北京
2026年2月13日消息，SK海力士近日在IEEE全球半導體大會上發(fā)表論文，提出一種名為H3的新型混合半導體架構(gòu)，該結(jié)構(gòu)結(jié)合了HBM與HBF技術(shù)。
據(jù)了解，通過融合HBM高帶寬內(nèi)存和HBF高帶寬閃存的新型混合架構(gòu)，將AI計算的能效比提升高達2.69倍，為AI芯片性能瓶頸提供了全新解決方案。在仿真實驗中，將8顆HBM3E與8顆HBF芯片并置于英偉達Blackwell GPU旁，結(jié)果顯示，相比僅使用HBM的配置，每瓦性能最高可提升2.69倍。這一架構(gòu)通過優(yōu)化存儲層級，兼顧高速計算與高效能數(shù)據(jù)緩存，有望顯著提升AI計算系統(tǒng)的能效比。
目前該技術(shù)處于研究驗證階段，尚未宣布量產(chǎn)時間表。
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