作品聲明:內容取材于網絡
2025年7月,日本Rapidus公司正式推出2nm芯片原型。
這家2022年才成立的企業,僅用三年就完成從成立到突破先進制程的跨越。
同一時期,中國芯片產業仍在7nm等效制程的量產良率上艱難攻堅。
一邊是順風順水的技術沖刺,一邊是封鎖中的自主爬坡,兩者的差距究竟是因為什么呢?
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日本2nm的“速成密碼”
日本Rapidus的2nm芯片原型,絕非“單點突破”的奇跡,而是全球優質技術、資本與產業資源高效整合的必然結果。
這家企業的發展路徑從一開始就充滿“捷徑”,其技術根基并非完全自主研發,而是深度嫁接國際頂尖技術成果。
2023年,Rapidus與IBM達成戰略合作,直接獲得了2nm制程核心的GAA全環繞柵極晶體管技術授權,省去了數年的基礎研發周期。
同時與比利時IMEC研究院聯合開展光刻工藝研發,借助IMEC在先進制程上的積累快速推進技術落地。
在關鍵設備保障上,Rapidus更是毫無阻礙。
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2024年12月,首臺ASML EUV光刻機順利入駐其北海道工廠,這款被稱為“人類工業皇冠明珠”的設備,是7nm及以下先進制程的核心支撐。
而中國企業自2019年起就被徹底排除在采購名單之外。
到2025年3月底,包括EUV光刻機在內的200余臺各類半導體設備全部安裝調試到位,直接具備了試生產條件,這種設備到位速度在半導體產業史上極為罕見。
資本與產業協同的助力更是全方位覆蓋。
京瓷、佳能、本田等日本工業巨頭不僅累計注入超千億日元資金,更直接開放核心技術與產能資源。
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佳能提供先進的晶圓檢測設備,京瓷負責精密封裝工藝研發,本田則提前鎖定車載芯片訂單,形成“研發-生產-應用”的初步閉環。
更關鍵的是,日本半導體產業歷經數十年積淀,早已構建起從基礎材料、核心設備到晶圓制造的完整生態。
信越化學、東京應化等企業在高端光刻膠領域占據全球80%以上市場份額,可為2nm制程提供穩定材料供應。
DISCO等設備廠商能快速響應技術迭代需求,與代工廠形成高效聯動。
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此外,Rapidus還創新性采用虛擬IDM模式,與新加坡Quest Global公司合作,為無晶圓廠企業提供從設計到制造的全流程解決方案,提前打通市場渠道。
這種“技術拿來即用、資金隨叫隨到、上下游無縫銜接”的發展環境,讓Rapidus無需在基礎環節浪費精力,得以集中所有資源攻克制程優化的核心問題。
值得注意的是,Rapidus的突破還離不開美日的技術開放政策。
美國不僅未對其實施技術封鎖,反而允許IBM等企業輸出核心技術。
荷蘭ASML也毫無阻礙地供應EUV光刻機,這種開放的外部環境,是其快速突破的重要前提。
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中國芯片的“爬坡之路”
與Rapidus的順風順水相比,中國芯片產業的每一步前進,都要先沖破美國主導的多層技術封鎖網,自主化進程充滿荊棘。
2025年美國新規明確禁止向中國提供最新版EDA軟件,海思、紫光展銳等頭部設計公司只能依賴舊版本軟件開展研發。
在關鍵材料領域,高端光刻膠、大硅片等產品長期被日本企業壟斷,其中日本四大廠商占據全球80%以上的高端光刻膠市場,EUV光刻膠份額更是高達95%。
中國本土光刻膠企業整體市場份額不足5%,且集中于中低端品類,即便如恒坤新材料等企業加速推進KrF光刻膠產業化。
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預計2025年底才能達成年產500噸的能力,短期內仍無法替代進口產品。
在這樣的困境下,中國企業只能“另辟蹊徑”攻堅先進制程。中芯國際依托DUV深紫外光刻結合多重曝光技術,開發出等效7nm的N+1制程,但這種方案面臨雙重瓶頸。
