玻璃基板，量產前夜

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這次是玻璃基板。

近年來，隨著先進制程逐漸逼近物理極限，半導體行業正經歷一場從制程競賽向封裝創新的戰略轉移。在AI、高性能計算等市場需求的驅動下，傳統有機基板與硅中介層等逐漸顯現性能瓶頸，難以適配先進封裝的嚴苛要求。

在此背景下，玻璃基板憑借其低介電損耗、優異熱穩定性、高平整度以及與硅相近的熱膨脹系數等獨特優勢，迅速成為突破現有性能瓶頸的關鍵材料，引發業界高度關注。三星、英特爾、AMD、博通、英偉達等全球頭部廠商紛紛將其納入下一代芯片研發規劃，積極探索應用可能。

尤其近段時間，玻璃基板領域的行業動態密集涌現：日本Rapidus全力探索玻璃基板技術，三星電機計劃與日本住友化學成立合資企業專攻玻璃基板生產，同時三星通過收購JWMT股份打通全產業鏈布局。這一系列動作，清晰凸顯出全球產業界在玻璃基板領域的持續深耕與戰略布局，一場圍繞先進封裝材料的變革已悄然醞釀。

打破傳統瓶頸，玻璃基板來勢洶洶

長期以來，有機基板因成本低、工藝成熟成為芯片封裝的主流選擇，硅中介層則憑借精細布線能力占據部分高端市場，但隨著AI芯片、高性能計算芯片對高帶寬、低功耗的需求激增，兩者的局限性日益凸顯，例如有機基板存在信號傳輸損耗大、熱膨脹系數與硅芯片匹配度差、大尺寸封裝易翹曲等問題；硅中介層則面臨成本高昂、尺寸受限及信號干擾的困擾。

相較之下，玻璃基板憑借天然材料特性實現了性能的全面突破，趙瑾等行業專家在《玻璃基板技術研究進展》中指出，其核心優勢集中在三大維度，且相關性能指標均有明確數據支撐：

• 卓越的電氣性能：玻璃材料天然具備極低的介電常數和損耗因子，在高頻高速信號傳輸場景中優勢顯著。數據顯示，玻璃基板在10GHz頻段的信號傳輸損耗僅為0.3dB/mm，介電損耗較傳統有機基板降低50%以上，能大幅減少信號延遲、衰減和串擾，完美適配AI芯片、5G/6G通信芯片的高頻需求。

• 極佳的尺寸與結構穩定性：通過調整材料配方，玻璃基板的熱膨脹系數（CTE）可精準調控至3-5ppm/℃，與硅芯片高度匹配，這使得基板在芯片工作的冷熱循環過程中翹曲度減少70%，能有效降低熱應力導致的封裝失效風險。尤其在大尺寸封裝場景中，有機基板良率大幅下滑，玻璃基板的結構穩定性優勢更為關鍵。

• 超高的平整度與制造潛力：玻璃基板表面粗糙度可控制在1nm以下，無需額外拋光處理即可為微米級甚至亞微米級布線提供理想基底。目前其已能實現2μm/2μm線寬線距的超精細布線，通孔密度達105個/cm2，是傳統有機基板的10倍以上，為芯片集成度的進一步提升奠定了基礎。此外，玻璃還具備優異的耐高溫性和化學穩定性，工藝窗口寬、氣密性好，能更好地保護芯片核心器件。

需要明確的是，半導體領域的玻璃基板并非單一概念，其主要分為玻璃中介層（玻璃轉接板）和玻璃芯基板兩大類型，二者在先進封裝中承擔不同角色，分別適配2.5D和3D封裝場景。

其中，玻璃中介層（TGV Interposer）主要應用于2.5D封裝。其核心是通過玻璃通孔技術（TGV），在面板級或晶圓級玻璃上加工貫穿空洞并填充導電材料（銅或鎢），實現縱向電氣連通，再在玻璃正背面采用晶圓級工藝制造精細線路層。

玻璃轉接板

作為芯片與基板之間的連接橋梁，玻璃中介層可實現多芯片間的局部高密度互連，能大幅縮短數據傳輸路徑，提升帶寬，尤其適合HBM與邏輯芯片的異構集成。與成本高昂且尺寸受限的硅中介層相比，玻璃中介層在實現更高互連密度的同時，具備更好的成本擴展性和更優的電氣隔離性。

而玻璃芯基板（GCS）則主要面向3D封裝與芯粒集成場景，核心是用玻璃作為芯層材料，替代傳統有機封裝基板中的有機芯層，再通過ABF等材料采用加成/半加成工藝完成增層制備，形成FCBGA封裝基板。

