研發(fā)為核，全鏈貫通：晶存科技構(gòu)筑高速存儲(chǔ)時(shí)代的技術(shù)底座

隨著智能終端與人工智能數(shù)據(jù)計(jì)算的持續(xù)發(fā)展，更高性能的存儲(chǔ)芯片在系統(tǒng)性能中的作用不斷增強(qiáng)。從數(shù)據(jù)加載效率、模型運(yùn)行穩(wěn)定性到復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景下的實(shí)時(shí)響應(yīng)，存儲(chǔ)系統(tǒng)對(duì)帶寬、可靠性以及功耗控制提出了更高要求。

在行業(yè)技術(shù)快速演進(jìn)的背景下，存儲(chǔ)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力正逐步由單一產(chǎn)品能力，逐漸轉(zhuǎn)向體系化研發(fā)能力的長(zhǎng)期積累。

晶存科技：以研發(fā)驅(qū)動(dòng)構(gòu)建全鏈路技術(shù)體系

晶存科技自成立以來(lái)，持續(xù)圍繞“研發(fā)驅(qū)動(dòng)”推進(jìn)技術(shù)體系建設(shè)，逐步形成了以閃存主控芯片設(shè)計(jì)技術(shù)、存儲(chǔ)顆粒分析技術(shù)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)及先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)技術(shù)、固件技術(shù)及高效測(cè)試技術(shù)為核心的全鏈路研發(fā)體系，覆蓋從底層架構(gòu)設(shè)計(jì)到系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為高速存儲(chǔ)產(chǎn)品的持續(xù)研發(fā)和技術(shù)迭代提供系統(tǒng)性支撐。

從技術(shù)結(jié)構(gòu)上看，這一研發(fā)體系并非多項(xiàng)能力的簡(jiǎn)單疊加，而是圍繞存儲(chǔ)產(chǎn)品生命周期構(gòu)建的系統(tǒng)化架構(gòu)。各環(huán)節(jié)之間形成協(xié)同關(guān)系，使研發(fā)過(guò)程能夠從底層設(shè)計(jì)延展至系統(tǒng)應(yīng)用。

主控設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)系統(tǒng)的“大腦”，覆蓋架構(gòu)定義、電路設(shè)計(jì)與仿真驗(yàn)證，為存儲(chǔ)產(chǎn)品性能與可靠性提供底層支撐。

顆粒分析

深入分析存儲(chǔ)介質(zhì)的物理特性和行為特征。

先進(jìn)封裝

通過(guò)產(chǎn)品與封裝協(xié)同設(shè)計(jì)，平衡性能、體積與功耗。

固件開(kāi)發(fā)

通過(guò)軟硬件協(xié)同優(yōu)化數(shù)據(jù)調(diào)度、性能表現(xiàn)與系統(tǒng)兼容性。

高效測(cè)試

構(gòu)建覆蓋研發(fā)與量產(chǎn)的測(cè)試體系，支持多場(chǎng)景驗(yàn)證與極端環(huán)境模擬，保障嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品在復(fù)雜環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性與可靠性。

實(shí)體支撐：研發(fā)中心、實(shí)驗(yàn)室與智能制造協(xié)同

作為研發(fā)體系的實(shí)體支撐，晶存科技在珠海、深圳等地布局研發(fā)中心與實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)，承擔(dān)主控架構(gòu)設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、產(chǎn)品及封裝設(shè)計(jì)與可靠性評(píng)估、固件優(yōu)化、高速信號(hào)分析及平臺(tái)級(jí)適配等研發(fā)工作。

同時(shí)，公司建設(shè)深圳、中山兩大智能制造中心，確保技術(shù)方案能在規(guī)模化生產(chǎn)中順利落地，實(shí)現(xiàn)研發(fā)驗(yàn)證與量產(chǎn)環(huán)節(jié)的有效銜接。

在實(shí)驗(yàn)室建設(shè)方面，公司投入資金達(dá)到數(shù)千萬(wàn)規(guī)模，并引入愛(ài)德萬(wàn)ADVANTEST高速存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)為高速器件驗(yàn)證提供了重要支持。

