SK 海力士 CEO 2026 新年致辭：SK要成為“世界級公司”

近日，存儲芯片大廠SK海力士首席執(zhí)行官郭魯正在對員工的2026年新年致辭當中表示，人工智能（AI）需求超出預期，并將成為常態(tài)。行業(yè)內(nèi)競爭日益激烈，SK海力士目標是成為真正的世界級公司。

2025 年，全球 AI 需求的爆發(fā)式增長直接推動 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與 NAND Flash（閃存）市場進入 “供不應(yīng)求” 周期，DRAM 和NAND Flash 兩大市場漲幅驚人。

• DRAM 市場：據(jù) DRAMeXchange 數(shù)據(jù)，PC DRAM DDR4 8Gb 平均合約價格從 2024 年底的 1.35 美元飆升至 2025 年底的 9.30 美元，漲幅近 7 倍；其中 2025年第四季度單季價格漲幅達 32.9%，創(chuàng)下 2016 年該數(shù)據(jù)跟蹤以來的歷史最高水平。

• NAND Flash 市場：通用 128Gb NAND Flash 產(chǎn)品（廣泛應(yīng)用于存儲卡、移動硬盤）2025 年價格上漲 2.76 倍，與 DRAM 市場共同形成 “雙漲” 格局。

存儲芯片價格的持續(xù)走高，也直接帶動了包括 SK 海力士在內(nèi)的行業(yè)廠商業(yè)績大幅增長。

SK 海力士：

SK 海力士 2025 年迎來 “創(chuàng)紀錄的一年”，在規(guī)模與質(zhì)量上實現(xiàn)顯著突破。據(jù)公司財報，2025 年前三季度累計營收達 64.3 萬億韓元（約合 445 億美元），累計營業(yè)利潤為 28 萬億韓元（約合 194.11 億美元）—— 僅前三季度營業(yè)利潤已超過 2024 年全年 23.4 萬億韓元的年度紀錄，盈利能力大幅提升。

與此同時，SK的股價也急速飆升。2025 年下半年，SK 海力士股價暴漲超 140%，市場對公司業(yè)績的認可直接反映在資本市場表現(xiàn)中。

AI 需求是“泡沫”嗎？

針對市場近期出現(xiàn)的 “AI 泡沫” 爭議，郭魯正明確回應(yīng)：“曾經(jīng)被視為極具潛力的 AI 需求，現(xiàn)在已成為常態(tài)”。早在 2025 年三季度財報會議上，SK 海力士財務(wù)擔當副社長金祐賢就透露，受客戶需求旺盛影響，公司 2026 年不僅 HBM（高帶寬存儲器，AI 數(shù)據(jù)中心核心存儲組件）產(chǎn)能已售罄，傳統(tǒng) DRAM、NAND 產(chǎn)能也全部預訂完畢，部分客戶甚至提前鎖定了 2026 年的傳統(tǒng)存儲芯片訂單，顯示出 AI 驅(qū)動下存儲需求的長期性。

盡管 2025 年業(yè)績亮眼，SK 海力士也面臨著日益激烈的行業(yè)競爭，核心挑戰(zhàn)來自頭部廠商三星電子：

• 全球存儲市場份額：2025 年第三季度，三星憑借 194 億美元的存儲芯片收入重新反超 SK 海力士，奪回全球存儲市場 “第一” 位置；

• DRAM 細分市場：SK 海力士仍保持優(yōu)勢 —— 三星 DRAM 市場份額從 2024 年的 40% 降至 2025 年三季度的 33%，落后于 SK 海力士的 34%，這一優(yōu)勢主要源于 SK 海力士在 AI 數(shù)據(jù)中心關(guān)鍵的 HBM 市場 “保持明顯領(lǐng)先”。

不過，三星的追趕已對 SK 海力士構(gòu)成壓力：目前三星 HBM3E 產(chǎn)品已成功進入英偉達供應(yīng)鏈，且在下一代 HBM4 產(chǎn)品的性能研發(fā)與商業(yè)化進程上逐步縮小差距，SK 海力士在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位將面臨更嚴峻挑戰(zhàn)。

目標----世界級公司：靠技術(shù)、投資、速度破局

面對 AI 時代的新競爭格局，郭魯正明確了 SK 海力士的長期愿景 ——“發(fā)展成為真正世界級的公司”，并提出三大核心策略：技術(shù)領(lǐng)導、加大投資、加速迭代。

郭魯正表示，SK 海力士的最終目標是 “成為真正的全棧 AI 存儲創(chuàng)建者”。他說：“只有突破現(xiàn)有框架，我們才能為客戶創(chuàng)造核心價值”。

免責聲明：本文來源網(wǎng)絡(luò)綜合，本文僅用于知識分享與傳播。如涉及侵權(quán)，請聯(lián)系我們及時修改或刪除。如果您有文章投稿、人物采訪、領(lǐng)先的技術(shù)或產(chǎn)品解決方案，請發(fā)送至support@fsemi.tech。