【硬件資訊】三星HBM苦盡甘來！HBM4首秀破局，產能提前售罄！逆襲登頂可期！

新 聞1： 消息稱三星 HBM3E 已量產供貨英偉達，HBM4 產能被預訂一空

11 月 1 日消息，科技媒體 sammyguru 昨日（10 月 31 日）發布博文，報道稱得益于人工智能（AI）產業的蓬勃發展，三星的高帶寬內存（HBM）業務正迎來強勁復蘇，HBM4 芯片 2026 年的計劃產能已全部售罄。

三星在近期公布的 2025 年第三季度財報中確認，其存儲業務季度銷售額創下歷史新高。財報明確指出，HBM3E 芯片“目前正處于量產階段，并已向所有相關客戶供貨”。

該媒體認為這標志著這家韓國存儲巨頭在關鍵的 AI 硬件競賽中，已成功打入英偉達的第五代 HBM 芯片供應鏈，是一個重要的里程碑。

IT之家援引博文介紹，在下一代產品方面，三星同樣取得了先發優勢。盡管距離正式量產尚有時間，但其第六代產品 HBM4 已獲得客戶的高度關注。

三星已將這款尖端內存芯片的樣品送至主要客戶處進行質量測試，從目前的預購情況來看，產品性能已滿足買家要求，促使他們提前下單鎖定產能。

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三星HBM業務終于迎來苦盡甘來的逆襲開端——公司近日正式確認，2026年全年的HBM產能已被客戶完全預訂，新增訂單仍在持續涌入，不得不緊急啟動平澤工廠的生產線擴建計劃，預計將新增3條HBM專用生產線。

這一幕與此前的窘境形成鮮明對比：此前HBM3時代因良率不足、散熱不達標錯失NVIDIA核心訂單，生產線利用率不足50%，部分設備長期閑置，2024年二季度市場份額更是跌至17%，被美光反超跌至全球第三。

雖然三星未直接披露客戶名單，但財報電話會議中“HBM3E銷售正逐步擴展至所有核心客戶”的表述，被業界普遍解讀為已通過NVIDIA資格認證的信號。供應鏈消息顯示，此次產能預訂中AI芯片廠商訂單占比超70%，大概率包含NVIDIA下一代GPU的配套訂單。

新 聞 2： 三星 HBM4 內存首秀：邏輯芯片良率達 90%、引腳速度 11 Gbps

10 月 23 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（10 月 22 日）發布博文，報道稱在韓國首爾舉辦的 2025 年半導體展覽會（SEDEX）上，三星首次公開展示了 HBM4 內存，表明這家韓國科技巨頭已為即將到來的高帶寬內存市場競爭做好了充分準備。

HBM4 是指第四代高帶寬內存。一種用于高性能計算（特別是 AI 加速器）的堆疊式存儲器技術，通過在垂直方向上連接多個 DRAM 芯片，實現比傳統內存更高的數據傳輸速率和更低的功耗，是 AI 加速卡的核心部件之一，直接影響未來 AI 性能的擴展。

包括三星、SK 海力士和美光在內的主要內存制造商為確保其產品能被市場廣泛采用，都在全力開發具有競爭力的 HBM4 解決方案。

根據行業媒體 DigiTimes 的報道，三星的 HBM4 邏輯芯片良率已達到 90%。這一高良率指標表明，三星已為大規模量產做好了準備，并且目前預計不會出現生產延遲。這對于滿足未來 AI 市場對高性能內存的龐大需求至關重要，也讓三星在與對手的競爭中獲得了關鍵優勢。

為了確保其 HBM4 產品能盡早獲得市場采納，三星正在實施多項競爭策略。這些策略包括維持有競爭力的價格、提供比對手更高的產能，以及向英偉達等關鍵客戶交付更快的引腳速率。

三星 HBM4 的引腳速率可達 11Gbps，高于 SK 海力士和美光目前公布的水平。雖然三星尚未獲得英偉達的 HBM4 供應認證，但鑒于其技術進展，前景十分樂觀。

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訂單爆滿的背后，是三星在下一代技術上的提前破局——采用14層堆疊設計的HBM4內存已正式完成首秀，直接亮出性能與量產雙重底牌。這款新品的峰值帶寬突破1TB/s，較上一代HBM3E提升近30%，同時通過電路優化將能效比提升30%，徹底解決了此前高帶寬伴隨高功耗的核心痛點。

技術上的優勢更顯競爭力：14層堆疊工藝比同期SK海力士公布的12層方案密度更高，單顆芯片容量可達36GB，能更好適配AI大模型訓練的大內存需求。三星明確表示，HBM4已進入最終測試階段，計劃2025年正式量產，這一進度比原規劃提前一個季度，顯然是為鞏固逆襲優勢蓄力。

新 聞3： 三星本月將向英偉達交付HBM4樣品，目標2026年初通過認證

據TrendForce報道，在宣布與英偉達建立“AI Megafactory”合作關系后不久，三星便將注意力放到了英偉達的HBM4資格認證上。有消息人士透露，三星在完成內部可靠性測試后，計劃本月向英偉達提供樣品進行最終驗證，用于性能測試，目標2026年初通過最終認證。如果一切順利，大批量發貨將安排在2026年下半年進行。

根據三星和英偉達的聯合聲明，三星將向“AI Megafactory”供應最新的DRAM產品，包括HBM3E、HBM4、GDDR7和SOCAMM2，另外還會提供代工服務。三星強調，正在就HBM4的供應與英偉達展開密切磋商，如此高調的做法在三星身上是很罕見的。

三星的HBM4結合了4nm基礎裸片，并搭配1cnm DRAM芯片，數據傳輸速率突破了11Gbps，遠遠超過了JEDEC制定的8Gbps行業標準及客戶預期。對于三星來說，HBM4是其在HBM領域趕超競爭對手SK海力士及重奪DRAM市場領導地位的關鍵，需要以最快的速度搶占先機。

不過有業內人士表示，三星面臨的最大挑戰仍然是良品率問題。傳聞三星目前HBM4樣品的良品率大概在50%，這個數字來自于產量有限的晶圓測試，在全面量產之前，三星需要確保良品率達到70%以上。

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三星HBM的逆襲迎來最關鍵佐證——針對核心客戶英偉達的HBM4樣品交付工作已進入最終籌備階段，預計本月內即可完成樣品送達，若后續認證順利，2026年將實現正常批量交貨。這一進展徹底扭轉了此前HBM3時代因技術不達標錯失英偉達訂單的被動局面，成為其重返HBM核心供應鏈的標志性事件。

此次待交付的HBM4樣品采用12層堆疊設計，單顆容量36GB，數據傳輸速率突破11Gbps，結合4nm基礎裸片與先進封裝技術，能效比較HBM3E提升40%，完全適配英偉達下一代Rubin架構GPU的算力需求。據供應鏈透露，該樣品已在8月通過英偉達初步可靠性測試，目前良率約50%，三星正全力攻堅將其提升至70%以上，為明年量產交貨掃清障礙。

行業預測，隨著對英偉達供貨落地，2026年三星HBM市場份額將從當前17%躍升至30%，與SK海力士、美光形成三足鼎立格局，全球HBM供應緊張態勢也將隨之緩解。

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