SiC賦能：晶豐明源推出大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC，打造200W反激恒壓電源應(yīng)用

來源：市場(chǎng)資訊

（來源：晶豐明源）

當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來廣闊發(fā)展機(jī)遇，碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）憑借高頻、高功率、低損耗等優(yōu)異特性，已成為車載快充、數(shù)據(jù)中心及能源領(lǐng)域能效升級(jí)的核心關(guān)鍵材料。相較于傳統(tǒng)硅基 MOSFET，碳化硅器件更具備高頻低損耗、耐高溫、高耐壓、高功率密度及高可靠性等突出優(yōu)勢(shì)，在大功率電源應(yīng)用中可顯著提升轉(zhuǎn)換效率、縮小產(chǎn)品體積、降低系統(tǒng)成本，是新一代高效電源的理想技術(shù)方案。

晶豐明源結(jié)合碳化硅 SiC MOSFET 器件優(yōu)勢(shì)，率先推出 BP3532GC、BP3532HC 系列產(chǎn)品。方案在全功率范圍內(nèi)采用準(zhǔn)諧振谷底導(dǎo)通與混合頻率調(diào)節(jié)模式，集成恒壓 + 恒流雙閉環(huán)反饋控制，實(shí)現(xiàn)高精度電壓輸出與穩(wěn)定的過載恒流控制；結(jié)合先進(jìn)大貼片 EHSOP10 封裝，在 200W 反激恒壓電源應(yīng)用中，系統(tǒng)效率可達(dá) 93% 以上，體積縮減 30%，有效拓展終端應(yīng)用場(chǎng)景，進(jìn)一步提升電源整體性能與可靠性。

大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC/BP3532HC

目標(biāo)應(yīng)用：賦能多元恒壓照明場(chǎng)景

本系列方案主要針對(duì)高性能恒壓驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，目標(biāo)應(yīng)用包括：

• 恒壓燈帶照明

• 櫥衛(wèi)照明驅(qū)動(dòng)

• 開關(guān)電源

圖1. 兩級(jí)高PF隔離恒壓應(yīng)用電路圖

圖2. 單級(jí)低PF隔離恒壓應(yīng)用電路圖（200W 24V/8.3A）

核心性能：效率提升

• 內(nèi)置直驅(qū)800V SiC MOSFET，支持高頻(<150KHz)工作，有效提升電源功率密度

• 全功率范圍內(nèi)QR CRM/DCM模式工作，單級(jí)低PF應(yīng)用，效率>93%

• 副邊輸出整流管尖峰低，可以用低耐壓MOSFET，提高系統(tǒng)效率

• BP3532GC集成恒壓+恒流雙反饋功能，雙重過功率保護(hù)

• 優(yōu)化滿載和空載Burst mode噪音，待機(jī)功耗低至<0.3W

• BP3532GC集成高壓?jiǎn)?dòng)和輸入欠壓自動(dòng)降功率保護(hù)

• 集成輸出開路保護(hù)，短路保護(hù)和系統(tǒng)異常過溫等多重保護(hù)功能

圖3. EHSOP-10封裝（BP3532GC）

全系列Demo方案

晶豐明源提供覆蓋100W至200W的完整參考方案，滿足不同功率段的設(shè)計(jì)需求：

200W方案：BP3532HC+BP62110S

150W方案：BP3532GC + BP62110S

（長(zhǎng)寬高- 154mm x 30.5mm x 11mm）

108W方案：BP2632GC + BP3532GC + BP62110S

（長(zhǎng)寬高：175mm x 56mm x 13mm）

方案實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

效率曲線

全功率范圍內(nèi)谷底導(dǎo)通模式工作，單級(jí)低PF應(yīng)用，系統(tǒng)效率>93%。BP3532GC在 200W /150w反激恒壓電源方案中實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)效率大于93% 的優(yōu)異表現(xiàn)。這得益于芯片內(nèi)置直驅(qū)800V SiC MOSFET，和全功率范圍內(nèi)，全程實(shí)現(xiàn) MOSFET準(zhǔn)諧振谷底導(dǎo)通控制，顯著降低了開關(guān)損耗。

