據日經新聞援引知情人士消息,臺積電計劃于明年夏季啟動其亞利桑那州 21 號晶圓廠二期項目的設備搬入工作。待各類配套設施及生產設備于 2027 年完成安裝調試后,該廠將可依托3 納米制程工藝開展芯片量產,較原計劃提前數個季度。
若日經新聞的報道屬實,臺積電將于2026 年第三季度(7-9 月)正式啟動亞利桑那州 21 號晶圓廠二期的設備安裝工作,目標在 2027 年實現投產,較原定于 2028 年量產的計劃提前數個季度。
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臺積電方面表示,該公司亞利桑那州 21 號晶圓廠二期的土建工程已于今年竣工。在廠房主體結構及水電氣等機電管線系統落成后,芯片廠商需進一步完成電梯、暖通空調(HVAC)等內部基礎設施的搭建。這一階段收尾后,廠商會開展環境驗證工作,只有在溫度、氣壓、濕度等各項指標均保持穩定的前提下,才會正式搬入量產所需的核心設備。
不同設備的安裝與調試周期從數小時到數天不等,而晶圓廠中的高端深紫外光刻機(DUV)與極紫外光刻機(EUV),其安裝調試耗時遠高于其他設備。無論如何,首批設備的安裝、聯調及小批量量產的籌備工作,整體仍需耗費數月時間。盡管初期產能有限,但臺積電仍有望在 2027 年于亞利桑那州實現 3 納米制程芯片的量產。
此外,臺積電已于2025 年 4 月啟動亞利桑那州21 號晶圓廠三期項目的建設,該產線將具備 2 納米及 1.6 納米級芯片的生產能力。臺積電希望加快三期項目建設進度,從而推動更先進制程芯片的產能落地,同樣實現提前在美國量產 2 納米、1.6 納米級芯片的目標。
臺積電總裁魏哲家在 2024 年 10 月的最新財報電話會議上表示:“在頭部美國客戶,以及美國聯邦、州、市各級政府的通力協作與大力支持下,我們正持續加快亞利桑那州的產能擴充步伐。目前各項工作進展顯著,項目執行情況符合預期。此外,基于客戶對人工智能相關芯片的強勁需求,我們正籌備在亞利桑那州加速技術升級,早日導入 2 納米及更先進的制程工藝。”
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