財聯社1月2日訊(編輯 周子意)周五(1月2日),韓國基準股指Kospi在其2026年首個交易日中首次突破4,300點關口,收盤創歷史新高,而這主要由大型半導體股的強勁上漲所牽引。
基準韓國綜合股價指數(KOSPI)收漲2.27%于4,309.63點,首次突破4,300點關口,并打破去年11月3日創下的上一個高點4221.87點;韓國創業板指數(KOSDAQ)也收于945.57,上漲2.17%。
當日,外資凈買入約6300億韓元,引領上漲趨勢;相比之下,個人和機構投資者分別凈售出約4500億和2300億韓元。
交易態勢偏積極
強勁的出口似乎緩解了近期美國股市疲軟帶來的壓力。韓國政府1月1日公布的數據顯示,2025年該國出口達到歷史新高7097億美元,首次突破7000億美元的里程碑,這得益于人工智能和半導體產業的增長。
元大證券分析師Kim Yong-gu指出,“在全球經濟增長、銷售和盈利的良性循環,以及政府全力刺激經濟和股市的背景下,預計KOSPI股指將呈中性至積極的交易態勢。”
另有分析指出,一月份股市的表現可以作為全年趨勢的衡量標準,新年首個交易日KOSPI指數強勁的上漲提升了投資者對今年市場的預期。
韓國頭部綜合金融機構韓華證券研究員Kim Soo-yeon就表示,“自2013年以來對26個行業的分析顯示,1月上漲的板塊在全年上漲的概率約為60%。
科技板塊活躍
從成分股表現來看,大型科技股帶領了指數的上漲,投資者也在押注人工智能帶來的持續作用力。
周五,市場風向標三星電子飆升7.17%,至128,500韓元;芯片巨頭SK海力士上漲3.99%,至67.7萬韓元。值得一提的是,這兩家芯片巨頭雙雙創下歷史新高。
目前,這兩家公司正在人工智能芯片市場展開激烈競爭。在10月舉行的2025半導體展覽會上,兩家公司分別展示了各自研發的下一代高帶寬內存HBM4芯片,表明了引領半導體行業的信心。
目前市場仍由第五代HBM3E芯片主導,但業內觀察人士預計,HBM4將在明年成為一個主要因素,因為英偉達計劃在其下一代AI加速器Rubin中使用它。
上月,有報道稱,三星計劃于2026年2月啟動HBM4芯片的大規模量產,SK海力士也將在相近時間開啟量產進程,此舉標志著全球內存半導體產業邁入一個全新階段。
值得一提的是,三星電子聯席首席執行官兼芯片主管Jun Young-hyun在新年致辭中表示,三星HBM4的差異化競爭力得到了客戶的一致好評,并宣告“三星回來了”。
Counterpoint Research的數據顯示,在2025年第三季度,SK海力士占據了HBM市場53%的份額;三星緊隨其后,占35%;美光占11%。
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