一是晶圓成品率長期未能達到理想水平,二是生產流程復雜導致單位成本居高不下,制約了規模化推廣。
即便如此,這一突破已屬不易,畢竟在沒有EUV光刻機的情況下,用成熟設備實現先進制程,相當于“用拖拉機零件拼出跑車”。
即便封鎖重重,中國芯片產業的突圍從未停止。
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2025年三季度,由清華大學團隊主導的同步輻射光刻工廠進入試產階段,成功試印3nm芯片。
這種“光刻工廠”的創新思路,繞開了ASML EUV光刻機的專利壁壘,為先進制程突破開辟了新路徑。
企業層面的突破同樣亮眼,華為海思的麒麟9000X芯片正式開啟外供,搭載該芯片的臺式機在政企市場亮相。
這款芯片大概率采用中芯國際N+1等效7nm工藝,標志著國產先進制程已從實驗室走向規模化商業應用。
中微公司的5納米刻蝕機早已實現量產,上海微電子的28nm光刻機良率穩步提升,國家大基金三期更是投入288億元重點扶持材料產業,逐步填補上游短板。
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賽道不同而非能力不濟
對比中日芯片產業的發展現狀,不難發現兩者的差距核心在于“賽道差異”,而非中國企業研發能力的根本性落后。
Rapidus幾乎能無障礙獲取全球最頂尖的技術與設備,這種發展環境是中國企業無法企及的。
中國芯片產業則從一開始就被排除在全球先進技術合作體系之外,美國主導的技術封鎖從設備、軟件延伸到材料,甚至維修保養都受到限制。
且核心設備的維修保養完全依賴國外廠商,這種“卡脖子”困境讓中國企業的每一步突破都必須從零開始。
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更關鍵的是,半導體產業的發展需要完整的生態閉環,日本經過數十年積淀。
已形成“設備-材料-設計-制造-應用”的高效聯動體系,任何一個環節的技術迭代都能快速得到上下游響應。
而中國芯片產業鏈曾長期存在割裂狀態,上游材料設備依賴進口,中游制造受限于設備無法突破先進制程,下游設計端又面臨軟件斷供壓力,形成惡性循環。
但值得注意的是,中國的自主突圍已初見成效。
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華為麒麟芯片外供不僅激活了國產整機廠商的創新活力,更能為中芯國際等晶圓廠帶來穩定訂單,形成“設計需求牽引制造升級”的正向循環。
清華大學的同步輻射光刻工廠、浙江的電子束直寫設備等非傳統技術路徑探索,正在繞開現有專利壁壘。
這些突破雖顯緩慢,卻每一步都堅實有力,畢竟構建自主可控的半導體生態,本身就是一場需要時間沉淀的長期戰役,而非追求短期速成的沖刺賽。
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我們無需否認當前的差距,但更應看清差距背后的本質,這不是研發能力的優劣對決,而是開放賽道與封鎖賽道的先天差異。
日本借助全球技術資源與成熟生態實現快速突破,固然值得關注,但中國在層層封鎖中構建自主體系的堅韌更值得肯定。
從無到有的國產光刻機研發,從弱到強的EDA軟件突破,從實驗室走向市場的自主芯片,每一項進展都在打破“卡脖子”的桎梏。
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結語
有人質疑中國芯片發展速度太慢,但他們忽略了,我們是在沒有技術外援、沒有設備支持的情況下,硬生生蹚出一條自主創新之路。
半導體產業沒有捷徑,每一項技術突破都需要時間沉淀,每一個環節的成熟都需要持續投入。
人人都不看好我們,偏偏我們最爭氣。中國芯片之路或許走得慢,但每一步都踩得扎實。
隨著全產業鏈協同發力,隨著自主創新的持續推進,我們終將打破外部技術壟斷,用自主可控的“中國芯”,在全球半導體產業格局中贏得屬于自己的一席之地。
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