該系統(tǒng)支持最高 9.6Gbps 的測(cè)試速率，具備 ±45ps 的時(shí)序精度，并搭載 ALPG 圖樣發(fā)生器，可用于 LPDDR5/5X、DDR5 等高速存儲(chǔ)器件的功能評(píng)估，同時(shí)兼容 LPDDR4/4X、DDR4 等產(chǎn)品。

此外，公司配置了多類用于高速存儲(chǔ)研發(fā)的專業(yè)設(shè)備，包括高速存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)、高頻數(shù)字示波器、金相顯微鏡以及 eMMC/UFS 協(xié)議分析儀等，這些設(shè)備覆蓋信號(hào)完整性分析、失效機(jī)理研究、封裝結(jié)構(gòu)驗(yàn)證和協(xié)議一致性調(diào)試等環(huán)節(jié)，形成從分析、調(diào)試到測(cè)試驗(yàn)證的完整流程。

借助該平臺(tái)，晶存科技在高速器件的測(cè)試速率、時(shí)序控制及驗(yàn)證覆蓋范圍等方面具備更高能力，有助于在研發(fā)階段完成更為嚴(yán)格的性能與一致性驗(yàn)證。

面向未來(lái)：持續(xù)迭代的高速存儲(chǔ)產(chǎn)品布局

基于上述研發(fā)體系，晶存科技在高速存儲(chǔ)產(chǎn)品方向逐步推進(jìn)技術(shù)迭代規(guī)劃，以適配未來(lái)智能終端在大模型運(yùn)算和多任務(wù)處理場(chǎng)景下對(duì)存儲(chǔ)能力的更高需求。

當(dāng)前成果：LPDDR5X產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)8533Mbps速率

近期目標(biāo)：將提升至9600Mbps

未來(lái)布局：LPDDR6研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，瞄準(zhǔn)更高帶寬和更大容量和更強(qiáng)性能

從容布局：自信錨定AI時(shí)代存儲(chǔ)新挑戰(zhàn)

AI 時(shí)代對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了多維度的挑戰(zhàn)。高速接口的信號(hào)完整性、低功耗模型加載的效率、隨機(jī) IO 爆發(fā)式增長(zhǎng)帶來(lái)的固件調(diào)度壓力、極端工況下的穩(wěn)定性、以及模型文件不斷變大帶來(lái)的容量需求，都成為存儲(chǔ)研發(fā)必須面對(duì)的新課題。

基于此，晶存科技持續(xù)加大在研發(fā)資源方面的投入。一方面，通過(guò)研發(fā)更高性能的測(cè)試平臺(tái)，提升對(duì)高速存儲(chǔ)器件物理特性的驗(yàn)證能力；另一方面，通過(guò)擴(kuò)充關(guān)鍵領(lǐng)域的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，包括底層開(kāi)發(fā)、封裝設(shè)計(jì)、電性分析與系統(tǒng)驗(yàn)證等領(lǐng)域，增強(qiáng)技術(shù)體系的深度與完整性。

展望：構(gòu)建確定性技術(shù)底座驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)未來(lái)

展望未來(lái)，晶存科技將繼續(xù)堅(jiān)持以全鏈路技術(shù)為驅(qū)動(dòng)，構(gòu)建覆蓋設(shè)計(jì)、封裝、驗(yàn)證與量產(chǎn)的完整閉環(huán)，為智能終端、邊緣計(jì)算與下一代計(jì)算平臺(tái)提供既具備前瞻性又足夠可靠的存儲(chǔ)解決方案，在高速存儲(chǔ)時(shí)代筑牢技術(shù)底座。

在這個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)、智能加速的時(shí)代，堅(jiān)實(shí)的技術(shù)底座將成為支撐創(chuàng)新的關(guān)鍵。晶存科技正通過(guò)持續(xù)的技術(shù)投入和系統(tǒng)化建設(shè)，為高速存儲(chǔ)時(shí)代貢獻(xiàn)自己的專業(yè)力量。