日媒：中國企業目標2030年實現7nm全自主制造

現如今放眼全球，在半導體領域，美國、韓國、日本以及荷蘭，一直有著絕對的市場，尤其是ASML光刻機，更是被稱為“人類工業的結晶”！

相較于這些國家的半導體行業，中國確實有著劣勢，不過近年來，對于該項目的研發投入，中方始終沒有放棄。

根據日本《日經亞洲》披露，以中芯國際、華虹半導體為代表的中國芯片制造商，正著手大幅提升先進制程芯片的產能，并設立了一個更具里程碑意義的長遠目標。

到2030年前后，建成一條完全依靠國產設備的7nm純國產生產線。

消息傳出后，全球科技圈和資本市場的目光再次聚焦到中國半導體產業身上。

從當前不足2萬片的月產能，到未來一至兩年內提升至10萬片，再到2030年前后在此基礎上增加50萬片，這是中國半導體行業針對7nm及以下先進制程制定的產能擴張路線圖。

目前，中國大陸唯一具備7nm級工藝芯片量產能力的企業是中芯國際。

多年來，中芯國際已在上海、深圳、北京等地的晶圓廠逐步擴大先進工藝產能，半導體行業分析機構測算，2025年先進工藝月產能有望接近5萬塊晶圓。

按照規劃，中芯國際計劃在2026年將其7nm產能翻番，這將成為當前中國大陸大規模生產的最先進工藝。

華為是目前中芯國際先進制程最大的客戶，其多款麒麟系列處理器和昇騰系列AI運算芯片，均基于中芯國際的N+2或N+3工藝制造。

從麒麟9030到麒麟X90處理器，中芯國際改進版的7nm級工藝始終是這些芯片的制造基石。

不過，與臺積電、三星等行業巨頭相比，差距依然顯著，2025年全球先進制程節點的月產能約為220萬片晶圓，中國在這一領域的全球占比尚不足5%。

產能翻番之后，這一比例將有所提升，但追趕之路仍然漫長。

如果說擴產是短期可見的目標，那么“純國產7nm生產線”則是一個更具挑戰性的長遠命題，實現這一目標的核心瓶頸，在于半導體設備的全面國產替代。

在光刻機領域，國產化的進展尤為關鍵，中芯國際已開始測試一臺國產浸沒式DUV光刻機。

該設備由上海一家初創企業研發，團隊中包含大量前華為工程師，行業專家判斷，這臺國產DUV光刻機距離大規模集成電路量產部署至少還需要兩年時間。

上海微電子的28nm浸沒式DUV光刻機已進入量產測試階段，核心部件國產化率超過70%，支持7nm多重曝光工藝。

中芯國際的測試數據顯示，該設備良率穩定在90%以上，成本較ASML同類產品低三成。

在光刻機核心零部件方面，2025年夏天，杭州一家激光技術企業自主研發的全固態深紫外激光器通過中國計量科學研究院權威測試，其波長、輸出功率等核心指標達到國際領先水平。

光刻機的“心臟”部件由此實現了國產化突破。

在刻蝕設備和薄膜沉積設備領域，國產化的進程相對更快，截至2025年底，國產半導體設備的整體采用率已達到35%，較2024年的25%有顯著提升，其中刻蝕設備和薄膜沉積系統的國產替代率已突破40%。

北方華創作為國內半導體設備龍頭，產品覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗等多個關鍵環節，其5nm刻蝕機已進入中芯國際驗證階段。

中微公司在高端刻蝕設備領域持續深耕，2025年上半年實現營收接近50億元，同比增長超過四成。

中國半導體產業的自主化戰略，已經上升到國家規劃層面，2026年至2030年的“十五五”規劃將半導體列為戰略性優先發展領域。

由十多位行業高管聯合提出的五年路線圖中，除了2030年實現80%芯片自給率的目標外，還明確提出要完成全國產設備7nm生產線的建設和試運行，并實現14nm工藝的穩定生產。

通往2030年目標的道路上，挑戰與機遇并存。

如今中國在成熟制程芯片領域已經具備較強的全球競爭力，成熟芯片產能約占全球30%，預計到2028年這一比例有望提升至42%。

不過在EUV光刻機、高端檢測量測設備等環節，國產化率仍不足10%，核心技術受制于人的局面并未根本改變。

2024年中國芯片自給率約為33%，先進制程產能與國內巨大的市場需求之間存在明顯缺口，技術差距仍然存在，這是業界普遍承認的現實。

從不足2萬片的月產能到50萬片的遠景目標，從中芯國際的產能擴張到光刻機“心臟”的國產化突破，中國半導體產業正在走一條艱難但方向明確的道路。

這句樸素的話語，或許正是這個產業最真實的寫照，距離2030年還有四年時間，這條完全國產的7nm生產線能否如期建成，全球半導體行業都在等待答案。