存儲巨頭，加緊擴產

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為滿足人工智能（AI）普及帶來的存儲芯片需求增長，三星電子正計劃擴大其位于平澤的半導體工廠的產能。在決定恢復平澤5號生產線（P5）的建設后，該公司已啟動關鍵基礎設施的招標程序，并且有跡象表明，平澤4號生產線（P4）的設備引進時間正在提前。

29日，業內人士透露，三星電子正積極推進平澤P5工廠氣體和化學品供應設備的招標流程。氣體和化學品工藝設備是生產線建設中至關重要的組成部分。通常情況下，設備訂單會在框架搭建完成后才下達，但此次為了加快批量生產進度，該公司據稱將采取“快速通道”策略，即框架搭建、設備訂購和安裝工作同步進行。

具體來說，P5是三星電子在平澤第二園區正在推進的一條新生產線。內部決策機構近期決定啟動框架建設，目標是在2028年投產。然而，鑒于電子和IT行業正面臨存儲芯片嚴重短缺的困境，且預計從明年開始供應短缺情況將進一步惡化，因此有人預期P5的投產時間可能會提前。

據報道，全球工業氣體公司和韓國韓國設備企業正準備參與競標。潛在競標者包括林德集團、液化空氣集團、漢陽氣工（默克）、沃尼克控股、漢陽工程和STI。總投資額預計至少數千億韓元，最高可達萬億韓元。

一位熟悉三星電子的消息人士表示：“P5項目的投資進展速度前所未有。通常情況下，諸如燃氣和化工設施等‘公用設施’部件會在機架建造完成后才進行，但這次似乎決定同步投資。”他補充道：“這反映了管理層的判斷，即公司必須迅速應對市場狀況。”

三星電子籌備已久的P4產能擴建投資，將成為其10納米第六代（1c）DRAM生產的核心，如今也正演變成一場速度競賽。據報道，P4設備的搬入和試運行目標時間已提前兩到三個月。這款1c DRAM將應用于第六代HBM（HBM4）芯片，而HBM4正是明年AI內存市場競爭最為激烈的領域。

對尖端工藝的投資也在持續進行。三星電子此前已決定推出高數值孔徑（High NA）極紫外光刻（EUV）設備用于量產，并正迅速響應下一代精細工藝的需求。對于極紫外光刻設備而言，交付前必須先搭建各種輔助設備和平臺。業內人士認為，這與三星電子近期大舉訂購設備密切相關。

主要設備合作伙伴也正努力跟上三星電子的投資步伐。一家韓國大型設備制造商的負責人表示：“三星電子的訂單量超出預期，而且速度非常快，交貨期限非常緊迫。”他補充道：“盡管時間緊迫，韓國設備制造商仍在調動所有生產線盡力滿足進度要求，但一些海外公司卻表現出猶豫。”

SK海力士的M15X將于明年5月開始運營

SK海力士是半導體行業首家開始量產第六代高帶寬存儲器（HBM）HBM4的公司，計劃發起大規模供應攻勢，瞄準明年的人工智能（AI）半導體市場。

據業內人士透露，SK海力士將于明年5月完成M15X晶圓廠首個潔凈室的建設并開始試生產。M15X是SK海力士投資超過20萬億韓元的主要生產基地。該工廠計劃生產目前的主要產品HBM3E，以及將于明年初開始量產的HBM4。據悉，該工廠還將引進用于生產第七代產品HBM4E的10納米（nm，十億分之一米）級第六代DRAM的生產線。

M15X工廠將配備兩間潔凈室，其中一間將于明年5月竣工。潔凈室建成后，工廠將開始試生產，預計大約6個月后即可投入量產。如果一切按計劃進行，M15X工廠的首間潔凈室將于明年11月左右開始量產。此外，SK海力士計劃在明年年底前完成第二間潔凈室的建設。M15X工廠預計將于2027年中期滿負荷運轉，屆時基于12英寸晶圓的DRAM月產量預計約為5萬片。

SK海力士正在加速提高DRAM產量，因為這是一個克服全球人工智能半導體供應短缺、提高銷售額和市場主導地位的機會。

目前，包括美國、中國、日本和歐洲在內的全球各國和企業正投入數千億韓元，力圖在人工智能產業中占據領先地位。然而，人工智能需要圖形處理器（GPU）來處理海量數據，還需要超高性能、低功耗的動態隨機存取存儲器（HBM）來確保推理和計算能力。

然而，用于制造高性能人工智能芯片的HBM（人腦內存模塊）面臨著供不應求的局面。目前，只有三家公司具備生產用于高性能人工智能芯片的HBM3E（第五代）和HBM4的能力：SK海力士、三星電子和美國的美光科技。在這種市場格局下，提高HBM產量的公司必然會獲得更大的市場主導地位。SK海力士計劃通過以下策略實現雙贏：首先，將于明年2月率先在全球范圍內量產下一代產品HBM4；隨后，提高目前市場需求最高的HBM3E的產量。

SK海力士此次增產計劃也包含進一步拉開與競爭對手差距的策略。SK海力士的DRAM月產能為50萬片晶圓，即使加上M15X芯片，也只能達到55萬片。相比之下，三星電子的月產能高達65萬片晶圓。

HBM是一種高性能存儲半導體，由DRAM堆疊而成。三星電子憑借其龐大的DRAM產能，正在恢復HBM的競爭力，導致市場格局波動。尤其值得注意的是，市場分析顯示，三星電子（月產能17萬片）的HBM產能已超過SK海力士（月產能16萬片），因此三星電子正加速提升技術能力，以期量產HBM4。SK海力士則計劃通過先進技術和提升HBM3E的產量，搶占先機，量產HBM4，從而擺脫三星電子的追趕。

SK海力士計劃短期內通過M15X晶圓廠加入產能爭奪戰，中長期則著眼于龍仁半導體產業集群。龍仁產業集群一期晶圓廠總投資120萬億韓元，預計于2027年5月竣工。一期晶圓廠共包含6間潔凈室，將陸續建成投產，直至2030年。一期晶圓廠滿負荷運轉后，每月將新增約35萬片晶圓產能，使SK海力士的總產能顯著提升至每月90萬片。

金融投資行業預測，由于SK海力士率先實現HBM4量產并提高HBM3E的產量，其市場份額明年將超過50%。三星電子預計將保持在30%左右，而美光預計將保持在20%左右。尤其值得一提的是，隨著英偉達下一代AI加速器Rubin將于明年第四季度發布，SK海力士的HBM4供應量極有可能大幅增長。SK海力士計劃于明年2月開始HBM4量產，并于5月啟動M15X的生產，從而鞏固其在HBM領域的領先地位。一位業內人士表示：“HBM市場現已進入第二輪，穩定的供應能力已成為超越技術競爭的核心競爭力。”他預測：“明年2月HBM4的量產和5月M15X的投產將是SK海力士鞏固其‘第一’地位的關鍵時刻。”

與此同時，SK海力士有望憑借其在高價值高分子骨微電機市場的領先地位，繼續創造公司歷史上最佳業績。今年第三季度營業利潤達11.383萬億韓元，預計第四季度利潤將達到15萬億韓元。預計明年全年營業利潤將高達93萬億韓元。

https://biz.chosun.com/en/en-it/2025/12/29/OYTP74HKCJHZZL5ZC64FLIF2W4/

（來源：編譯自chosun）

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