導阻覆蓋140~500mΩ，英飛凌推出7顆消費級應用氮化鎵

前言

近期，充電頭網了解到，英飛凌面向消費級市場推出7款全新CoolGaN? G5 700V增強型氮化鎵器件，導阻覆蓋140~500mΩ，為不同功率等級與效率目標提供更多選型。本次7款器件提供PG-TSON-8與DPAK兩類封裝，滿足消費級高功率密度電源產品對高頻、高效率功率器件的需求。

英飛凌CoolGaN? G5 700V高壓氮化鎵

英飛凌CoolGaN? G5 700V高壓氮化鎵采用增強型結構，常關斷、無反向恢復電荷，具備極低柵電荷與輸出電荷，支持超高速開關和反向導通，在高頻條件下大幅降低開關損耗并提升系統效率；同時，其動態導阻和熱漂移控制更優，ESD等級可達2kV HBM/1kV CDM，并結合ThinPAK/TSON、DPAK等底部散熱封裝以及8英寸晶圓+全自動量產工藝，實現更緊湊的功率密度、更可靠的一致性，為快充、電源模塊、AI服務器、電信電源等700V級應用提供高效率、高可靠的GaN開關器件平臺。

充電頭網將本次英飛凌面向消費級市場推出的7款氮化鎵器件部分參數匯總至上表，詳細參數將在下文為您介紹。

IGD70R140D2S

在產品特性層面，IGD70R140D2S為一顆700V增強型功率晶體管、具備超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于PD快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場景。

IGLR70R140D2S

在產品特性層面，IGD70R140D2S為一顆700V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于PD快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場景。

IGD70R200D2S

在產品特性上，IGD70R140D2S為一顆700V增強型功率晶體管、具備超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于PD快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場景。

IGLR70R200D2S

在產品特性上，IGLR70R200D2S為一顆700V增強型功率晶體管、具備超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、240mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于PD快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場景。

IGLR70R270D2S

在產品特性上，IGLR70R270D2S為一顆700V增強型功率晶體管、具備超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、330mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于PD快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場景。

IGD70R270D2S

在產品特性上，IGD70R270D2S為一顆700V增強型功率晶體管、具備超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、330mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于PD快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場景。

IGD70R500D2S

在產品特性上，IGD70R500D2S為一顆700V增強型功率晶體管、具備超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、600mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝特性、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于PD快充、DC適配器、電視電源以及家用電器等場景。

充電頭網總結

英飛凌此次面向消費級市場推出的7款CoolGaN? G5氮化鎵，既兼顧高頻、高效率，又兼顧量產一致性與散熱設計靈活度。借助PG-TSON-8與DPA等封裝這一系列器件能夠覆蓋從PD快充、適配器到電視電源、家電電源等多類應用場景，為工程師在電源設計中提供更豐富、更可靠的GaN選型。