玻璃芯基板

這種結構繼承了玻璃的穩定性優勢，能有效承載并保護多顆芯片，是應對AI芯片封裝尺寸不斷增大、I/O數量激增挑戰的理想解決方案。據《面向芯粒集成的玻璃芯基板應用與關鍵挑戰》等文獻指出，該技術目前仍處前沿，是巨頭爭奪的下一代高地。

不過，值得注意的是，玻璃基板與基于玻璃載板的FOPLP（面板級扇出型封裝技術）常被混淆，二者核心差異在于：FOPLP中玻璃僅作為臨時載體，芯片塑封后需從玻璃載板上分離；而玻璃基板本身就是最終封裝結構的核心組成，需完成通孔制備、電鍍填充、多層布線等完整工藝。

除先進封裝外，玻璃基板在當前火熱的光電合封（CPO）領域也展現出不可替代的優勢，成為解決數據中心“功耗墻”和“帶寬墻”的關鍵材料之一。CPO技術的核心是將光子集成電路與電子集成電路異質集成在同一基板上，以光互連取代傳統電互連，縮短信號傳輸路徑、降低傳輸損耗，在2025年光通信大會上，業界普遍認為CPO是規模化擴展互連的唯一解決方案。

IDTechEx的研究指出，玻璃基板之所以能成為CPO技術的核心適配材料，關鍵在于其兩大特性：一是寬光譜透明性，可承載低損耗波導結構，實現Tb/s級光信號傳輸，功耗降至fJ/bit級別；二是技術兼容性，用于射頻領域的TGV技術可直接遷移用于創建垂直光通孔，使單個芯層既能支持跨阻抗放大器、激光驅動器等電子元件，又能集成光波導，實現電子和光子布線的融合。這種融合不僅簡化了光電器件的對準流程，還能替代昂貴的硅光子中介層，大幅降低CPO方案的封裝結構和整體成本。

調研數據也印證了玻璃基板在CPO領域的潛力——在TGV玻璃基板的優先應用領域中，光模塊封裝以23%的占比位居第二，僅次于顯示行業，充分反映出業界對其在光電封裝領域價值的認可。

綜合來看，從提升單芯片封裝可靠性到實現多芯粒異構集成，再到使能光電合封，玻璃基板憑借其獨特的材料屬性，正從多個維度重新定義先進封裝的性能邊界。

隨著行業廠商的持續加碼研發與產業化，玻璃基板有望在未來幾年間逐步實現規模化商用，成為驅動下一代算力芯片持續進化的關鍵基石。

行業巨頭，爭相入局

玻璃基板展現出的革命性潛力，已吸引全球半導體產業鏈各環節的巨頭紛紛入場。從IDM巨頭、晶圓代工龍頭到專業材料與封裝廠商，一場圍繞技術路線、產能卡位和生態聯盟的激烈競賽已經展開。

英特爾：十年深耕的曲折領跑者

作為最早高調發布玻璃基板技術的廠商，英特爾的布局深刻影響著行業風向。其研發始于約十年前，將其視為先進封裝的核心支撐與延續摩爾定律的關鍵力量。

為突破技術瓶頸，英特爾在美國亞利桑那州累計投入超10億美元打造專屬研發線，成功攻克TGV高深寬比加工（>15:1）、多層堆疊等核心工藝，2023年9月正式發布了業界首個用于下一代先進封裝的玻璃基板技術，引發行業震動。據英特爾官方數據，該技術通過實心玻璃芯替代傳統編織玻璃芯，可使芯片裸片放置數量增加50%，圖案變形減少50%，互連密度較傳統基板提升一個數量級，同時支持120x120毫米超大尺寸封裝與更高溫度下的穩定加工。

不過，英特爾的玻璃基板之路并非一帆風順。2025年新CEO上任后，公司進入戰略收縮階段，將核心資源聚焦于先進工藝晶圓制造和CPU業務，7月有媒體報道其計劃放棄自主開發、轉向外部采購，這一傳聞引發行業對其技術路線動搖的猜測。

雪上加霜的是，玻璃基板技術核心推動者、擁有500多項相關專利的英特爾前年度發明家段罡，于8月跳槽至三星擔任執行副總裁，進一步加劇了市場疑慮。隨后，關于英特爾計劃授權玻璃基板專利的消息傳出，談判對象涵蓋韓日多家企業，被解讀為從供應商向客戶轉型的信號。

