EUV光刻機(jī)，不夠賣了

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2026年3月下旬，在EUV設(shè)備領(lǐng)域，半導(dǎo)體行業(yè)投下了一顆震動(dòng)全球供應(yīng)鏈的深水炸彈：SK海力士（SK hynix）正式宣布，將向荷蘭巨頭ASML訂購(gòu)價(jià)值約80億美元（11.9萬(wàn)億韓元）的極紫外（EUV）光刻設(shè)備。

與此同時(shí)，馬斯克正在推進(jìn)的野心勃勃的“Terafab”項(xiàng)目，也開(kāi)始試圖跨越傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)分工，將先進(jìn)制程納入核心能力版圖，也是潛在EUV設(shè)備的購(gòu)買者。

除了這些新的需求外，先進(jìn)制程邏輯代工廠如臺(tái)積電、三星、英特爾仍在圍繞2nm及以下節(jié)點(diǎn)持續(xù)加碼，將EUV視為維持制程領(lǐng)先的標(biāo)配。三星已組建專門1nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，預(yù)計(jì)2029年前后量產(chǎn)，內(nèi)部叫“Dream Process（夢(mèng)想工藝）”，明確需要High-NA EUV。

在這場(chǎng)名為算力的盛宴上，ASML是唯一的廚師。而現(xiàn)在，門外的食客已經(jīng)排到了2028年，且每個(gè)人的盤(pán)子都越換越大。EUV，真的不夠賣了。

80億美元，

一場(chǎng)鎖定未來(lái)的“船票”之爭(zhēng)

3月24日，SK海力士在一份監(jiān)管文件中表示，將購(gòu)買價(jià)值 11.95 萬(wàn)億韓元（大約79.7億美元）的ASML EUV光刻設(shè)備，預(yù)計(jì)將在2027年12月31日前采購(gòu)相關(guān)設(shè)備，用于新產(chǎn)品的量產(chǎn)。伯恩斯坦公司的分析師大衛(wèi)·道估計(jì)，該訂單代表著兩年內(nèi)新增30臺(tái)EUV設(shè)備，略高于他之前預(yù)測(cè)的26臺(tái)。

80億美元買30臺(tái)機(jī)器，這在十年前的存儲(chǔ)行業(yè)是不可想象的。但在這個(gè)2026年的時(shí)間節(jié)點(diǎn)，這只是AI競(jìng)賽的起步價(jià)。

為什么SK海力士敢在此時(shí)拋出80億美元的豪賭？答案可能藏在它即將在美國(guó)進(jìn)行的144億美元巨額IPO中。

SK海力士不再把自己看作一個(gè)受行業(yè)周期波動(dòng)影響的內(nèi)存廠，而是一個(gè)AI基建運(yùn)營(yíng)商。這形成了一個(gè)完美的商業(yè)閉環(huán)：

一個(gè)是向投資者展示這80億美元的EUV訂單，證明自己是AI時(shí)代最核心的“軍火商”，從而獲得遠(yuǎn)超傳統(tǒng)存儲(chǔ)行業(yè)的估值。如果把自己定義為內(nèi)存廠，市盈率可能只有10倍，但如果定義為 “AI必經(jīng)之路的收費(fèi)站”，估值就可以向英偉達(dá)（30-50 倍）靠攏；

另外一方面是以錢生錢，利用美國(guó)資本市場(chǎng)籌集的百億美金，支付ASML的賬單，并持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能。這種一邊狂買設(shè)備，一邊美股籌款的策略，反映了AI存儲(chǔ)競(jìng)賽已進(jìn)入資本密集度極高的階段。

這份價(jià)值80億美元的訂單不僅是SK海力士單筆支出的“天花板”，更是半導(dǎo)體行業(yè)從“產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)”轉(zhuǎn)向“產(chǎn)能/資本護(hù)城河競(jìng)爭(zhēng)”的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

