三星電子一季度利潤超去年全年，漲價潮推高三巨頭

市場預測三星電子第二季度及下半年的業績也將保持高速增長，年度營業利潤可能接近320萬億韓元

文｜《財經》研究員 周源

編輯｜謝麗容

4月7日，韓國三星電子（005930.KS）發布2026年一季度未經審計業績指引。數據顯示，公司當季預計實現銷售額約133萬億韓元（約合6078.1億元人民幣），同比增長68.1%，環比增長41.7%；營業利潤約57.2萬億韓元（約合2611億元人民幣），同比激增755%、環比增長185%，二者均為對應業績區間的中間值。

這是三星公司上市史上首次單季營收突破100萬億韓元，且單季利潤超過了2025年全年總額（43.6萬億韓元）。

雖然另一家韓國公司SK海力士曾在2017年三季度也創下了單季營業利潤超全年水平的歷史紀錄，但當時SK海力士營收規模遠低于三星，單季利潤為3.74萬億韓元。

從全球來看，年銷售額超過100億美元（15萬億韓元）的公司中，僅有兩家美國公司在單季度實現超過全年營業利潤的業績：亞馬遜（2023年四季度）和英偉達（2023年二財季，即2023年5月-7月）。

此次三星業績爆發核心驅動力來自存儲芯片需求暴增。三星電子是全球半導體龍頭，存儲芯片更是三星核心主業之一。過去十余年間，全球存儲芯片市場始終被三星、SK海力士與美國美光科技三家廠商所壟斷，合計市占率超95%，三星存儲芯片營收規模則長年穩居存儲三巨頭之首。

自2025年二季度起，人工智能（AI）浪潮引爆存儲芯片需求，行業陷入結構性緊缺并開啟了一輪史無前例的漲價狂潮。DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器，是計算機、手機、服務器等電子設備中最核心的一種臨時數據存儲器）內存價格接連跳漲并已刷新歷史高位，漲價效應迅速傳導至NAND閃存（SSD固態硬盤里的核心存儲芯片，它決定了硬盤的容量和速度）、SSD固態硬盤等全品類，帶動整個存儲市場價格全線走高。此前國內外多家分析機構及行業從業者均判斷，此輪存儲超級周期將持續到2027年（更多信息詳見《》）。

作為存儲芯片龍頭，三星受益存儲超級周期理所當然，但這份財報還是遠超預期。此前，倫敦證券交易所集團匯總29位分析師預期，認為三星電子一季度利潤在40.5萬億至40.6萬億韓元之間，花旗銀行預測最樂觀，為51萬億韓元，三星官方指引則高于所有機構預測。

這是因為，存儲芯片在2026年一季度的漲幅也遠超預期。全球知名的半導體市場研究機構TrendForce集邦咨詢在2026年1月曾預測，一季度DRAM合約價漲幅55%-60%，NAND閃存價格上漲33%-38%。但到了3月中下旬，該季度修正數據，即更新后的、更貼近實際情況的最終數據顯示，一季度DRAM合約價格環比上漲幅度高達90%-95%，NAND閃存價格同步上漲55%-60%。遠超此前預測。

存儲芯片價格分為合約價和現貨價兩種：頭部大型電子制造企業依托規模化采購優勢，主要向存儲芯片原廠（主要是SK海力士、三星電子、美光科技）直接訂貨，或通過原廠授權代理商拿貨，結算價即合約價，通常季度更新；而數量眾多的中小微電子設備企業，因采購規模小、需求靈活且分散，大多從現貨交易市場采購，拿貨價格也以隨行就市的現貨價為準。

TrendForce集邦咨詢旗下的半導體研究中心（DRAMeXchange）在2019年發布的一份研究報告稱，現貨市場交易量僅占整個存儲芯片市場規模的10%左右，有分析人士認為，近年來由于該市場客戶結構變化，現貨交易市場的占比應不到10%。因此，合約價才是真正決定行業主流成交價格、反映存儲芯片長期供需關系的核心指標。

綜合行研機構和行業人士觀點，無論是三星季報，還是大幅上調的合約價，反應了2026年一季度存儲芯片市場發生的一些超預期的重要動向。

其一，HBM4對產能的擠占超出預期。

HBM4即第四代、也即最新一代高帶寬內存，適用于英偉達最新Rubin架構和AMD instinct 系列芯片。2025年末，業界普遍預測認為三星和海力士會平穩升級到HBM4，但實際一季度期間，英偉達與AMD為爭奪下一代 AI芯片市場份額，不惜重金搶定三星和SK海力士的HBM4產能。英偉達創始人黃仁勛今年3月公開表示“只要內存廠商能造出來（HBM4），英偉達就會全部買下”。

據外媒報道，2026年一季度，原本計劃用于生產DDR5（第五代DDR5）的晶圓被強制轉產HBM4，造成DRAM內存進一步供需失衡。

其二，SSD固態硬盤需求爆發。

NAND的超預期上漲主要是由企業級SSD固態硬盤驅動的。集邦咨詢數據顯示，隨著全球AI訓練從“文本”轉向“原生多媒體/視頻”，一季度企業級SSD（eSSD，用在數據中心、服務器里的“高性能、更耐用”的固態硬盤）價格環比上漲 53%-58%，創單季漲幅紀錄，直接拉高了NAND全線產品的合約價格。

其三，側面印證恐慌性備貨的存在。

今年2月，三星電子官宣已量產全球首款HBM4內存芯片。這款芯片的存儲單元用了三星自家最先進的1c納米工藝，控制部分則用了4納米工藝，性能大幅提升。之后據多個國際媒體報道，戴爾、惠普、聯想這三大PC巨頭為防止在二季度陷入“無貨可賣”的境地，在今年2月紛紛啟動“鎖價”機制，建議客戶在2月28日前下單以鎖定當前價格，同時加大對存儲芯片的備貨力度。與此同時，三大存儲芯片原廠三星、SK海力士、美光也同步收緊訂單審核，以應對部分客戶超額下單可能帶來的市場波動。

這一輪集中采購進一步加劇了供需緊張，推動一季度合約價漲幅大幅上修至歷史新高。

二季度存儲合約價仍將一路上揚。根據TrendForce集邦咨詢預測，因存儲原廠積極將產能轉向HBM、服務器應用，并采用“補漲”策略拉近各類產品價差，預計2026年二季度DRAM合約價格仍將增長58%-63%。NAND閃存合約價將季增70%-75%。

3月下旬，國內DDR4現貨價一度下跌超過30%，有資深貿易商向《財經》反映了他們感知到的國內DDR4現貨供需變化（更多信息詳見《。

但包括TrendForce集邦咨詢在內的多個分析機構表示，本輪存儲芯片缺貨緊缺主要由AI與服務器需求強力拉動，引發存儲超級周期的結構性因素沒有發生任何改變，合約價漲勢將持續到2026年底，現貨回調為短期波動；整體缺貨狀況要等到2028年原廠新產能開出才會逐步緩解，2027年仍將維持供應緊張格局。

鑒于此，市場預期三星電子二季度及下半年的業績也將保持高速增長。半導體行業也預測，三星電子今年的年度營業利潤可能接近320萬億韓元。

此外，基于三星電子發布的震撼性一季度財報，以及各大投行對存儲行業的最新研報，市場對SK海力士二季度（預計2026年4月下旬發布）的業績預期已經出現了大幅上調。