但行業猜測在9月迎來反轉，英特爾官方明確回應將按原計劃推進玻璃基板的商業化方案，而英偉達50億美元的戰略投資更注入關鍵動力，不僅提供研發資本，更確立了重量級應用場景，加速技術市場化進程。后續有消息顯示，蘋果也在與英特爾洽談投資事宜，若合作落地將進一步鞏固其技術路線價值。

在IMAPS 2025展會上，英特爾再次強調，玻璃基板解決了先進封裝的關鍵微縮挑戰，可實現更精細特征微縮、更大封裝尺寸與增強型高速I/O性能，堅定了行業對其技術儲備的信心。按照規劃，英特爾玻璃基板產品預計在2026-2030年間實現大規模應用。

三星：全產業鏈協同多線突擊

三星采取了獨特的“內部雙線并進”策略，全面押注玻璃基板技術。由三星電機與三星電子分別主攻不同技術方向，形成短期商業化與長期技術突破的協同推進格局。這種布局既依托集團內部資源協同，又通過外部合作快速補全供應鏈短板，展現出極強的戰略執行力。

具體來看，三星電機聚焦玻璃基板的快速商業化，于2024年第四季度啟動世宗工廠試產線，計劃2025年第二季度產生業務收入并向客戶供應樣品，最終目標在2026-2027年間實現量產。其核心技術是用玻璃芯材料替代傳統基板核心層，可使基板厚度減少40%，顯著改善大尺寸基板高溫翹曲問題。為保障核心材料供應，三星電機于2025年11月與日本住友化學簽署諒解備忘錄，計劃成立合資企業“玻璃芯”生產玻璃芯材，三星電機持股超50%，生產基地設在住友化學旗下東宇精細化學平澤工廠。目前，三星電機的樣品已送樣至AMD、博通等大客戶進行認證，并聯合27家相關企業召開技術研討會，攻克加工、切割、檢測等關鍵環節難題。值得注意的是，英特爾核心專家段罡的加盟，進一步補強了其技術團隊實力，負責制定技術路線圖與客戶技術轉移。

三星電子則聚焦更長期的“玻璃中介層”研發，目標在2028年將其導入先進封裝工藝，替代當前連接GPU與HBM的硅中介層。為加速研發進程，三星電子采用小于100x100mm的小尺寸單元進行原型設計，并計劃利用天安園區現有面板級封裝（PLP）產線實現后續封裝。集團內部，三星電子主導項目推進，協同三星電機的基板技術與三星顯示的玻璃工藝；外部則與美國康寧等材料巨頭、多家中小企業展開合作，構建完整供應鏈。這一布局也是三星AI集成解決方案戰略的關鍵組成，旨在提供涵蓋晶圓代工、HBM與先進封裝的一站式服務。

臺積電：綁定先進封裝路線，精準出擊

作為全球晶圓代工與先進封裝技術領導者，臺積電將玻璃基板布局與先進封裝技術演進深度綁定，圍繞核心客戶需求制定清晰技術路線，通過扇出型面板級封裝（FOPLP）技術突破，快速推進玻璃基板的商業化落地。其策略核心是技術適配+客戶綁定，依托自身封裝產能優勢，成為玻璃基板技術規模化應用的關鍵推動者。

2024年9月，臺積電明確宣布將玻璃基板作為FOPLP技術的核心材料，計劃2025年為英偉達生產首批基于玻璃基板的芯片。據深圳市半導體與集成電路產業聯盟（SICA）信息，這一布局依托其CoWoS封裝技術的演進路線：演進版本CoGoS采用玻璃通孔（TGV）玻璃中介層替代硅中介層，利用玻璃更優的電氣性能與成本潛力支持更大尺寸集成；更先進的CoGCS技術則計劃省去中介層與傳統有機基板，實現芯片直接上玻璃的玻璃球柵陣列封裝（GBGA），進一步縮短互連路徑、提升集成度。

在技術推進節奏上，臺積電形成了階梯式規劃：2025年采用Chip-First方法實現初步應用，2026年過渡到更先進的RDL-First工藝，2027年量產復雜TGV工藝，目標實現20:1的高深寬比設計，與中國臺灣玻璃基板供應鏈的發展節奏高度同步。