在這份監(jiān)管文件中，最讓人關(guān)注的一個(gè)點(diǎn)是“拉入條款”（Pull-in Clause）。該條款允許SK海力士在必要時(shí)優(yōu)先購(gòu)買設(shè)備。要知道，30臺(tái)EUV幾乎占據(jù)了ASML未來(lái)兩年對(duì)應(yīng)制程設(shè)備很大一部分產(chǎn)出。2025年，ASML的訂單積壓額就已經(jīng)高達(dá)388億歐元，產(chǎn)能是全球半導(dǎo)體最稀缺的資源。

SK海力士不惜背負(fù)巨額債務(wù)也要提前鎖定這30臺(tái)設(shè)備，其實(shí)也是對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的最強(qiáng)力回應(yīng)。三星雖然擁有更多的EUV總量，但在HBM3E的良率門檻前徘徊太久。SK海力士此舉意在通過(guò)“一代領(lǐng)先，代代領(lǐng)先”的資本投入，徹底封死三星翻盤(pán)的窗口。盡管美光在2025年憑借低能耗優(yōu)勢(shì)一度威脅到SK海力士，但SK海力士現(xiàn)在的策略是：用規(guī)模換取生存空間。

另外的兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也在加大研發(fā)支出。三星尚未確定2026年的支出，但指出設(shè)備解決方案部門（芯片部門）的支出將從2025 年的40.9萬(wàn)億韓元（283 億美元）大幅增加。美光科技在去年12月表示，將把資本支出增加45%，達(dá)到約200億美元。

在AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)瘋狂推進(jìn)的今天，這30臺(tái)EUV光刻機(jī)不僅是機(jī)器，更是SK海力士在HBM4時(shí)代保住霸主地位的“船票”。

HBM，把存儲(chǔ)推入“EUV時(shí)代”

在半導(dǎo)體制造的版圖中，EUV 光刻機(jī)正從邏輯芯片的“專屬王冠”，演變?yōu)?SK 海力士穩(wěn)坐 HBM 鐵王座的底層基石。這一轉(zhuǎn)變的核心驅(qū)動(dòng)力，正是即將開(kāi)啟存儲(chǔ)新紀(jì)元的 HBM4（第七代高帶寬存儲(chǔ)器）。

曾幾何時(shí)，存儲(chǔ)廠商對(duì) EUV 的態(tài)度極為克制。受限于嚴(yán)苛的成本壓力，EUV 在 DRAM 生產(chǎn)中長(zhǎng)期扮演著“手術(shù)刀”的角色——僅在 DUV 多重曝光（Multi-patterning）導(dǎo)致良率損耗觸及紅線、工藝復(fù)雜到難以承受時(shí)，才會(huì)被有限地引入極少數(shù)關(guān)鍵層。

盡管三星較早開(kāi)啟了EUV DRAM 的量產(chǎn)先河，SK海力士在 2021 年后持續(xù)加碼，美光也明確將在 1δ 節(jié)點(diǎn)全面提升 EUV 滲透率，但整體而言，DRAM 的微縮（Scaling）路徑一直比邏輯芯片更為保守，對(duì)極紫外光的依賴尚處于“可控”階段。

然而，AI時(shí)代的降臨徹底打碎了這種循序漸進(jìn)的節(jié)奏，強(qiáng)行改寫(xiě)了DRAM 的運(yùn)行法則。

長(zhǎng)期以來(lái)，HBM的勝負(fù)手被認(rèn)為在于后端封裝（如SK海力士引以為傲的MR-MUF技術(shù)）。但隨著步入2026年，競(jìng)爭(zhēng)的維度再次發(fā)生了偏移。在HBM3時(shí)代，DRAM顆粒對(duì)EUV的需求尚在可控范圍。隨著第六代10nm級(jí)（1c）DRAM成為HBM4的基礎(chǔ)底座，EUV光刻的次數(shù)從之前的局部應(yīng)用轉(zhuǎn)變?yōu)槿趾诵摹Q句話說(shuō)，單位容量的存儲(chǔ)芯片，現(xiàn)在正消耗比以往多得多的EUV機(jī)時(shí)。

總而言之，EUV設(shè)備不再僅僅是提高良率的輔助工具，而是決定HBM4產(chǎn)能上限的“戰(zhàn)略質(zhì)押物”。存儲(chǔ)巨頭們未來(lái)將從EUV的輕度試用者，逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)闉橹囟纫蕾囌摺?/p>