<< 滑動(dòng)查看效率曲線 - 200W/150W/100W >>

輸出負(fù)載調(diào)整率曲線

BP3532GC集成恒壓+恒流雙反饋功能。當(dāng)輸出功率從輕載逐漸增大滿載時(shí)，輸出電壓保持穩(wěn)定；當(dāng)功率超過恒流設(shè)定點(diǎn)之后，芯片進(jìn)入恒流反饋模式，輸出電流維持最大恒流值，輸出電壓開始平滑下降，當(dāng)VCC電壓降至VCC_UVLO后停止輸出。整個(gè)過程線性過渡、無跳變，實(shí)現(xiàn)了電源在過載情況下保持輸出精準(zhǔn)的恒流保護(hù)功能。

<< 滑動(dòng)查看單級(jí)200W/150W帶CC輸出負(fù)載調(diào)整率曲線 >>

空載功耗

優(yōu)化滿載和空載Burst mode噪音，待機(jī)功耗低至<0.3W

<< 滑動(dòng)查看空載功耗 - 200/150/100W >>

輸入欠壓自動(dòng)降功率保護(hù)

BP3532GC兼容寬輸入電壓應(yīng)用，當(dāng)輸入電壓跌落時(shí)，芯片根據(jù)輸入電壓的降低程度，自動(dòng)減小輸出電流。能夠保證在低輸入電壓時(shí)，確保電源仍能安全、可靠地運(yùn)行。

過溫保護(hù)

BP3532GC 集成芯片內(nèi)部溫度檢測(cè)與保護(hù)機(jī)制。當(dāng)系統(tǒng)工作溫度超過設(shè)定閾值時(shí)，芯片自動(dòng)觸發(fā)過溫保護(hù)，及時(shí)關(guān)斷輸出，防止電源因過熱而損壞。待溫度回落至安全區(qū)間后，電源可自動(dòng)恢復(fù)工作。可保證電源在高溫環(huán)境或異常情況下的可靠性與安全性。

短路保護(hù)

BP3532GC內(nèi)置多種保護(hù)功能，包括輸出開路/短路保護(hù)，VCC欠壓/過壓保護(hù)，CS開路保護(hù)、副邊二極管/副邊繞組短路保護(hù)。

<< 滑動(dòng)查看主要工作波形 >>

BP3532GC全程谷底開通，效率高

BP3532GC 在全功率范圍內(nèi), MOSFET 都在最低谷底電壓點(diǎn)開通，有效降低了開關(guān)損耗，從而顯著提升系統(tǒng)效率。同時(shí)，這一控制方式使副邊同步整流 MOS 管的電壓尖峰大幅降低，對(duì) MOS 管的耐壓要求也隨之下降，允許選用更低耐壓、更低成本的同步整流管，在提升可靠性的同時(shí)優(yōu)化了系統(tǒng)成本。下圖圖1為帶輕載時(shí)BP3532GC的VDS波形，為谷底導(dǎo)通。圖2為同步整流DRAIN腳開機(jī)波形，無尖峰；圖3為同步整流DRAIN腳關(guān)機(jī)波形，無尖峰。

<< 滑動(dòng)查看空載功耗 - 200/150/100W >>

晶豐明源恒壓電源選型

內(nèi)置碳化硅BP3532GC、BP3532HC恒壓系列產(chǎn)品，在大功率恒壓電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)效率躍升和功率密度提升、同時(shí)減小產(chǎn)品尺寸、降低整機(jī)重量。使電源系統(tǒng)兼具高效率、低發(fā)熱、高可靠性三大特性，全面護(hù)航您的恒壓電源應(yīng)用。

BP3532GC/BP3532HC 應(yīng)用在終端電源產(chǎn)品系列