不難發現，這種精準的路線規劃，既保障了技術成熟度，又能快速響應英偉達等AI芯片巨頭對高性能封裝的需求，鞏固其在先進封裝領域的市場地位。

Rapidus：肩負日本半導體復興使命

作為肩負日本半導體復興使命的新銳企業，Rapidus選擇玻璃基板作為其差異化競爭的關鍵。Rapidus以大型玻璃基板+面板級封裝為差異化切入點，計劃打造全球首款由600mm×600mm方形玻璃基板切割而成的中介層原型，計劃2028年投入量產，試圖在玻璃基板賽道實現彎道超車。

據《日經新聞》報道，Rapidus的方形玻璃基板相較傳統硅基板優勢顯著，表面積增加30%-100%，可實現更大規模的Chiplet配置；矩形結構大幅減少切割浪費，提升成本效益；同時具備更優的高頻電學性能、熱穩定性與化學穩定性，通孔密度可提升約10倍。為克服玻璃脆性與翹曲等挑戰，Rapidus充分利用日本顯示產業積累，積極吸納日本在顯示面板領域的玻璃技術人才，試圖將日本在材料科學和精密制造方面的傳統優勢轉化為半導體封裝領域的新競爭力。

Rapidus的布局并非孤立推進，而是與自身2nm Chiplet封裝戰略深度融合，重點關注混合鍵合等關鍵技術，通過前端與后端工藝融合提升大規模生產能力。其玻璃基板中介層主要用于承載AI加速器中的GPU與HBM，負責元件間高速互連，投產后有望大幅降低AI芯片組裝成本，拉近與臺積電等頭部代工廠的差距。

SKC：全球玻璃基板率先商業化

SKC集團通過子公司Absolics成為玻璃基板商業化進程最快的企業之一，其核心策略是產能先行+客戶綁定，在美國佐治亞州建成全球首條半導體玻璃基板量產線，全力搶占市場先機。

據ETNews報道，Absolics的佐治亞州工廠年產能達12000平方米，2025年已啟動量產樣品生產與客戶認證流程，目前正與AMD、AWS推進資格預審，驗證基本性能與質量指標。

為加速商業化進程，Absolics采取了多重舉措：資金層面，2025年上半年通過債務融資借入5000萬美元，并獲得美國《芯片法案》4000萬美元首期補貼，后續計劃通過股東配股進一步增資；產能層面，計劃2025年底前完成量產準備，下半年將玻璃基板加工材料與零部件采購量增加60%以上；團隊層面，任命前英特爾高管、SK海力士副總裁姜智鎬擔任CEO，凸顯加速商業化的戰略決心。SKC集團更于2025年10月宣布吸收合并子公司SK Enpulse，獲得約2.66億美元現金，專項用于玻璃基板商業化。據行業預測，Absolics有望成為全球首家實現玻璃基板商業化的企業。

LG Innotek：后發追趕的技術攻堅者

作為玻璃基板領域的后起之秀，LG Innotek依托自身在精密玻璃加工的傳統優勢，采取“技術攻堅+場景聚焦”的策略，重點開發面向FOWLP、射頻及車載芯片的玻璃基板技術，試圖在細分市場實現突破。

LG Innotek將玻璃基板業務劃歸CTO直管，在研發中心配備專用樣品生產設備，現階段集中資源攻克核心技術。公司計劃2025年底前產出玻璃基板樣品并進入驗證階段，長期目標是2026年實現商用，同時將FCBGA業務規模擴大至2030年7億美元。為保障研發進度，LG Innotek在龜尾工廠建設試點生產線，計劃2025年底前啟動原型生產，并尋求與北美大型客戶建立戰略合作伙伴關系，依托客戶需求反向推動技術迭代。其研發重點是超薄（<100μm）大尺寸基板技術，試圖通過材料配方與制造工藝創新，打破現有扇出型封裝基板的材料局限。

行業巨頭的密集布局，本質上是對玻璃基板技術價值與市場潛力的集體認可。

綜觀全球，玻璃基板競賽已呈現多路徑并行、生態合作與垂直整合并舉的復雜格局。英特爾在探索開放路線，三星在強化內部閉環，臺積電在綁定封裝技術演進，而Absolics、Rapidus等公司則在各自優勢領域尋求突破。

這場由AI算力和先進封裝需求驅動的靜默革命，其勝負不僅取決于單一技術的突破，更取決于整個產業生態的構建速度和協同效率。各巨頭的密集布局與策略調整，無不凸顯出這項技術承載著決定未來十年高端芯片產業格局的戰略分量。

國內廠商，多點突破

在海外巨頭加速布局的同時，國內半導體產業鏈企業也在緊抓玻璃基板產業機遇，圍繞材料制備、核心工藝、封裝應用等關鍵環節全面發力，涌現出一批具備核心競爭力的本土企業，推動玻璃基板技術持續發展與突破。

