中國對EUV光刻機布局早于西方預期，光刻機的進展可能超乎預期

外媒在分析全球光刻機專利的時候發現，中國研發EUV光刻機的時間遠超過西方的預估，早在2018年就已開始申請EUV光刻專利，凸顯出中國對芯片技術自主研發的執著和堅持，而那時候中國還在推進14納米的量產。

促使中國關注EUV光刻技術，在于2018年中國一家芯片企業下單采購EUV光刻機遇阻，由此中國芯片行業開始認識到發展先進芯片技術恐怕不會那么容易，西方可能會在先進設備方面予以阻撓，只是沒想到西方這么多年過去放行EUV光刻機。

從2018年開始研發EUV光刻機至今已有7年時間了，這7年時間里中國諸多企業陸續提交了更多的專利申請，在技術上也不斷取得進展，諸如雙工作臺、激光對準技術等都陸續取得了突破。

只不過EUV光刻機的技術難度實在太高，而且光刻機本身就是一個龐大的產業鏈，DUV光刻機的零件高達10萬個，而EUV光刻機的零件更是高達45萬個之多，據悉EUV光刻機需要全球數十個國家的5000家企業配合才能完成，生產EUV光刻機的ASML僅是生產了其中15%的零件。

這就導致中國的光刻機產業鏈即使在部分技術方面取得突破，但是仍然有太多關鍵技術需要突破，真正將EUV光刻機生產出來恐怕仍然需要不短的時間。

在光刻機技術方面繼續努力之余，中國也在基于現有的DUV光刻機開發先進工藝，普遍認為中國已在利用DUV光刻機生產7納米工藝，這是全球繼臺積電之后第二家利用DUV光刻機生產7納米工藝。

西方推測中國可能也在推進以DUV光刻機生產5納米工藝，而浸潤式光刻機之父林本堅認為中國以現有的DUV光刻機生產5納米的可行性是有的，只是5納米工藝大概率就是DUV光刻機的極限了，而且即使可以生產5納米，成本可能也遠超經濟成本。

除了基于現有的硅基芯片技術繼續推進之外，西方更擔憂的則是在先進的量子芯片、光子芯片技術方面，這些先進芯片技術，目前全球僅有中國和美國有能力推進并已取得了進展，如果這些先進芯片技術成功商用，普遍預計中國將與美國居于同一技術水平。

在量子芯片、光子芯片技術方面，中國則與美國一樣，從產業鏈到技術都完全自主化，因為這些先進技術全球都沒有先例，只能各自摸索，這些先進芯片技術將再無卡脖子之憂。

從EUV光刻技術到量子芯片、光子芯片技術，可以看出中國作為全球大國向來是從來未雨綢繆，這恰恰是西方所擔憂的，也難以評估中國在先進芯片技術方面的進展，相比之下如今的美國在先進芯片技術已失去了銳氣，以至于美國最大的芯片企業Intel如今竟然傳出從臺積電竊取2納米技術，更讓人質疑在更先進的量子芯片、光子芯片等技術方面是否真的如預期般取得進展。