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全球半導體行業預計將進入以人工智能(AI)為中心的新增長階段。在新的一年里,受AI數據中心需求的推動,存儲器半導體市場預計將繼續保持由供應商驅動的超級周期,而系統半導體市場預計將圍繞AI加速器和先進工藝進行重組。 尤其值得一提的是,韓國半導體行業有望擺脫其在存儲器領域的壟斷地位,并在AI系統半導體和代工領域探索新的增長引擎。
今年下半年,在全球大型科技公司大力投資人工智能基礎設施的推動下,存儲半導體市場進入了前所未有的“超級周期”。人工智能服務器所需的高容量、高性能DRAM和NAND閃存需求激增,促使供應商將產能集中于這些領域,通用內存的價格也隨之上漲。
因此,預計三星電子和SK海力士今年的銷售額將逐步增長。
這輪存儲器超級周期很可能延續到新年。與以往需求驅動的周期不同,此次周期供應商占據了主導地位。存儲器公司優先投資改造現有生產線,而非新建晶圓廠,并且對快速擴張產能仍持謹慎態度。
美光科技已決定在新的一年停止面向消費級市場的DRAM和NAND閃存出貨,并將重心轉向人工智能數據中心的內存產品。三星電子和SK海力士也已將其大部分DRAM產能分配給服務器和數據中心的HBM(高帶寬內存)。受主要客戶加大對人工智能半導體投資的推動,預計明年對HBM的需求將保持強勁。
預計新年伊始,HBM市場仍將面臨供應短缺。據報道,存儲器制造商已經敲定了明年大部分HBM供應合同。
預計HBM3E的出貨量將因市場對NVIDIA“Blackwell”系列產品的需求而增長,而HBM4預計將從明年下半年開始實現顯著增長。由于HBM4的技術復雜性顯著提高,例如其輸入/輸出(I/O)端口數量較前幾代產品翻了一番,因此預計將被定位為高附加值產品。
三星電子和SK海力士正集中精力進行樣品測試和工藝驗證,以確保HBM4及時實現商業化。業內人士預測,這兩家公司將繼續保持其在下一代人工智能半導體存儲器市場的領先地位。
在系統半導體領域,預計國內人工智能半導體產業將從新年開始出現顯著增長。盡管智能手機和個人電腦等通用系統半導體的復蘇有限,但國內企業正在人工智能數據中心、服務器和邊緣加速器等領域快速驗證和展示其技術。
包括Rebellion和Furiosa AI在內的國內人工智能半導體初創公司正積極推進商業化進程,重點研發面向數據中心的人工智能加速器和神經網絡處理單元(NPU)。與以往不同的是,它們不再局限于簡單的技術演示,而是將重點放在概念驗證(PoC)和實際客戶環境中的試點應用上。
隨著政府主導的人工智能半導體示范項目以及向公共、金融和數據中心領域引入人工智能半導體的持續討論,新的一年有望成為國內人工智能半導體企業獲得市場認可的轉折點。
三星電子的晶圓代工業務也被認為是人工智能半導體增長的關鍵驅動力。在新的一年里,三星電子正積極爭取高性能半導體訂單,重點發展超精細工藝,例如2納米(納米,十億分之一米)。
人工智能半導體尤其需要大規模芯片設計、復雜的工藝流程和先進的封裝技術。三星電子正利用其涵蓋晶圓代工和封裝的綜合半導體制造能力,拓展與國內人工智能半導體企業的合作機會。
業內人士認為,新的一年是國內人工智能半導體設計-代工-封裝生態系統真正開始運轉的起點。
一位半導體行業內部人士表示:“新的一年,半導體市場將圍繞人工智能同時重組存儲器和系統半導體。”他補充道:“在存儲器方面,通過 HBM 實現的超高市場差距將得到加強;在系統半導體方面,韓國的人工智能半導體和代工廠可能會成為新的增長引擎。”
https://zdnet.co.kr/view/?no=20251222102150
(來源:編譯自zdnet)
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