材料與設備端

國內材料與設備企業憑借在玻璃加工、精密制造等領域的技術積累，在TGV（玻璃通孔）工藝、玻璃基板制備等核心環節持續突破，部分技術指標已達到國際先進水平，并啟動產能建設規劃。

京東方：作為顯示面板龍頭，京東方依托二十余年玻璃基板技術積累跨界布局半導體先進封裝領域，成為中國大陸首家從顯示領域轉型先進封裝玻璃基板的企業。

2024年9月，京東方正式發布專為半導體封裝設計的玻璃基面板級封裝載板，并公布2024-2032年玻璃基板路線圖：2027年實現深寬比20:1、細微間距8/8μm、封裝尺寸110x110mm的玻璃基板量產；2029年精進到5/5μm以內線寬線距、120x120mm以上封裝尺寸，技術演進節奏與國際同步，精準匹配下一代AI芯片需求。

根據規劃，2027/28年樹立BOE玻璃基半導體品牌，打造上下游伙伴供應產業鏈，2028/2030構建全球玻璃基半導體生態鏈，加速玻璃基用于AI芯片的高端基板量產。

2025年6月，京東方在北京亦莊基地舉行“玻璃基先進封裝項目工藝設備搬入儀式”，由子公司北京京東方傳感器科技推進的研發測試線項目正式落地，搬入的AOI檢測、無電鍍銅等關鍵設備涵蓋國內外優質供應商，為技術研發提供保障。目前其試驗線月產能約3000片，已產出超大尺寸7-2-7玻璃載板，封裝集成度顯著提升；計劃2026年底研判市場后啟動50億元新產線建設，目標2028年躋身國內玻璃基載板第一梯隊，2030年成為全球量產標桿。

沃格光電：沃格光電成立于2009年，作為國內領先的玻璃基板企業，是全球極少數擁有全制程工藝能力和制備裝備的公司，業務覆蓋光電玻璃精加工、玻璃基Mini/Micro LED及半導體先進封裝載板等多領域。其子公司通格微在TGV技術領域表現突出，實現通孔孔徑最小至3微米、深徑比高達150:1，支持四層線路堆疊，可替代傳統硅基TSV技術，廣泛適用于高算力芯片、射頻器件、直顯基板、微流控芯片等領域。

目前，沃格光電已建成TGV中試線，實現3μm/3μm線寬線距超精細加工，規劃產能達100萬平米/年，2026年產能開始逐步爬坡；通格微作為全球最早產業化TGV玻璃基多層線路板的企業之一，2025年上半年玻璃基TGV線路板產品實現營收約800萬元，多個客戶項目持續送樣驗證，并與北極雄芯簽約合作，共同推進異構芯粒與多層玻璃基堆疊的高集成AI計算芯片開發，加速技術商用化進程。

值得關注的是，沃格光電在深耕TGV先進封裝的同時，其投資建設的全球首批、國內首條8.6代AMOLED玻璃基光刻蝕精加工產線已于今年12月首臺設備進場，預計2026年1月中旬試運行。這條產線不僅服務于京東方等顯示巨頭，其積累的超薄玻璃精密加工經驗與半導體TGV技術同源，形成了強大的技術協同效應。

其他國內材料設備企業也各有突破：

• 三疊紀（廣東）科技前身為電子科技大學科研團隊，率先提出TGV3.0技術，是國內玻璃通孔技術的倡導者與引領者，其率先部署建設TGV板級玻璃基封裝試驗線，在晶圓級10μm孔徑、50:1深徑比100%通孔鍍實的工藝基礎上，將TGV3.0技術的領先技術拓展至板級封裝芯板領域，將引領國內TGV行業步伐，為高端SiP和高算力芯片封裝、新型顯示等領域奠定基礎；

• 廣東佛智芯掌握玻璃微孔加工與金屬化核心技術，TGV最小孔徑1微米、深徑比150:1，2024年一季度產能達3600片/月，其大板級玻璃封裝產線有望助力國內AI芯片量產；

• 廈門云天半導體特色的玻璃通孔技術（TGV）與2.5D/3D集成，率先實現國內規模化量產TGV技術，深寬比突破100:1，支持高密度互連與高頻信號傳輸，應用于光電器件、射頻模組等領域；

