四川
二維(2D)過渡金屬二硫族化物(TMDC)半導體是用于硅外電子器件的有前途的材料，但是單晶TMDCs的生長一直局限于實驗室環境中的小晶片尺寸。
2025年10月23日，南京大學王欣然、李濤濤、蘇州實驗室Ding Feng共同通訊在Science在線發表題為“Robust epitaxy of single-crystal transition-metal dichalcogenides on lanthanum-passivated sapphire”的研究論文，該研究報道了在鑭鈍化的c面鑭上外延150毫米單晶TMDC晶片。
鑭的單原子層降低了表面對稱性，并將反平行疇之間的能量差增加了多達200倍，導致單向疇排列。通過化學氣相沉積(CVD)和金屬有機CVD工藝生長了單晶二硫化鉬(MoS2)、二硒化鉬(MoSe2)、二硫化鎢(WS2)和二硒化鎢(WSe2)。晶圓級光譜和器件測量證明了150毫米TMDCs的卓越質量和均勻性，MoS2和WSe2在室溫下的平均遷移率分別為110和131平方厘米/伏特/秒。
二維(2D)過渡金屬二硫族化物(TMDCs)被認為是將半導體技術發展到原子極限的通道材料。然而，作為工業應用的先決條件，單晶TMDCs的規模化生產仍然是一個巨大的挑戰。這部分是由于缺少能夠實現單一取向TMDCs的通用和魯棒外延的襯底。
機理模式圖（圖源自Science）
該研究通過襯底工程的方法建立了一個用于生長晶片級單晶TMDCs的強大且通用的途徑。La-Al2O3(0001)襯底克服了先前工作在窄工藝窗口、材料類型和大面積均勻性方面的限制。La鈍化降低了Al2O3(0001)表面的對稱性，并增加了反平行疇之間的結合能差，確保了疇的單向排列，而與材料類型、襯底切割、生長過程和前體類型無關。晶圓級光譜和器件測量證明了TMDCs卓越的質量和均勻性。這項工作解決了2D半導體商業化的一個主要問題，并將大大擴展未來電子學的視野。這項工作代表著面向下一代電子產品的單晶TMDC晶片可規模化生產的顯著進步。
參考信息：
https://www.science.org/doi/10.1126/science.aea0849
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