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      劉勝院士專訪:關于玻璃基板以及半導體封裝若干問題

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      內容來源:未來半導體

      問:當前AI/HPC封裝散熱達到千瓦級別,硅材料遇到瓶頸,下一代顛覆性散熱技術目前有哪些突破?

      :這是一個切中行業(yè)痛點的問題。

      我們要清醒地看到,面對 1000W 甚至 1200W 的超級芯片,傳統(tǒng)的“外部散熱”——也就是簡單地把散熱器做大、風扇轉速調高,或者僅僅依賴外部冷板——已經(jīng)逼近了物理極限。

      我認為,散熱技術正在經(jīng)歷一場從“外部輔助”向“內生重構”的范式轉移。簡單來說,未來的散熱不再是給芯片貼“退燒貼”,而是要深入到芯片的材料基因和內部血管里去解決問題。

      具體來說,我看好三個維度的顛覆性突破,而行業(yè)的領軍者們其實已經(jīng)開始行動了。

      第一: 是材料層面的“降維打擊”,也就是用金剛石和SiC材料的應用

      當硅(Silicon, ~150 W/mK)本身成為熱阻瓶頸時,利用金剛石(~2200 W/mK)替換傳統(tǒng)襯底和均熱板是物理學上的唯一解。

      技術路徑1:金剛石-SiC 復合材料 (Diamond-SiC Composite)

      利用金剛石的超高導熱與 SiC 的高機械強度,解決純金剛石脆性大、熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配的問題。已實現(xiàn)商業(yè)化量產(Coherent, Element Six),是目前最快落地的“補丁式”顛覆技術。

      技術路徑2:晶體管級金剛石生長 (Transistor-Level Growth)

      原在芯片晶體管極近場直接生長金剛石層,消除界面熱阻,實現(xiàn)“自體散熱”。

      該技術處于實驗室向產業(yè)轉化階段(Stanford 等高校領銜)。

      技術路徑3:晶圓級異質集成(Heterogeneous Integration)

      通過表面活化鍵合(SAB)等技術,將金剛石晶圓與硅/GaN晶圓在原子層面直接結合,徹底去除導熱硅脂(TIM)和焊料層。這是3D堆疊芯片的終極散熱形態(tài),目前正從軍用射頻(RF)領域向頂級AI邏輯芯片下放。

      第二: 是封裝架構的博弈,也就是 SiC Interposer(碳化硅中介層)與玻璃基板的選擇。

      現(xiàn)在大家都在談論 Intel(英特爾) 押注的玻璃基板,因為它能做得很大,適合連接很多 HBM 內存。但玻璃有一個致命傷——它的導熱性極差,幾乎是硅的 1/150。

      所以我們看到 Intel 的封裝實驗室正在開發(fā)高密度的 TGV(玻璃通孔)銅柱陣列,甚至嘗試在底部填充膠里摻入金剛石微粉,試圖在絕熱的玻璃里開辟出一條“導熱高速公路”。

      但如果是追求的是極致的散熱,SiC Interposer(碳化硅中介層) 有可能是真正的“貴族方案”。它的導熱效率是玻璃的幾百倍。未來在那些熱流密度極高的核心區(qū)域,我認為 SiC 中介層是重要的解決方案之一。

      第三: 也是最科幻的一點,是結構的內生化,也就是“嵌入式微流體”

      既然外面散熱來不及,那就把水引到芯片里面去。

      TSMC(臺積電) 已經(jīng)展示了這種技術原型。他們在 CoWoS 封裝內部,利用硅方柱蝕刻出微小的流道,讓冷卻液像毛細血管一樣直接流過發(fā)熱源。實驗數(shù)據(jù)顯示,這能壓制住驚人的 2600W 功耗!

