臺積電前副總裁：大陸的芯片企業正在被逼出一個奇跡，趕超臺積電和歐美企業，只剩時間問題了

近年來，全球半導體產業正經歷百年未有之大變局。在美國對中國大陸芯片產業實施一系列出口管制后，中國芯片公司不但沒有止步不前，反而在“逆風中前行”，引發全球產業格局的深刻調整。臺積電前研發副總裁林本堅在多次采訪中指出，大陸芯片企業正在被逼出一個“奇跡”，有望重新定義半導體發展路徑，并有潛力在某些技術領域趕超傳統歐美與臺灣芯片巨頭。

PART.01

全球芯片產業格局

自2019年起，美國政府開始針對中國半導體產業實施多輪出口限制，尤其禁止向中國出售極紫外光刻機（EUV）及相關關鍵設備。EUV是制造先進節點芯片（如5nm、3nm）不可或缺的核心工藝裝備，目前全球僅荷蘭ASML一家公司能夠生產。受出口管制影響，中國大陸企業難以獲取這類頂尖設備，這也使得中國芯片產業被外界普遍認為在先進制程上會面臨長期落后局面。

與此同時，美國與盟友進一步限制EDA（電子設計自動化）軟件、光刻材料以及先進封裝設備的出口，幾乎切斷了大陸企業通往全球最尖端芯片制造鏈的路徑。上述種種封鎖措施在國際產業分析中被認為將使中國芯片技術與世界領先水平拉開巨大差距。

然而，與這一判斷形成鮮明對照的是，大陸企業并未因制裁而放棄追趕，反而加快了自主創新和替代性技術路線的探索。

PART.02

被逼出來的中國路線

臺積電前副總裁林本堅在接受媒體采訪時強調：中國公司不必簡單重復臺積電、三星那樣依賴EUV推進先進制程，而是可能通過“新方法實現老目標”，甚至開辟出一條不同于傳統工藝邏輯的發展路線。

從已公開的技術進展來看，這種“另類路線”確有事實依據：

1. 多重曝光與自對準多重圖案化技術

由于無法獲得EUV設備，中國大陸芯片制造主要依賴深紫外光刻（DUV）設備，同時配合多重曝光（Multipatterning）、自對準多重圖案化（SAQP、SAOP等）等復雜工藝來壓縮線寬，實現7nm甚至“5nm級”芯片特征尺寸。

這種方法的好處在于可以利用現有設備突破原先認為無法逾越的工藝門檻；不足之處則是制造流程步驟多、成本高、良品率低，比使用EUV更為復雜。業內普遍認為這一技術路線不可能長期替代EUV，但作為臨時替代路徑，其技術價值不容忽視。

2. 華為與SMIC等企業的節點突破

2023年，SMIC（中芯國際）利用多重曝光技術成功生產出7nm級工藝芯片，并用于華為麒麟系列手機，這是中國大陸在受限環境下實現的首次突破，引發全球關注。

進入2025年，有多家報告指出中國企業正推進更復雜節點工藝的試產，例如聲稱向5nm級接近，盡管良品率仍較低，但在缺乏EUV的條件下取得這一進展本身已極具意義。

PART.03

挑戰與機遇

雖然中國大陸芯片企業在技術路線創新方面展現出極大動力，但與臺積電、三星、英特爾等全球頂尖制造商相比，仍有現實差距：

1. yield（良品率）與成本

按照業內觀察，中國大陸7nm工藝的良品率仍遠低于世界先進水平，而且整體制造成本很高。這意味著在商業化規模和經濟效益方面，還難以大規模替代傳統先進節點。

2. 核心設備短板

除了EUV之外，EDA軟件及某些關鍵加工工具長期受限，中國設備制造自主率仍然較低。國內企業如SMEE雖已推出較為先進的DUV設備，但與ASML級別的產品仍有明顯差距。

3. 研發體系與人才積累

技術突破并非一朝一夕。盡管大陸投入巨大資金建立芯片研發體系，但在整體產業鏈協同、創新能力積累方面，與國際一流水平依舊有距離。

盡管面臨技術與設備制約，中國大陸的芯片產業也展現出諸多值得關注的優點：

1. 政策與資本支持力度空前

國家集成電路產業投資基金（“大基金”）連續注資推動先進工藝、AI芯片、存儲器等關鍵領域布局，有力支撐企業長期研發投入。

2. 自主生態逐步形成

除芯片制造外，中國在EDA工具、設計IP、封裝測試等環節也在加快發展。例如本土EDA供應商開始推出可支持7nm設計的工具，國內包裝與測試企業逐漸承接國際訂單。

3. 多技術路線并存

一些業內觀點認為，中國不必完全復制全球先進制程，而可以在異構集成、高級封裝、創新架構、芯片片上系統（SoC）優化等方向找到差異化競爭優勢，同時滿足本地及國際市場需求。

PART.04

未來，創造奇跡

從產業發展的歷史經驗來看，每一次技術飛躍都源于激烈競爭與挑戰。臺積電前副總裁林本堅所言“中國大陸被逼出來一個奇跡”，既反映了中國企業在壓力下尋求創新路徑的潛力，也提醒全球半導體行業進入一個多極化競爭的新階段。

中國大陸芯片產業在追趕先進技術的過程中，既要正視差距，也要善于發揮獨特優勢。無論最終技術排名如何，這一輪全球芯片競賽本身就將推動整個行業朝更高效、更多元、更具韌性的方向發展。

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