【會員風采】麥捷TLVR功率電感介紹

來源：市場資訊

（來源：深圳市汽車電子行業協會）

AI發展對電力挑戰

隨著AI技術的迅猛發展，AI芯片的電源系統正面臨一場“電力危機”——當GPU瞬間吞噬上千安培電流時，傳統供電方案杯水車薪，根本扛不住！以英偉達B300芯片為例對電源系統提出三大核心挑戰：

• 功率密度暴增：NVIDIA B300單芯片功耗突破1.2kW;

• 電流瞬變地獄：Transformer架構引發GPU核心電流2000A/μs跳變;

• 電壓容差絞索：電壓允許波動僅±15mV;

傳統VRM供電電路三大缺陷:

• 電感慣性拖累：300nH電感抑制電流變化率（di/dt ≤ 500A/μs）;

• 相間響應延遲：電流分配滯后 >200ns;

• 電容救火局限：MLCC等效串聯電感（ESL）吞噬高頻響應;

TLVR技術應運而生

TLVR（Transient Voltage Regulator）電感是現代高性能處理器（如CPU/GPU）供電電路（VRM）中的關鍵創新元件，其主要作用可概括為以下核心點：

1：解決傳統多相供電瓶頸

在多相并聯Buck電路中，傳統電感的磁路獨立設計導致相間電流分配延遲。當CPU突發負載（如100A/μs）時，電感電流變化滯后，造成輸出電壓瞬間跌落（Undershoot）或過沖（Overshoot）。

2：磁耦合加速電流轉移

TLVR通過特殊磁芯結構將多相電感繞組集成在同一磁路中（類似變壓器耦合）。當負載突變時：

• 相位間磁通直接耦合，實現電流在毫微秒級重新分配;

• 有效電感值在瞬態時顯著降低（可達傳統電感的1/5）;

• 電流爬升速率提升3-5倍，大幅縮短電壓恢復時間;

TLVR與傳統VRM性能對比

特性

TLVR方案

傳統VRM方案

響應速度

納秒級，多相同步響應

微秒級，逐相調整

電容需求

減少30%-50%

依賴大量輸出電容

設計復雜度

簡化布局，支持耦合拓撲

需獨立相位控制

麥捷TLVR電感產品介紹

麥捷優勢：

1. 磁粉：自研磁粉配方，多系列磁粉配方應對不同場景；

2. 超低損耗：高磁導率，兼顧輕載重載損耗，提升系統效率。

麥捷在CPU、GPU及ASIC Core供電電路，可以為客戶提供如單相及多相組裝類TLVR電感。

以下是麥捷部分TLVR功率電感詳細參數：

1.MGHC100506T-R07K-LF

（L：70±10%nH，DCR A：0.29±10% mΩ，DCR B：0.7±10% mΩ，

Isat-1(25℃)：98A，Isat-2(100℃)：81A）

2.MGHC100506T-R10K-LF

（L：100±10%nH，DCR A：0.29±10% mΩ，DCR B：0.7±10% mΩ，

Isat-1(25℃)：66A，Isat-2(100℃)：58A）

3.MGHC100506T-R12K-LF

（L：120±10%nH，DCR A：0.29±10% mΩ，DCR B：0.7±10% mΩ，

Isat-1(25℃)：54A，Isat-2(100℃)：48A）

如果您有TLVR電感選型需求，歡迎隨時探討交流！