      Microsoft(微軟) 也在做類似的事。他們?yōu)榱俗匝械?Maia AI 芯片,利用 AI 算法模擬了樹葉的葉脈結構,設計出了“仿生微流道”。這種非線性的流道設計,比傳統(tǒng)直線的效率提升了 3 倍。這就是典型的“用 AI 設計 AI 芯片的散熱”。

      總結一下:

      面對 AI 時代的“熱墻”,我們正在經(jīng)歷從“風扇吹”到“材料換”再到“血管造”的革命。

      如果說 NVIDIA 是在用金剛石給現(xiàn)在的芯片“續(xù)命”,那么 TSMC 和 Intel 正在用微流體和新基板為未來的芯片“重塑肉身”。誰能率先掌握這些原子級的散熱技術,誰就真正握住了下一代超級算力的入場券。

      問:作為封裝基板的熱門候選,金剛石、藍寶石、碳化硅、玻璃基板和其他熱門材料誰最有可能在2028年到2030面率先量產?

      :“如果只看大規(guī)模量產的‘結構性基板’,2028年的贏家無疑是玻璃基板(Glass Substrate);但如果看解決AI算力瓶頸的‘功能性材料’,金剛石(Diamond)將是不可或缺的王者。”

      我認為,這并不是一個“誰取代誰”的單一維度的競爭,而是雙軌并行的格局:

      首先,玻璃基板解決的是互連密度(Interconnect Density)的問題,它是地基。

      其次,金剛石/SiC解決的是熱與功率(Thermal & Power)的問題,它是上限。

      第一:深度解析(The Deep Dive)

      1. 為什么玻璃基板是2028年的“量產之王”?

      在2028年到2030年這個時間窗口,隨著AI芯片進入埃米級(Angstrom era),傳統(tǒng)的有機基板(Organic Substrate)已經(jīng)到了物理極限。

      技術邏輯:有機材料太軟,在大尺寸封裝下會翹曲,導致光刻對不準。而玻璃基板具備極高的平整度和可調的熱膨脹系數(shù)(CTE)。

      互連能力:通過玻璃通孔(TGV)技術,我們可以把互連間距(Pitch)做到10微米以下。這意味著在同樣面積下,玻璃基板能容納的晶體管連接數(shù)是現(xiàn)在的數(shù)倍。

      產業(yè)信號:我們看到Intel已經(jīng)在大力布局,預計2026-2030年推出量產產品;韓國的SKC(Absolics)在美國的工廠也已經(jīng)動工。這是資本和產業(yè)鏈用腳投票的結果。

      2. 金剛石與碳化硅的角色是什么?

      很多外行認為金剛石會像PCB板一樣做成大板子,這是誤解。在2028年,金剛石的戰(zhàn)場不在“底座”,而在“核心”。

      金剛石(Diamond):它是終極的熱管理方案。當AI芯片功率突破1000W時,玻璃導熱是不夠的(僅約1.1 W/mK)。我們的判斷是,“玻璃基板 + 金剛石散熱層”將是頂級AI芯片的標配。金剛石將以異質集成(Heterogeneous Integration)的形式嵌入封裝中,負責把熱量瞬間導出。

      第二:總結與佐證(Conclusion & References)

      “總結來說,2028-2030年的半導體封裝將進入‘玻璃時代’,但金剛石材料將作為高端‘性能倍增器’與其共存。”

      我的這個判斷基于以下幾個關鍵的行業(yè)動向:

      1.Intel Foundry路線圖:明確將玻璃基板列為2026年后的關鍵技術節(jié)點,用于支撐萬億級晶體管的封裝。

      2.Yole Group的市場分析:預測先進封裝市場中,玻璃基板的復合增長率將領跑,而金剛石材料將在熱管理細分市場占據(jù)最高價值端。

      3.技術物理極限:摩爾定律放緩后,唯有通過新材料解決互連(靠玻璃)和散熱(靠金剛石)兩大痛點,算力才能繼續(xù)增長。

      問:如何解決玻璃基板在panel level 上的散熱/導熱問題?

