臺積電正加快在美國推進先進芯片制造進程。據(jù)日本《日經(jīng)亞洲評論》報道,該公司計劃于2026年中旬開始向亞利桑那州第二座晶圓廠搬入生產(chǎn)設(shè)備,并將3納米芯片量產(chǎn)目標鎖定在2027年。
報道援引消息人士稱,設(shè)備安裝預(yù)計在2026年7月至9月間啟動。設(shè)備到位后,通常需要近一年時間完成生產(chǎn)線驗證和量產(chǎn)準備,對于3納米等先進制程而言,由于涉及超過1000道工序及嚴格的工藝驗證,此過程可能更長。這一最新時間表與臺積電董事長兼執(zhí)行長魏哲家近期表態(tài)一致,他表示公司希望提前于原計劃(2028年)啟動美國生產(chǎn)。
與此同時,《工商時報》報道,臺積電將于年底前邀請投標亞利桑那第三座廠房的建設(shè)合約。目前,第一座亞利桑那廠已開始為蘋果生產(chǎn)芯片,并供應(yīng)英偉達最新Blackwell架構(gòu)AI處理器。一旦總額1650億美元的亞利桑那項目全面完成,包括五座晶圓廠、高級封裝設(shè)施及研發(fā)中心,臺積電預(yù)計其最先進芯片約30%將在美國制造。
此外,臺積電正考慮調(diào)整日本熊本第二廠計劃,據(jù)《日經(jīng)》報道,公司或?qū)⒃搹S轉(zhuǎn)向4納米制程,而非原定的6納米和7納米,這可能需要設(shè)計變更并導(dǎo)致項目延后。
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