英偉達CEO：中國的5nm只是數字游戲，性能并未提升，與美國至少還有10年差距

最近，一種說法在業內與輿論場反復被提起——“中國的5nm（或7nm）只是數字游戲，性能并沒有真正提升，與美國至少還有10年差距。”這類觀點常被歸因到以英偉達為代表的頂級芯片企業高管或其技術視角之下，態度冷靜甚至略帶傲慢。它迅速引發爭論：這是技術事實，還是話語權優勢下的價值判斷？

PART.01

制程數字，究竟是不是“文字游戲”？

先把最容易混淆的一點說清楚：“nm”本身早已不等于真實的物理柵長。

從28nm之后，全球半導體進入“等效制程”時代。今天的5nm、4nm、3nm，更多是一整套工藝能力的品牌標簽，而非某一根線寬的真實尺寸。

臺積電5nm ≠ 三星5nm ≠ 英特爾“Intel 4”。同一“nm”節點下，晶體管密度、功耗曲線、良率、設計規則差異巨大。

所以，從嚴格工程角度看，說“nm是數字”并不完全錯誤，它確實是一個綜合指標，而非單點參數。

但問題在于：“數字化”≠“沒進步”。

PART.02

中國的先進制程，究竟進步了沒有？

目前公開可驗證的信息顯示：麒麟9000S / 麒麟9010：等效7nm工藝，DUV多重曝光。龍芯3A6000：14nm工藝，但架構與指令集完全自研。制造路徑：在極端設備受限條件下，依靠工藝堆疊、設計補償、系統級優化實現量產。

如果只看“單位核心峰值性能”，國產先進制程確實不占優勢；但如果看實際用戶體驗、系統吞吐、功耗-性能曲線的可用區間，結論就不一樣了。

舉個直觀對比：麒麟9000S整體性能 ≈ 驍龍888（約3年差距），中低負載體驗，接近早期驍龍8 Gen1，高負載持續性能與能效，仍明顯落后于臺積電4nm體系。

為什么看起來性能沒躍遷？

答案很現實：DUV的天花板就在那兒。DUV理論極限：≈7nm（依靠多重曝光、工藝堆疊）。再往下，EUV幾乎不可替代。 多重曝光 = 成本上升 + 良率下降 + 功耗劣化。

所以你看到的是：制程節點“前進”，單位功耗性能提升不明顯，芯片“能用，但不完美”。這不是技術路線錯誤，而是在極端限制下，優先“活下來”的理性選擇。

PART.03

真正的差距，不在設計，而在制造鏈條

一個常被忽視的事實是：中國在芯片設計層面，已基本追平國際一線；真正的短板，在高端制造裝備。

已經站上國際舞臺的部分：中微半導體（AMEC）高端刻蝕設備已進入臺積電等國際頭部晶圓廠供應體系；盛美半導體（ACM）的清洗、除膠、電鍍等多環節設備，多項工藝達到國際先進水平；國產拋光液、靶材、部分特氣等材料體系實現替代。

仍然存在顯著差距的領域：EUV光刻機；部分高端量檢測設備； 超高一致性工藝控制。

所以，說“產業鏈差距10年”，并非空穴來風；但這10年，不是“從0到1”，而是從80到95的艱難爬坡。

當有人反復強調：“你們落后10年，永遠追不上。”

其真正目的，往往不是技術討論，而是削弱信心、固化認知、凍結追趕意志。但現實是：7年前，中國連14nm量產都困難，今天，DUV 7nm已進入穩定出貨。國產設備正在從“可用”走向“好用”。技術進步，從來不是線性躍遷，而是長時間壓縮后的突變。

差距存在，但路已經走通。真正決定未來的，從來不是別人說你落后多少年，而是你有沒有繼續往前走。

小小寰球，有幾個蒼蠅碰壁。嗡嗡叫，幾聲凄厲，幾聲抽泣。螞蟻緣槐夸大國，蚍蜉撼樹談何易。正西風落葉下長安，飛鳴鏑。

多少事，從來急；天地轉，光陰迫。一萬年太久，只爭朝夕。四海翻騰云水怒，五洲震蕩風雷激。要掃除一切害人蟲，全無敵。

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