      :這是一個非常關鍵的技術痛點。對于玻璃基板(Glass Core Substrate)而言,熱管理是其最大的應用瓶頸之一。

      標準玻璃(如二氧化硅、硼硅酸鹽玻璃)的熱導率極低,僅為 1.1 ~ 1.4 W/(m·K),而硅是 ~149 W/(m·K),有機基板(含銅層)雖然差但通常也能達到 ~0.3-0.5 W/(m·K) 且較薄。當面對AI芯片動輒 1000W+ 的TDP(熱設計功耗)時,玻璃基板如果不做特殊的熱設計,就會變成一個“絕熱層”,導致芯片燒毀。

      在 Panel Level(大板級,如FOPLP、CoPoS) 封裝中,解決散熱問題的核心思路可以歸納為三個維度:垂直導熱通道構建、橫向熱擴散增強、以及異質材料集成:

      第一:垂直導熱,高密度 TGV 銅柱陣列 (Thermal Vias)

      這是目前最成熟、最直接的手段。利用玻璃通孔(TGV, Through Glass Via)技術,在玻璃中打出大量的孔并填滿銅。

      第二: 橫向擴散,厚銅 RDL 與 表面金屬化 (Thick Cu RDL)

      玻璃的一大優(yōu)勢是表面極其平整,允許精細線路,但為了散熱,我們需要反其道而行——加厚金屬層。

      第三: 主動冷卻,玻璃微流道冷卻 (Integrated Microfluidics)

      利用玻璃的化學惰性和易蝕刻特性,直接在基板內部構建“血管”。

      問、多物理場需要協(xié)同設計是保障未來大算力芯片和系統(tǒng)持續(xù)發(fā)展的必由之路。如何通過工藝生產、新型材料研發(fā)與改良、創(chuàng)新性裝備來提升性能與可靠性?

      :多物理場協(xié)同設計(Multi-Physics Co-Design)不再僅僅是一個軟件仿真步驟,它已經(jīng)成為指導制造端變革的核心哲學。

      過去,我們是“設計完再去制造”;現(xiàn)在,為了極致性能與可靠性,我們必須“基于多物理場的相互作用來定制制造”。在大算力芯片(3D-IC)中,電(信號)、熱(功耗)、力(翹曲)、磁(干擾)這四個場是強耦合的——動一發(fā)而牽全身。

      以往我們談‘協(xié)同設計’,往往局限在設計軟件(EDA)里。但在后摩爾時代,我認為真正的協(xié)同必須發(fā)生在Fab廠的流水線上。大算力芯片本質上是一個電-熱-力(Electrical-Thermal-Mechanical)極度糾纏的復雜系統(tǒng)。我們不能再把它們割裂開來看待。

      為了實現(xiàn)極致的性能和可靠性,我們正在用多物理場的視角,重塑制造的三大支柱:”

      第一: 工藝維度,以“消除界面”來解決場耦合沖突。

      “首先在工藝上,多物理場協(xié)同理念要求我們尋找那些能同時解決電、熱、力矛盾的工藝路徑。

      最典型的例子就是混合鍵合(Hybrid Bonding)。

      為什么要用它? 它是多物理場協(xié)同的完美產物。

      電學場:它實現(xiàn)了銅對銅的原子級直接接觸,電阻極低,信號傳輸極快。

      熱學場:它消除了傳統(tǒng)微凸塊(Micro-bumps)中間的焊料層(Solder),去掉了熱阻最大的界面。

      力學場:它利用范德華力在低溫下鍵合,避免了高溫回流焊帶來的巨大熱應力(Thermal Stress),解決了芯片翹曲問題。

      理念落地:我們在開發(fā)工藝時,不再是單純追求‘做得更小’,而是追求‘場的最優(yōu)解’

      比如退火工藝(Annealing)的溫度曲線設計,現(xiàn)在完全是基于應力仿真模型倒推出來的,目的是在激活雜質(電)的同時,最大程度釋放晶格內的殘余應力(力)。”