這30臺(tái)EUV將分別部署在兩個(gè)核心要塞：清州M15X和龍仁半導(dǎo)體集群。其中，清州M15X于去年10月啟用的潔凈室現(xiàn)在正加速部署，它將成為全球最大的HBM專業(yè)組裝與測(cè)試中心；另一邊，龍仁集群方面，SK海力士將首座晶圓廠的啟用時(shí)間從5月提前到2月，這種近乎瘋狂的基建速度，正是為了配合這批EUV的抵達(dá)。這不僅是SK海力士的企業(yè)決策，更是韓國(guó)國(guó)家戰(zhàn)略的延伸。通過(guò)在龍仁形成物理意義上的“EUV高密度區(qū)”，SK海力士正在構(gòu)建一個(gè)外人難以逾越的技術(shù)圍堰。

馬斯克，也要搶EUV光刻機(jī)

如果說(shuō)SK海力士的80億美元訂單是一場(chǎng)存儲(chǔ)老牌巨頭的“圈地自保”，那么來(lái)自硅谷的另一股勢(shì)力，則正在試圖通過(guò)“暴力拆解”供應(yīng)鏈邏輯，來(lái)跨界掠奪EUV緊缺資源。

這個(gè)攪局者，就是馬斯克。

隨著 FSD（全自動(dòng)駕駛）進(jìn)入端到端大模型時(shí)代，以及Optimus人型機(jī)器人的量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，馬斯克意識(shí)到：“我們需要的芯片，現(xiàn)有供應(yīng)體系不夠。”馬斯克本人甚至在 1 月份的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上暗示，由于傳統(tǒng)半導(dǎo)體廠（Fab）的建設(shè)邏輯太慢，特斯拉要用「制造機(jī)器的機(jī)器思維」，重新設(shè)計(jì)一套高效率的EUV潔凈室環(huán)境。

盡管特斯拉目前與三星有 AI6 芯片的代工協(xié)議（價(jià)值約165億美元），但全球先進(jìn)制程產(chǎn)能（2nm/3nm）基本被蘋(píng)果、英偉達(dá)、高通等瓜分，特斯拉拿不到足夠的份額來(lái)支撐其百萬(wàn)臺(tái)機(jī)器人的愿景。因此，就像當(dāng)年自造4680電池一樣，特斯拉希望將邏輯芯片、內(nèi)存和先進(jìn)封裝全部整合在一個(gè)建筑下。

于是，2026年3月21日，馬斯克在德州奧斯汀正式公布了Terafab項(xiàng)目。奧斯汀晶圓廠將在單一建筑內(nèi)，集齊邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、先進(jìn)封裝、測(cè)試以及光刻掩模版（Mask）生產(chǎn)所需的全部設(shè)備。馬斯克聲稱，全球沒(méi)有任何其他設(shè)施具備這種綜合能力。這種‘全屋集成’模式將開(kāi)啟極速迭代循環(huán)：制造芯片、進(jìn)行測(cè)試、修改掩模版，然后立即重復(fù)這一過(guò)程，而無(wú)需在不同廠區(qū)之間跨境運(yùn)輸晶圓。

該工廠預(yù)計(jì)將生產(chǎn)兩種芯片：一種將針對(duì)邊緣推理進(jìn)行優(yōu)化，主要用于特斯拉汽車和Optimus人形機(jī)器人。另一種是專為太空環(huán)境設(shè)計(jì)的高功率芯片，馬斯克表示，為了最大限度地減少衛(wèi)星上的散熱器質(zhì)量，這種芯片的運(yùn)行溫度將高于“地面”設(shè)計(jì)。

Terafab項(xiàng)目投資額預(yù)估在 200億至 250億美元之間，每年產(chǎn)出 1 Terawatt的AI算力。1 Terawatt是什么概念呢？當(dāng)前全球產(chǎn)出的算力約20GW/年，也就是大約50倍的差距。其野心是生產(chǎn)能滿足空間環(huán)境（SpaceX 衛(wèi)星）和地面邊緣側(cè)（Optimus、EV）的高端芯片。