• 五方光電完成4-8英寸晶圓玻璃基板樣品制備，TGV金屬填充良率突破95%，加速向量產邁進。

• 深光谷科技聯合上海交通大學和深圳大學，合作開發了晶圓級TGV光電interposer工藝，實現了國產首個8英寸晶圓級TGV interposer加工，實測帶寬達到110GHz，可以面向2.5D和3D光電集成封裝應用，為VCSEL、DML、EML、硅光、鈮酸鋰等技術路線的光模塊產品提供高速、高密度、高可靠性和低成本的光電共封裝（CPO）解決方案。

此外，玻芯成（重慶）、湖南越摩先進、蘇州森丸電子、合肥中科島晶、東旭集團等諸多國內企業也在玻璃基板特色工藝、超大尺寸樣品試制、晶圓級加工、玻璃基板芯片與三維封裝等領域取得階段性成果。

封裝與系統端

另一方面，國內封測巨頭憑借封裝工藝的積累，也在積極推動玻璃基板與先進封裝技術的融合驗證，加速玻璃基板在Chiplet、2.5D/3D集成等場景的應用落地。

通富微電此前表示，公司已具有玻璃基板封裝相關技術儲備，具備使用TGV玻璃基板進行封裝的技術能力，預計在2026-2027年可以看到玻璃基板技術的相關產品應用。

晶方科技在互動平臺表示，其專注于傳感器領域晶圓級封裝技術服務，TSV、TGV等是晶圓級封裝電互連的主要技術工藝手段。結合傳感器需求及自身工藝積累，公司具有多樣化的玻璃加工技術，包括制作微結構，光學結構，鍍膜，通孔，盲孔等，且公司自主開發的玻璃基板，在Fanout等封裝工藝上已有多年量產經驗。

長電科技、華天科技等也對外表示在該領域已有研發布局，已將玻璃基板納入其先進封裝技術平臺的研發范疇。

此外，奕成科技作為中國大陸首批玻璃面板級封裝量產廠家之一，2024年實現板級高密FOMCM平臺批量量產，成為國內唯一具備該產品量產能力的企業。

芯德半導體在布局2.5D封裝等高端產品的同時，推進玻璃基板埋入、2.5D玻璃轉接板等技術研發；安捷利美維在玻璃通孔量產規模上走在國內前列，可提供TGV與ABF多層板結合的解決方案，支持8+2+8及以上規格的樣板制作。

這些企業的布局正在加速推動玻璃基板與封裝工藝的深度融合，加速國產先進封裝技術升級。

生態建設：產業集群集聚，產學研協同賦能

與海外巨頭依靠自身財力和技術積累進行垂直整合不同，國內產業更注重通過生態聯盟實現協同突破。例如在2025年5月，全國首個聚焦玻璃通孔（TGV）技術的產業聯盟在東莞松山湖成立，旨在匯聚產業鏈上下游資源，共同推動玻璃封裝基板從中試走向規模化量產。

這一舉措標志著國內產業開始從企業單打獨斗轉向有組織的生態協同，以應對從實驗室到大規模量產過程中的共性技術挑戰。

與此同時，產學研合作成為技術攻堅的核心引擎，復旦大學、電子科技大學、上海交通大學、中科大等高校與企業共建聯合實驗室，重點攻克高精度鉆孔、納米級介電層沉積、TGV金屬化等關鍵技術。例如，深光谷科技聯合上海交通大學、深圳大學開發晶圓級TGV光電interposer工藝，實現國產首個8英寸晶圓級TGV interposer加工，實測帶寬達110GHz，為CPO光電共封提供解決方案；合肥中科島晶與中科大、中科院合肥物質院、北京大學等深度合作，推動玻璃基混合封測工藝開發，適配Chiplet高密度集成封裝需求。

此外，國內玻璃基板產業生態正在加速成型，長三角、珠三角等半導體產業集聚區已形成企業集聚效應，同時高校與企業共建聯合實驗室，為產業發展提供技術支撐。

近段時間來，產業動態不斷。例如，總投資12億元的長三角半導體玻璃基板TGV工藝裝備研發及產業化基地項目于2025年12月完成一期主體封頂，由蘇州晶洲裝備主導建設，投產后將形成年產150套TGV玻璃基板半導體工藝裝備的產能，填補國內高端核心裝備制造空白；佛山依托佛智芯等企業，聚焦大板級玻璃封裝技術，打造玻璃基板加工制造產業集群。

整體來看，國內玻璃基板生態已涌現出眾多在不同細分領域發力的參與者，基于中國龐大的下游應用市場、全球最完整的顯示面板產業鏈帶來的材料工藝基礎，使得國內企業能夠快速響應AI、高端顯示等本土創新需求，進行場景化的應用創新，呈現出技術路徑的多樣性與生態豐富性，成為產業發展的中堅力量。