      第二: 材料維度,從“選材料”轉向“算材料”

      在多物理場理念下,材料不再是‘選’出來的,而是‘算’(Computed)出來的。我們需要的是能動態(tài)平衡各物理場的新型材料。

      定制化匹配:比如底部填充膠(Underfill)。以前我們只看它的流動性。現(xiàn)在,我們必須根據(jù)芯片的熱膨脹系數(shù)(CTE)和彈性模量(Modulus)來精確調配填料的比例。

      協(xié)同邏輯:這個材料必須夠‘硬’,能像骨骼一樣支撐住 3D 堆疊的應力(力學);同時它必須夠‘導’,能像血管一樣輔助散熱(熱學);還得絕緣性極好,防止信號串擾(電學)。

      玻璃基板的引入:為什么要搞玻璃基板?就是因為在多物理場仿真中,我們發(fā)現(xiàn)有機基板在千瓦級高熱下會發(fā)生翹曲,導致連接斷裂。玻璃的高模量(剛性)完美解決了力學場的問題,同時其低介電損耗又滿足了高頻信號的電學場需求。這就是典型的基于物理場痛點進行的材料革命。”

      第三: 裝備維度,從“盲目加工”走向“閉環(huán)反饋”

      最后是裝備。裝備是實現(xiàn)多物理場協(xié)同的物理手段。未來的裝備必須具備感知物理場并實時調控的能力。

      激光輔助鍵合(LAB)裝備: 這是一個顛覆性的例子。傳統(tǒng)的烤箱(回流焊)是整體加熱,熱應力巨大。LAB 裝備利用激光,只在毫秒級時間內加熱芯片的連接點。

      協(xié)同價值:它極其精準地控制了熱場的分布,從而將力場(翹曲)降到了最低,同時保證了電場(連接可靠性)。這就是用裝備的‘精準’來化解物理場的‘沖突’。

      原子級量測設備:我們還需要能看見‘無形之力’的眼睛。比如新型的 X-Ray 或聲學顯微鏡,它們不僅僅看結構,還能通過晶格畸變來測量內部的殘余應力。這就好比給裝備裝上了‘觸覺’,讓我們在制造過程中就能把控可靠性。”

      所以,總結來說:

      多物理場協(xié)同設計,不僅僅是設計師在電腦前跑仿真。

      它是工藝上追求原子級融合以消除界面,材料上追求參數(shù)定制以平衡矛盾,裝備上追求精準控溫以駕馭應力。

      只有將這種‘系統(tǒng)工程’的理念貫穿到制造的每一個環(huán)節(jié),我們才能造出既快(高性能)又穩(wěn)(高可靠)的未來芯片。

      問:分享個具體應用,國際頭部芯片公司都有涉足(無論合作還是收購),試圖將最新一代芯片與人行機器人融合。人行機器人需要怎樣的AI芯片?能否滿足機器人對各種場景的工作?

      答:這個話題2025年在CCTV2《中國經(jīng)濟大講堂》中曾做了比較系統(tǒng)的探討和交流,當時的主題是“人形機器人:解鎖高難動作的進階路”。這里簡單來說涉及到幾個問題。

      第一: “大腦”與“小腦”的精密協(xié)作

      人形機器人的大小腦控制系統(tǒng),是實現(xiàn)人工智能技術的核心組件。“大腦”負責環(huán)境感知與決策,整合來自觸覺傳感器、攝像頭、激光雷達等設備的信號;“小腦”則專注于運動傳感,控制動作生成,主要依賴力傳感器與慣性傳感器的數(shù)據(jù)反饋,比如黑芝麻、地平線等公司有相關業(yè)務。與人類模糊的控制機制不同,機器人通過量化傳感數(shù)據(jù)并持續(xù)反饋,將復雜任務拆解為多個步驟,借助機器學習逐一完成。

