廣東
4月3日，法國微電子研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti與系統(tǒng)集成機(jī)構(gòu)CEA-List今日共同宣布，已與力積電（PSMC）達(dá)成一項重大的戰(zhàn)略合作。
合作將充分利用CEA-List在RISC-V架構(gòu)的設(shè)計經(jīng)驗，以及CEA-Leti在硅光子技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)積累，將高帶寬通信與高效能計算技術(shù)引入力積電成熟的3D堆疊和中介層平臺，共同打造面向下一代人工智能系統(tǒng)的先進(jìn)解決方案。
圖片來源：CEA-Leti
目前，半導(dǎo)體行業(yè)正面臨多重技術(shù)瓶頸，包括傳統(tǒng)銅互連工藝的物理局限、日益緊縮的功耗限制，以及市場對靈活、可擴(kuò)展計算架構(gòu)的迫切渴求。通過集成用于節(jié)能數(shù)據(jù)傳輸?shù)亩叹喔邘捁怄溌罚⒔Y(jié)合可定制化的RISC-V處理器架構(gòu)，三方的合作將有效解決這些挑戰(zhàn)，并為高性能數(shù)據(jù)傳輸和計算架構(gòu)開創(chuàng)全新模式。
CEA-List數(shù)字集成電路設(shè)計部門副主管指出，RISC-V正在憑借其開放性、靈活性和成本優(yōu)勢重塑處理器設(shè)計領(lǐng)域。其可定制化的特性使工業(yè)伙伴能夠根據(jù)特定需求量身定制解決方案。此次合作將為客戶提供一個既能滿足性能指標(biāo)、又能兼顧功耗效率的定制化計算平臺。
CEA-Leti首席執(zhí)行官表示，在此次合作中，Micro LED技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。Micro LED將利用低功耗氮化鎵LED方案顯著提升光通信的吞吐能力。
圖片來源：CEA-Leti
力積電首席技術(shù)官表示，此次合作通過引入高效的RISC-V計算IP和高帶寬硅光子芯粒通信技術(shù)，大幅拓展了力積電3D堆疊和中介層技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。通過結(jié)合法國CEA兩大研究所的頂尖專長與力積電的制造技術(shù)，雙方將共同為客戶提供針對下一代人工智能應(yīng)用的晶圓代工服務(wù)，助力AI產(chǎn)業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新與發(fā)展。
LEDinside整理
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