雙紀(jì)錄加冕！SK海力士業(yè)績(jī)又爆了

剛剛！SK海力士公布史上最強(qiáng)業(yè)績(jī)。

今日，SK海力士正式發(fā)布2025年第四季度及全年財(cái)報(bào)，一組組創(chuàng)紀(jì)錄的數(shù)據(jù)為全球半導(dǎo)體行業(yè)的“超級(jí)牛市”寫(xiě)下注腳。

2025財(cái)年SK海力士營(yíng)業(yè)收入為97.1467萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為47.2063萬(wàn)億韓元（營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為49%），凈利潤(rùn)為42.9479萬(wàn)億韓元（凈利潤(rùn)率為44%）。此次業(yè)績(jī)遠(yuǎn)超2024年創(chuàng)下的歷史最高記錄。營(yíng)收同比增長(zhǎng)逾30萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)也實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，刷新了歷史最高年度業(yè)績(jī)。

單季度來(lái)看，第四季度SK海力士同樣創(chuàng)下了季度歷史最佳業(yè)績(jī)：營(yíng)收為32.8267萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(zhǎng)34%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為19.1696萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(zhǎng)68%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率達(dá)58%，三項(xiàng)指標(biāo)均刷新歷史記錄。

爆火的，不止HBM

SK海力士此次業(yè)績(jī)爆發(fā)的核心驅(qū)動(dòng)力，無(wú)疑是AI催生的HBM需求狂潮。

SK海力士表示，在DRAM業(yè)務(wù)領(lǐng)域，HBM銷售額同比增長(zhǎng)逾一倍，成為創(chuàng)下歷史最高業(yè)績(jī)的核心動(dòng)力。通用DRAM方面，公司已正式量產(chǎn)第六代10納米級(jí)（1c）DDR5 DRAM，并成功開(kāi)發(fā)基于第五代10納米級(jí)（1b）32Gb單片的業(yè)界最高容量256GB服務(wù)器DDR5 RDIMM模塊，進(jìn)一步鞏固在服務(wù)器模塊市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

在NAND閃存業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在上半年需求疲軟之際，完成了321層QLC產(chǎn)品研發(fā)，下半年通過(guò)應(yīng)對(duì)企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（eSSD）為主的需求，創(chuàng)下了年度銷售額歷史新高。

隨著AI市場(chǎng)從訓(xùn)練向推理轉(zhuǎn)型，分布式架構(gòu)的需求將持續(xù)擴(kuò)大，存儲(chǔ)器的重要性也將進(jìn)一步凸顯。不僅HBM等高性能存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)，面向服務(wù)器的DRAM和NAND閃存等整體需求也將同步擴(kuò)大。

值得注意的是，SK海力士目前是全球唯一可以同時(shí)穩(wěn)定供應(yīng)HBM3E和HBM4的廠商。

2025年9月，SK海力士成功完成面向AI的超高性能存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM4的開(kāi)發(fā)，并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系。據(jù)悉，SK海力士已成功拿下英偉達(dá)HBM4超過(guò)三分之二的供應(yīng)訂單，占比接近70%。這一數(shù)據(jù)遠(yuǎn)超此前市場(chǎng)普遍預(yù)期的50%左右，意味著HBM4內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局正加速向SK海力士?jī)A斜。業(yè)內(nèi)分析指出，SK海力士自2025年9月率先建立HBM4量產(chǎn)體系以來(lái)，在樣品驗(yàn)證階段未出現(xiàn)重大問(wèn)題，良率表現(xiàn)優(yōu)異，成為其斬獲大單的關(guān)鍵因素。

相比之下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子雖已通過(guò)英偉達(dá)和AMD的HBM4最終質(zhì)量測(cè)試，并計(jì)劃于2026年2月起正式供貨，但起步時(shí)間明顯落后。過(guò)去兩年，三星在HBM3E階段因良率與散熱問(wèn)題屢屢受挫，錯(cuò)失了與英偉達(dá)深化合作的窗口期。

下一步，SK海力士怎么走？

日前，SK海力士預(yù)測(cè)，通用型DRAM的供應(yīng)緊張狀況將延續(xù)至2028年，受影響的產(chǎn)品包括DDR4/DDR5、GDDR6/GDDR7以及LPDDR5x/LPDDR6。SK海力士指出，現(xiàn)有供貨商的庫(kù)存已被消耗至歷史低位，進(jìn)一步加劇分配壓力。主流內(nèi)存廠商都采取了相對(duì)保守的產(chǎn)能擴(kuò)張策略，側(cè)重于維持獲利能力，而非向市場(chǎng)投放大量的DRAM供給，使得服務(wù)器DRAM的需求幾乎呈指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2026年增加速度將會(huì)更明顯。

面對(duì)持續(xù)火爆的AI存儲(chǔ)需求，SK海力士已明確后續(xù)戰(zhàn)略布局。在通用DRAM方面，計(jì)劃將加速推進(jìn)1c工藝轉(zhuǎn)換，擴(kuò)大面向AI的SOCAMM2、GDDR7等存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合。在NAND閃存方面，將通過(guò)轉(zhuǎn)向321層堆疊技術(shù)最大化產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)利用Solidigm的QLC企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（eSSD，enterprise SSD），積極滿足面向AI數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)器需求。

產(chǎn)能方面，SK海力士計(jì)劃提前實(shí)現(xiàn)韓國(guó)清州M15X工廠產(chǎn)能最大化，并通過(guò)建設(shè)韓國(guó)龍仁集群首座工廠（Fab），中長(zhǎng)期穩(wěn)步擴(kuò)充生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施，同時(shí)將順利推進(jìn)韓國(guó)清州P&T7工廠和美國(guó)印第安納州先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）工廠，構(gòu)建融合前端與后端工藝的全球一體化制造能力。

目前，清州已是 SK 海力士在韓國(guó)的重要生產(chǎn)樞紐，園區(qū)內(nèi)集中了 M11、M12、M15 等多座晶圓廠，以及現(xiàn)有的封裝與測(cè)試設(shè)施。SK海力士預(yù)計(jì)，即將投產(chǎn)的 M15X 晶圓廠將與新規(guī)劃的封裝設(shè)施形成協(xié)同效應(yīng)，使清州具備覆蓋 NAND、DRAM 及 HBM 全流程的生產(chǎn)能力。

業(yè)績(jī)爆發(fā)的同時(shí)，SK海力士推出大規(guī)模股東回報(bào)政策：實(shí)施每股1500韓元的額外分紅，總規(guī)模達(dá)1萬(wàn)億韓元，2025財(cái)年每股股息最終達(dá)3000韓元，總回報(bào)規(guī)模2.1萬(wàn)億韓元；此外，公司將注銷1530萬(wàn)庫(kù)存股（占總股本2.1%，約合12.2萬(wàn)億韓元），以提升每股價(jià)值。“我們將保持未來(lái)投資、財(cái)務(wù)穩(wěn)健性與股東回報(bào)的最佳平衡，鞏固AI時(shí)代核心基礎(chǔ)設(shè)施合作伙伴地位。”SK海力士Corporate Center負(fù)責(zé)人宋炫宗社長(zhǎng)表示。

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