不過，當前玻璃基板產業整體仍處于從技術突破到規模量產的關鍵爬坡期，行業標準尚未統一，成熟的供應鏈生態仍在建設之中。國內企業應利用技術尚未被完全壟斷的窗口期，協力加強生態建設，加速標準制定與專利布局，力圖在下一代半導體封裝材料領域構建自主可控的產業競爭力。

潛力之下，挑戰仍在

盡管玻璃基板憑借性能優勢被視為后摩爾時代的核心賽道，市場前景被廣泛看好，但從技術研發走向規模化量產的過程中，仍面臨多重挑戰與壁壘。目前，整個行業仍處于從實驗室突破、小批量驗證邁向規模化量產的關鍵爬坡期，面臨著來自核心技術、產業生態和市場接受度等多重維度的嚴峻挑戰。

這些現實存在的瓶頸，也印證了為何行業聲勢浩蕩之下，玻璃基板的市場商業化進展依舊相對緩慢的行業現狀。

據艾邦半導體2026年TGV玻璃基板量產預測調研顯示，63%的被調研者認為屆時僅能實現“小批量量產”，認為會“大規模上量”的比例僅12%，另有25%判斷仍將“處于研發階段”，這一數據直觀反映了產業界對其發展難度的審慎認知。

技術攻堅：核心工藝多重瓶頸制約

玻璃基板的技術挑戰集中于核心工藝的成熟度突破，從TGV通孔制備到高密度布線，再到鍵合連接，每一環都存在嚴苛的技術門檻，成為制約其性能升級的關鍵。

• 首當其沖的是TGV工藝瓶頸：作為玻璃基板實現垂直互連的核心技術，TGV雖已取得階段性進展，但大規模量產所需的效率、良率與精度仍未達標。當前主流的激光鉆孔技術效率普遍低于1000孔/秒，難以匹配大規模生產需求；而高深寬比（>15:1）通孔的金屬填充更是行業難題，銅填充空洞率常超過5%，嚴重影響電氣性能穩定性。在孔徑微縮方向，10μm以下孔徑的加工良率不足80%，直接制約封裝密度的進一步提升，臺積電早期開發玻璃基板封裝時，就曾因TGV良率問題導致項目進度受阻。當前行業在數十萬級通孔批量加工時，良率控制仍面臨巨大挑戰。

• 其次是高密度布線挑戰：隨著AI芯片等高性能器件I/O數量激增，對玻璃基板的布線密度提出更高要求，5μm以下線寬已成為主流需求。傳統半加成法在實現這一精度時，易出現種子層殘留、蝕刻精度不足等問題，導致線路短路或開路風險顯著增加；納米壓印、激光直寫等新型工藝雖具備技術潛力，但存在設備昂貴、工藝窗口窄等問題，尚未在量產中成熟應用。此外，布線與通孔的協同匹配也面臨考驗，如何在高密度布線場景下保障信號傳輸的完整性，避免串擾與延遲，成為亟待解決的技術難題。

• 另外是鍵合可靠性難題：芯片與玻璃基板的鍵合過程中，熱膨脹系數差異引發的應力問題尤為突出。玻璃與金屬的熱膨脹系數不匹配，在250℃回流焊等傳統高溫工藝中，界面應力集中易導致焊點開裂、芯片位移等失效模式，焊點失效概率較有機基板高出30%。激光輔助鍵合（LAB）等低溫鍵合工藝雖能緩解這一問題，但目前該技術設備成本高、工藝參數調控難度大，難以實現規模化推廣。同時，玻璃基板的脆性特質也增加了鍵合過程中的操作難度，輕微外力就可能導致基板開裂，進一步提升了工藝控制門檻。

成本與生態：規模化前夜的雙重壁壘

玻璃基板要實現大規模普及，不僅需要突破技術瓶頸，還需跨越成本高企與產業鏈協同不足的雙重壁壘，這兩大問題共同構成了其商業化進程中的核心阻礙。

成本方面，玻璃基板的全鏈條成本均處于高位。原材料層面，高純度硼硅玻璃作為核心基材，制備工藝復雜且純度要求超過99.99%，單價高達2000元/片以上，是傳統有機基板的5-10倍；加工層面，TGV鉆孔、金屬填充、高精度布線等工藝的設備折舊與耗材成本高昂，進一步推高單位制造成本。以消費級手機芯片封裝為例，行業普遍將成本控制在1-2美元/片，玻璃基板短期內難以滿足這一成本要求，使其在價格敏感型市場的應用受到嚴重限制。即便在高算力芯片等高端領域，成本壓力也成為制約其快速滲透的關鍵因素。