（圖片來(lái)源：特斯拉/SpaceX）

馬斯克沒(méi)有給出TeraFab何時(shí)開(kāi)始生產(chǎn)芯片或達(dá)到目標(biāo)產(chǎn)量的具體時(shí)間表。特斯拉、SpaceX 和 xAI將繼續(xù)從現(xiàn)有供應(yīng)商采購(gòu)芯片，包括臺(tái)積電、三星和美光，并補(bǔ)充說(shuō)他希望這些供應(yīng)商“盡快擴(kuò)大規(guī)模”。

盡管Terafab尚未披露具體設(shè)備采購(gòu)計(jì)劃，但如果其目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)先進(jìn)制程芯片生產(chǎn)，那么EUV光刻機(jī)幾乎是不可繞開(kāi)的核心環(huán)節(jié)。在發(fā)布會(huì)上，特斯拉明確Terafab 將鎖定 2nm甚至更先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)。在半導(dǎo)體物理中，7nm以下就必須要用EUV，5nm / 3nm / 2nm更是高度依賴EUV。2nm節(jié)點(diǎn)的制造必須使用ASML生產(chǎn)的高數(shù)值孔徑 EUV（High-NA EUV）。沒(méi)有這類設(shè)備，根本無(wú)法實(shí)現(xiàn) 2nm 晶體管的刻蝕。

著名分析師 Klein在3月23日的簡(jiǎn)報(bào)中明確指出：“ASML將是Terafab計(jì)劃的核心受益者”。報(bào)告提到，特斯拉首期200億美元的設(shè)備預(yù)算中，很大一部分預(yù)留給了單價(jià)超過(guò)4億美元的High-NA EUV光刻機(jī)。

據(jù)彭博社援引行業(yè)知情人士消息，特斯拉已開(kāi)始與ASML接觸，討論未來(lái)的交付席位。當(dāng)這個(gè)擁有無(wú)限現(xiàn)金流的科技巨頭入場(chǎng)，原本就捉襟見(jiàn)肘的 EUV 產(chǎn)能，將面臨前所未有的“全球級(jí)大擠兌”。

ASML：訂單拿到手軟

需求已經(jīng)失控，瓶頸只剩供給。問(wèn)題最終落在一家公司：ASML。

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，EUV一直是一種極端特殊的存在。它幾乎完全由ASML一家供應(yīng)，單臺(tái)設(shè)備價(jià)格高達(dá)數(shù)億美元，制造復(fù)雜度極高，年出貨量長(zhǎng)期維持在數(shù)十臺(tái)級(jí)別，而交付周期大約1-2年。換句話說(shuō)，EUV從誕生之初，就不是一個(gè)可以通過(guò)簡(jiǎn)單擴(kuò)產(chǎn)來(lái)滿足需求的“標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)品”。

那么ASML一年產(chǎn)多少臺(tái)EUV呢？目前缺口是怎樣的呢？

數(shù)據(jù)來(lái)源：ASML歷年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)

按照測(cè)算，當(dāng)前ASML每年的EUV出貨能力大致在50至60臺(tái)之間。從中期來(lái)看，隨著AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的持續(xù)推進(jìn)，ASML也在嘗試提升產(chǎn)能。市場(chǎng)普遍預(yù)期，到2028年前后，其EUV年出貨量有望提升至約90臺(tái)。

但即便如此，這一數(shù)字在需求端面前，依然顯得頗為緊張。

在過(guò)去，EUV的主要需求幾乎完全由先進(jìn)邏輯芯片廠商所主導(dǎo)，在2023年之前，EUV訂單中約 85% 是給臺(tái)積電這種邏輯代工廠的。臺(tái)積電、三星以及英特爾，它們?yōu)榱送七M(jìn)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，每年持續(xù)消化數(shù)十臺(tái)（預(yù)計(jì)40-50）EUV設(shè)備，基本構(gòu)成了這一市場(chǎng)的“基本盤(pán)”。

但是在AI時(shí)代，一個(gè)新的變量正在快速放大——存儲(chǔ)廠。歷史上存儲(chǔ)廠對(duì)EUV的需求占比僅為10%-15%。從2025年開(kāi)始，由于HBM4的強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)，DRAM廠商對(duì)EUV的消化量將占據(jù)接近50%。

