寧波)半導體科技有限公司在武漢投資成立。公司致力于SiC材料、SiC基聚焦環(huán)、簇射極板及晶圓舟等碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵設(shè)備的零部件和耗材的研發(fā)、生產(chǎn)制造。

      晶孚新材

      江蘇晶孚新材料科技有限公司位于江蘇省揚州儀征市開發(fā)區(qū),公司主打碳化硅陶瓷、碳化硅舟、托、密封件、爐管等關(guān)鍵耗材,成功解決傳統(tǒng)石英部件在離子注入等工藝中壽命短的痛點,將使用壽命延長至5年以上,降低晶圓綜合生產(chǎn)成本30%并提升良率≥2%。

      珂瑪科技

      安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司是蘇州珂瑪材料科技股份有限公司的子公司,成立于2022年11月,主要從事碳化硅晶舟、碳化硅爐管等高精密陶瓷部件以及各種專業(yè)設(shè)備的設(shè)計制造。

      漢京半導體

      遼寧漢京半導體材料有限公司(漢京半導體)成立于2006年,作為國內(nèi)首家碳化硅耗材生產(chǎn)商,專注于高精密石英和碳化硅陶瓷零部件的研發(fā)與制造。漢京半導體的碳化硅陶瓷產(chǎn)品以高純度、高精度特性為核心,主要涵蓋碳化硅陶瓷保溫筒、爐管碳化硅零部件等半導體設(shè)備專用耗材,廣泛應(yīng)用于集成電路制造環(huán)節(jié)的高溫處理和精密工藝階段。



      寧波伏爾肯

      寧波伏爾肯科技股份有限公司成立于1998年,專注于高性能碳化硅結(jié)構(gòu)陶瓷的研發(fā)與生產(chǎn)近30年。伏爾肯生產(chǎn)的晶舟等產(chǎn)品已經(jīng)批量應(yīng)用于半導體高溫熱處理設(shè)備(氧化、擴散、MOCVD),陶瓷部件在半導體裝備應(yīng)用中對物料純度、尺寸精度、機械性能、熱性能、電性能等方面具有較高要求。

      三責新材

      三責新材致力于高性能碳化硅陶瓷研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和工程應(yīng)用。得益于公司所掌握的多種成型工藝和材料技術(shù),三責新材可提供CORESIC? RBS H注漿成型的碳化硅懸臂槳、舟托、晶舟及爐管產(chǎn)品,CORESIC? RBE H擠出成型的碳化硅懸臂桿、懸臂梁以及保護管產(chǎn)品,CORESIC? RBP H等靜壓成型的舟托、晶舟及支架等產(chǎn)品,亦可使用3D打印成型制作相關(guān)舟托和晶舟等產(chǎn)品。

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