產業鏈生態不完善則加劇了發展困境。

上游材料端，康寧、肖特等海外企業壟斷高純度玻璃晶圓供應，國內廠商雖在積極追趕，但多數產品的電學性能、熱學性能仍無法滿足下一代AI芯片封裝需求，核心原材配方與LowCTE玻璃材料技術亟待攻克；設備端，LPKF的激光鉆孔機、應用材料的沉積設備等關鍵設備被海外企業主導，國內設備商的產品在精度、效率上仍有差距，導致國內企業工藝開發需依賴海外供應商，迭代周期長達12-18個月。

同時，國內產業鏈存在單點突破多、協同聯動少的現象，中小企業研發投入有限，易出現早期內卷，難以形成系統化的產業合力，進一步制約了產業發展速度。

可靠性與標準：極端場景驗證與規范缺失

玻璃基板的長期可靠性驗證不足，以及行業標準體系的缺失，使其在高要求應用場景的推廣中面臨障礙，也延緩了其商業化進程。

現有行業標準體系主要針對傳統有機基板和硅基材料建立，缺乏對玻璃基板的專項測試規范，尤其是在極端環境下的可靠性驗證標準。在汽車電子、航空航天等高端應用領域，基板需滿足-55℃~150℃的寬溫域熱循環、85%RH高濕度等嚴苛條件，但目前玻璃基板在這些環境下的長期可靠性數據嚴重匱乏。

實驗數據顯示，玻璃基板經過500次熱循環測試后，部分樣品會出現介電性能劣化、結構開裂等問題，難以滿足高可靠性場景的應用要求。此外，玻璃基板的散熱性能相對較弱，熱導率較低，在高功率芯片封裝中易出現熱量積聚問題，需搭配新型熱管理材料或優化散熱設計，進一步增加了應用復雜度。

標準缺失還導致產業鏈各環節的適配成本居高不下。設計端，EDA工具缺乏對玻璃基板特性的針對性支持，芯片與封裝設計者需要重新學習并適配新材料的特性，增加了設計周期與研發成本；檢測端，玻璃的透明性和反射率特性與硅材料差異顯著，傳統AOI檢測技術無法滿足精度要求，需開發全階段定量分析的專用檢測方案，進一步推高了產業門檻。

這些問題共同導致玻璃基板的可靠性驗證周期長、成本高，延緩了其在各類應用場景的落地進程。

還需要關注的是，半導體行業對新材料的采納歷來以謹慎和緩慢著稱，玻璃基板從技術驗證到大規模商用，仍需經歷漫長的市場導入周期。

因為芯片封裝直接關系到終端產品的性能與可靠性，芯片客戶對導入新材料極為審慎。玻璃基板需要經歷從仿真、樣品測試、小批量試產到最終量產導入的全流程驗證，這一過程通常長達2-3年甚至更久，以充分評估其在熱循環、機械應力、長期老化等極端場景下的表現。

另一方面，產業龍頭的戰略動向深刻影響著市場預期。此前英特爾曾考慮調整其玻璃基板策略的傳聞，雖然后續公司澄清持續推進，但這一插曲折射出即便巨頭也需在技術理想與財務現實、自主開發與開放生態之間艱難權衡。

這促使整個行業以更務實、理性的態度審視玻璃基板的商業化節奏。IC載板大廠欣興電子董事長曾子章即指出，由于供應鏈建設和驗證期長，玻璃載板真正量產的時間點可能落于2028年之后。而行業調研也顯示，大多數從業者對2026年的量產前景持“小批量試產”的審慎樂觀態度，而非大規模上量。

玻璃基板的技術革命并非一蹴而就。

市場機遇之下，行業廠商的研發投入與產業布局正與上述嚴峻的現實挑戰進行激烈博弈。這場博弈的勝負，不僅取決于單項技術的突破，更依賴于跨學科、跨企業的產業鏈深度協同，以及市場在性能與成本之間做出的最終權衡。、

可以預見，在未來幾年內，玻璃基板將首先在性能優先、對成本相對不敏感的高端AI芯片、高頻通信等細分領域實現突破性應用，而后才能逐步向更廣闊的市場滲透。

而這段“量產前夜”的爬坡期，正是檢驗技術成熟度、構建產業生態的關鍵階段。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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