      人形機器人大腦模擬人類的思考推理、交互溝通、任務理解與編排以及記憶能力,其核心技術依托高算力、高帶寬的人工智能芯片(AI芯片)與多模態(tài)大模型。然而,研發(fā)AI芯片面臨雙重挑戰(zhàn):一方面需追求高AI算力,另一方面要保證高內存帶寬。先進的芯片制程工藝雖能提升性能,但高密度設計導致功耗劇增;同時,多內存控制器的布局會占用大量芯片面積,難以實現(xiàn)合理配置。

      第二: 傳感的小型化、功能集成化

      人形機器人的傳感器是實現(xiàn)類人感知與精準交互的核心基礎,正朝著多模態(tài)融合、高集成化、低功耗、仿生智能的方向演進。主要達到低功耗與高能效(如事件驅動傳感、感算一體架構)、仿生感知(如靈巧手)、高度集成、低成本等。

      以靈巧手為例,人形機器人的靈巧手是其關鍵技術之一。業(yè)界常言“制造人形機器人,半數(shù)難度在靈巧手”。人類手掌能憑借27塊骨骼、50余塊肌肉及100多個關節(jié)的協(xié)同,完成從捏取繡花針到搬運冰箱的極端操作。

      另外,人形機器人要實現(xiàn)類人化運動,不僅需要靈巧的雙手完成精細操作,更依賴“仿生腳掌”實現(xiàn)穩(wěn)定行走。然而,平衡控制一直是全球人形機器人研發(fā)的核心難題,失衡、打滑、摔倒等狀況頻發(fā)。人類行走時,足底神經(jīng)能實時感知地面硬度、坡度及細微變化并反饋給大腦;對機器人而言,由力傳感器構成的“腳底神經(jīng)”感知網(wǎng)絡,正是實現(xiàn)動態(tài)平衡與環(huán)境交互的關鍵。

      問:半導體封裝是連接芯片與外界電路并保護芯片的關鍵環(huán)節(jié),涉及多學科知識,面對下一代先進封裝技術所需要的核心工藝和材料,微電子學院/集成電路學院該如何培育更優(yōu)質高效的年輕工程師,來實現(xiàn)與國家需求、企業(yè)痛點的緊密結合?

      :半導體封裝是典型的交叉領域,在人才培養(yǎng)方面,首先是加強基礎教育。我一直提倡大一開始上分子動力學,大二學習量子力學,大學四年就能夠較好地掌握多場多物理建模理論和方法。這對后續(xù)的科研和工作都會有很大幫助。

      另一方面,教育應該與產業(yè)緊密結合,這對于半導體及封裝領域是更為迫切的。所以我們提倡在人才培養(yǎng)階段與行業(yè)領軍企業(yè)密切合作,這樣培養(yǎng)的人才才能夠既有大的產業(yè)視野,又有深入的科學思考。

      問:您曾講科研像接力賽,自己跑好一棒,未來需更多年輕人參與,給予我們當代年輕在職工程師和在讀工程博士、碩士一段鼓勵的話!

      答:年輕人是行業(yè)的未來,但是年輕人也應該要敢于挑重擔,走難走的路,攀難攀的山,經(jīng)過了狂風暴雨的磨礪,成長才會更健康、更全面也更快。

      —— 芯榜 ——

      芯榜成立于 2015 年,是半導體垂直領域的產業(yè)媒體與數(shù)字化服務平臺。全網(wǎng)覆蓋超 100 萬垂直行業(yè)用戶,核心提供專業(yè)榜單發(fā)布、原創(chuàng)訪談、產業(yè)報告、峰會活動及研究咨詢等服務。已合作近千家半導體生態(tài)企業(yè),聯(lián)動多家基金公司與產業(yè)媒體,助力硬科技產業(yè)發(fā)展。

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      狼叔評論
      2026-02-22 18:10:06
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      玥來玥好講故事
      2025-12-27 17:01:58
      2026-02-22 22:59:00
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