據(jù)投資者的網(wǎng)站測(cè)算，到2028年，ASML預(yù)計(jì)出貨約92臺(tái)EUV設(shè)備，其中44臺(tái)用于 DRAM廠，剩下的給邏輯廠。SK海力士一家就需要30臺(tái)。如果將美光與三星的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃一并納入，整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)對(duì)EUV的需求正在從過(guò)去的“個(gè)位數(shù)”水平，迅速邁向“數(shù)十臺(tái)”的量級(jí)。

這就給了EUV光刻機(jī)供應(yīng)商ASML很大的壓力。截至2025年底，該公司積壓訂單達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的388億歐元，其中EUV系統(tǒng)占總量的65%。其產(chǎn)能排期甚至已經(jīng)延伸至2027年。這意味著，對(duì)大多數(shù)客戶來(lái)說(shuō)，現(xiàn)在的問(wèn)題不是買不買，而是還能不能排到。

從歷年的數(shù)據(jù)可以看出，ASML的EUV產(chǎn)能提升是極其緩慢的線性增長(zhǎng)（每年僅能多造10-15臺(tái)）。一臺(tái)EUV光刻機(jī)背后，涉及多個(gè)不可替代環(huán)節(jié)：光學(xué)系統(tǒng)來(lái)自德國(guó)蔡司（Zeiss），屬于全球唯一供應(yīng)，極紫外光源來(lái)自ASML旗下Cymer，但核心部件仍依賴多家精密供應(yīng)商，關(guān)鍵反射鏡需要原子級(jí)精度加工，良率極低。這意味著，EUV的擴(kuò)產(chǎn)并不是增加一條產(chǎn)線就能解決的問(wèn)題，而是需要整條高端制造鏈條同步爬坡。

與此同時(shí)，EUV本身也在發(fā)生一場(chǎng)代際躍遷。當(dāng)前主流設(shè)備為L(zhǎng)ow-NA EUV，而面向2nm及以下節(jié)點(diǎn)，ASML正在推進(jìn)新一代高數(shù)值孔徑（High-NA EUV）設(shè)備。相比現(xiàn)有設(shè)備，其分辨率提升約70%，但代價(jià)是：?jiǎn)闻_(tái)價(jià)格提升至3億–4億美元以上，體積更大、復(fù)雜度更高，產(chǎn)能更受限制。更關(guān)鍵的是，High-NA EUV的早期產(chǎn)能極其有限，初期幾乎只會(huì)分配給少數(shù)頭部客戶。

面對(duì)AI人工智能芯片制造商激增的需求。最近ASML宣布計(jì)劃裁減1700人，約占其全球員工總數(shù)的4%。ASML 官方明確表示，這次裁員 90% 針對(duì)的是管理崗（Leadership roles）和 IT 支持崗位。過(guò)去五年，ASML 為了應(yīng)對(duì)全球芯片荒經(jīng)歷了瘋狂的人員擴(kuò)張。但在 2nm 和 HBM4 的關(guān)鍵前夜，公司發(fā)現(xiàn)組織變得過(guò)于臃腫，內(nèi)部溝通成本極高。首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）直言不諱：“工程師們反映，他們的大量時(shí)間不再花在研發(fā)上，而是消耗在了復(fù)雜的矩陣式管理中。” 裁撤 1700 個(gè)管理崗，本質(zhì)上是去官僚化。ASML要通過(guò)裁減指揮的人，騰出預(yù)算和編制去招聘更多干活的人（核心設(shè)備工程師）。

結(jié)語(yǔ)

僧多粥少，當(dāng)所有人都在搶EUV，結(jié)果是，原本集中于少數(shù)玩家之間的設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)，正在演變?yōu)橐粓?chǎng)更廣泛的“資源爭(zhēng)奪”。而一個(gè)更扎心的事實(shí)是，SK海力士的這份訂單揭示了一個(gè)殘酷的未來(lái)：半導(dǎo)體行業(yè)的“入場(chǎng)費(fèi)”已經(jīng)上漲到了普通玩家無(wú)法承受的高度。

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點(diǎn)，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對(duì)該觀點(diǎn)贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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